Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Нанотехнологии (6)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (12)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>)
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40  
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 58
Автор(ы) : Enyashin A. N., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Prediction of atomic structure and electronic properties of Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory
Место публикации : Materials Letters. - 2008. - Vol. 62, № 4-5. - С. 663-665
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 39
Автор(ы) : Галахов В. Р., Шамин С. Н., Трофимова В. А., Овечкина Н. А., Келлерман Д. Г., Горшков В. С., Кузнецов М. В., Блиновсков Я. Н., Переляев В. А.
Заглавие : Рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры Ti3SiC2
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - С. 57-60
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--ti3sic2--рентгеновские фотоэлектронные спектры--рентгеновские эмиссионные спектры
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Freeman A. J.
Заглавие : Cleavage fracture in Ti3SiC2 from first-principles
Место публикации : Scripta Materialia. - 2008. - Vol. 58, № 8. - С. 671-674
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Е 64
Автор(ы) : Еняшин А. Н., Ивановский А. Л.
Заглавие : Квантовохимическое моделирование нанотрубок силикокарбидов титана Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3
Параллельн. заглавия :Quantum-Chemical Simulation of Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3 nanotubes
Место публикации : Теоретическая и экспериментальная химия. - 2009. - Т. 45, № 2. - С. 88-92: ил., табл., граф. - ISSN 0497-2627. - ISSN 0497-2627
Примечания : Библиогр.: с. 91 (13 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложены атомные модели и методом функционала электронной плотности сильной связи (DFTB) исследованы особенности электронной структуры и межатомных взаимодействий для нанотрубок силикокарбидов титана Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3 в сравнении с соответствующими кристаллическими фазами
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Моделирование процессов скольжения разрыва силикокарбида титана
Параллельн. заглавия :Modelling the processes of sliding and breaking of silicocarbide of titanium
Место публикации : Деформация и разрушение материалов. - 2008. - № 1. - С. 18-21: ил., граф., табл. - ISSN 1814-4632. - ISSN 1814-4632
Примечания : Библиогр.: с. 21 (20 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Приведены результаты моделирования процессов разрыва и скольжения для перспективной керамики- силикокарбида титана Ti3SiC2. В рамках модели Райса - Томпсона с использованием расчитанных (неэмпирическим зонным методом FLMTO) величин энергий декогезии и дефекта упаковки установлена тенденция к хрупкому распространению трещин в исследуемом материале
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Параллельн. заглавия :Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - С. 207-214: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 214 (16 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M - Si, Si - i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Параллельн. заглавия :Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - С. 1281-1284: табл., граф. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1284 (19 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti- Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M- Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M-Si, C)
Полный текст
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 38
Автор(ы) : Келлерман Д. Г., Горшков В. С., Блиновсков Я. Н., Григоров И. Г., Переляев В. А., Швейкин Г. П.
Заглавие : Синтез и исследование свойств тройной фазы Ti3SiC2
Место публикации : Неорганические материалы. - 1997. - Т. 33, N 3. - С. 329-332. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--синтез--тройные фазы--фазы тройные--ti3sic2--свойства физико-химические--физико-химические свойства
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Медведева Н. И., Гертнер Ж. В., Красковская В. В., Жуковский В. М., Ивановский А. Л., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты
Место публикации : Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--свойства электронные--электронные свойства--карбид кремния--дефекты структурные--структурные дефекты--3с-sic
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Н 73
Автор(ы) : Новиков Д. Л., Медведева Н. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N)
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Ч. 1. - С. 308
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--ti3sic2--v3sic2--zr3sic2--ti3sin2--v3sin2--zr3sin2--свойства электронные--электронные свойства
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40  
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика