Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>) |
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Пенокарбидные материалы/А. Д. Митрофанов, В. Д. Любимов, А. И. Манаков, Г. П. Швейкин // Карбиды и материалы на их основе. -Киев, 1991.-С.71-75
|
2.
| Фазообразование в процессе естественного старения кремнеуглеродного композиционного материала/В. А. Тюменцев, Ш. Ш. Ягафаров, А. А. Фотиев, Н. А. Мамаев, Е. А. Беленков, В. Р. Асюков, А. И. Шейнкман // Журнал неорганической химии, 1991. т.Т. 36,N N 7.-С.1874-1876
|
3.
| Швейкин Г. П. Карботермическая переработка лейкоксена Ярегского нефтетитанового месторождения/Г. П. Швейкин // Проблемы создания специальных видов керамики на основе природного минерального сырья: Операт.-инф. матер. Президиума Коми науч. центра УрО РАН . -Сыктывкар, 1994.-С.13-21
|
4.
| Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния/В. Н. Анциферов, Г. П. Швейкин, В. Д. Любимов, Н. М. Авдеева, Ю. В. Данченко, В. И. Лихтенштейн, М. В. Калачева, Н. Г. Сапожникова, Т. А. Тимощук // Журнал прикладной химии, 1994. т.Т. 67,N N 6.-С.977-981
|
5.
| Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
6.
| Ivanovskii A. L. Electronic Structure of Ti3SiC2/A. L. Ivanovskii, D. L. Novikov, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications, 1995. т.V. 5,N N 6.-С.90-91
|
7.
| Rempel A. A. Irradiation-induced atomic defects in SiCstudied by positron annihilation/A. A. Rempel, H. -E. Schaefer // Applied Physics A, 1995. т.Vol. 61.-С.P.51-53
|
8.
| Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
9.
| Новиков Д. Л. Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N)/Д. Л. Новиков, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996,N Ч. 1.-С.308
|
10.
| Рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры Ti3SiC2/В. Р. Галахов, С. Н. Шамин, В. А. Трофимова, Н. А. Овечкина, Д. Г. Келлерман, В. С. Горшков, М. В. Кузнецов, Я. Н. Блиновсков, В. А. Переляев // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996.-С.57-60
|
|
|