Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Нанотехнологии (6)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (12)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>)
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40  
1.

Enyashin A. N. Prediction of atomic structure and electronic properties of Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory/A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Materials Letters, 2008. т.Vol. 62,N № 4-5.-С.663-665
2.

Enyashin A. N. Quantum-chemical modelling of nanotubes of titanium silicocarbides Ti2SiC, Ti3SiC2, and Ti4SiC3/A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Theoretical and Experimental Chemistry, 2009. т.Vol. 45,N № 2.-С.98-102
3.

Ivanovskii A. L. Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon/A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin, 1999. т.Vol. 48,N № 3.-С.612-615
4.

Ivanovskii A. L. Electronic Structure of Ti3SiC2/A. L. Ivanovskii, D. L. Novikov, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications, 1995. т.V. 5,N N 6.-С.90-91
5.

Medvedeva N. I. Cleavage fracture in Ti3SiC2 from first-principles/N. I. Medvedeva, A. J. Freeman // Scripta Materialia, 2008. т.Vol. 58,N № 8.-С.671-674
6.

Medvedeva N. I. Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites/N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2003. т.Vol. 37,N № 11.-С.1243-1246
7.

Medvedeva N. I. Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects/N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2002. т.Vol. 36,N № 7.-С.751-754
8.

Rempel A. A. Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line/A. A. Rempel, A. A. Valeeva, N. S. Kozhevnikova // JETP Letters, 2010. т.Vol. 92,N № 3.-С.146-150
9.

Rempel A. A. Irradiation-induced atomic defects in SiCstudied by positron annihilation/A. A. Rempel, H. -E. Schaefer // Applied Physics A, 1995. т.Vol. 61.-С.P.51-53
10.

Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния/В. Н. Анциферов, Г. П. Швейкин, В. Д. Любимов, Н. М. Авдеева, Ю. В. Данченко, В. И. Лихтенштейн, М. В. Калачева, Н. Г. Сапожникова, Т. А. Тимощук // Журнал прикладной химии, 1994. т.Т. 67,N N 6.-С.977-981
 1-10    11-20   21-30   31-40  
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика