Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (24)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (148)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (4)Публикации об УрО РАН (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (4)Нанотехнологии (31)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (104)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (4)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (68)Расплавы (183)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (57)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПЛОТНОСТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 115
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-115 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 92


    Купряжкин, А. Я.
    Взаимодействие гелия с ионами при его растворении в кристаллах фторида стронция [] = Interaction of Helium with Ions during Its Solution in Strontium Fluoride Crystals / А. Я. Купряжкин, М. В. Рыжков, А. Г. Дудоров // Журнал физической химии. - 1998. - Т. 72, N 11. - С. 2016-2020 . - ISSN 0044-4537
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕЛИЙ -- He -- ИОНЫ -- РАСТВОРЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- ФТОРИД СТРОНЦИЯ -- СТРОНЦИЙ -- Sr -- АНИОННЫЕ ВАКАНСИИ -- ВАКАНСИИ АНИОННЫЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ИОНЫ
Аннотация: Из исследований растворимости He в кристаллах SrF2 при температурах 715-1215 К получены энергии растворения He в примесных (-0,33+ or - 0.04 эВ) и "собственных" (0.66+ or - 0.04 эВ) анионных вакансиях, а также энергии взаимодействия He с ближайшим окружением катионов Sr (-0.4+ or - 0.1 эВ), указывающие на химический характер взаимодействия He-Sr(2+). С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения нескольких фрагментов кристаллической решетки SrF2 и примесных центров He в нескольких позициях. На основе развитой методики вычисления эффективных зарядов, как интегралов от электронной плотности, получена детальная картина распределения заряда в идеальных и дефектных системах SrF2:He. Найдено, что на He образуется отрицательный заряд -0.07е в междоузлии и 0.14е в анионной вакансии

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электронная структура и химическая связь в полиморфных модификациях оксида висмута [] = Electronic structure and chemical bonding in polimorphs of bismuthsesquioxide / В. П. Жуков, В. М. Жуковский, В. М. Зайнуллина, Н. И. Медведева // Журнал структурной химии. - 1999. - Т. 40, N 6. - С. 1029-1036. - Библиогр.: 23 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДИФИКАЦИИ ПОЛИМОРФНЫЕ -- ПОЛИМОРФНЫЕ МОДИФИКАЦИИ -- ОКСИД ВИСМУТА -- ВИСМУТ -- Bi -- МЕТОД ЛМТО -- МЕТОД ХЮККЕЛЯ -- ХЮККЕЛЯ МЕТОД -- ПЛОТНОСТЬ -- КРИСТАЛЛЫ -- Bi-O -- ИОНЫ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ -- СУПЕРИОННЫЕ ПРОВОДНИКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным методом ЛМТО в приближении сильной связи и полуэмпирическим методом Хюккеля исследована электронная структура альфа-Bi2O3, бета-Bi2O3, гамма-Bi2O3 фаз. Получены полные парциальные плотности состояний и малликеновские заселенности перекрывания. На основе расчетов полной энергии кристалла обсуждается стабильность полиморфных модификаций оксида висмута. Анализ химической связи показывает доминирующую роль взаимодействия Bi-O. Металлическая связь Bi-Bi практически отсутствует. Обсуждаются механизмы миграции ионов кислорода и возможность стабилизации структуры суперионного проводника бета-Bi2O3

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-11


   
    О строении жидких сплавов системы галлий-индий [] = About Structure of Liquid Alloys Gallium-Indium System / В. И. Кононенко, С. В. Голубев, А. В. Рябина, В. В. Торокин // Расплавы. - 1998. - N 6. - С. 33-37. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0235-0106
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
Ga-In -- Ga -- In -- ВЯЗКОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- ПЛОТНОСТЬ -- СПЛАВЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ СПЛАВЫ -- ГАЛЛИЙ -- ИНДИЙ -- ГАЛЛИЙ-ИНДИЙ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- СИСТЕМЫ ДВОЙНЫЕ -- ДВОЙНЫЕ СИСТЕМЫ
Аннотация: Анализируются полученные авторами результаты экспериментальных исследований температурной зависимости вязкости, электросопротивления, поверхностного натяжения и плотности сплава галлия с 30 ат.% In. Политермы структурно-чувствительных свойств обнаруживают гистерезис, обусловленный микронеоднородным строением сплава и стремлением его компонентов к расслоению

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 43


   
    Electronic structure and chemical bonding in beta-Bi2O3 [] / N. I. Medvedeva, V. P. Zhukov, V. A. Gubanov, D. L. Novikov, B. M. Klein // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1996. - V. 57, N 9. - С. 547-551 . - ISSN 0022-3697
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- Bi2O3 -- ОКСИД ВИСМУТА -- ПРОВОДНИКИ КИСЛОРОДНО-ИОННЫЕ -- КИСЛОРОДНО-ИОННЫЕ ПРОВОДНИКИ -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ПЛОТНОСТЬ -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПАРЦИАЛЬНОЕ ДАВЛЕНИЕ -- ЭНЕРГИЯ СЦЕПЛЕНИЯ -- ОКСИДЫ -- ФЛЮОРИТЫ
Аннотация: Теоретически в рамках методов полного ПТ исследована система кислородно-ионного проводника, кубического бета-Bi2O3 типа флюорита с различными конфигурациями кислородных вакансий. Рассчитаны полные энергии, зонные структуры, плотности состояний, энергии сцепления и парциальные давления. Структура оксида с двумя кислородными вакансиями на элементарную ячейку наиболее стабильная. Найдены нелинейные изменения энергии сцепления с изменением концентрации

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 95


    Шубин, А. Б.
    Предельная плотность случайной упаковки одинаковых фигур в D-метровом пространстве [] = Limiting Density of Accidental Packing of Identical Figures in D-meter space / А. Б. Шубин // Расплавы. - 1999. - N 3. - С. 95-100. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0235-0106
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛОТНОСТЬ ПРЕДЕЛЬНАЯ -- ПРЕДЕЛЬНАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ГЕОМЕТРИЯ СТАТИСТИЧЕСКАЯ -- СТАТИСТИЧЕСКАЯ ГЕОМЕТРИЯ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ОДНОРОДНОСТЬ -- ЕВКЛИДОВО ПРОСТРАНСТВО -- ПРОСТРАНСТВО ЕВКЛИДОВО -- ФИГУРЫ ПРОИЗВОЛЬНОЙ ФОРМЫ
Аннотация: На основе представленной системы определений найдены условия однородности и предельной плотности для случайных ансамблей одинаковых фигур произвольной формы в евклидовом пространстве размерности D

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42


    Медведева, Н. И.
    Теоретическое исследование адсорбции азота на поверхности Ti(0001) [] = Theoretical Study of Nitrogen Adsorption on Ti(0001) Surface / Н. И. Медведева, М. В. Кузнецов, А. Л. Ивановский // Физика металлов и металловедение. - 1999. - Т. 88, N 2. - С. 23-31. - Библиогр.: 24 назв. . - ISSN 0015-3230
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АДСОРБЦИЯ АЗОТА -- ПОВЕРХНОСТИ -- МЕТОД ЛМТО -- РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ТИТАН -- Ti -- N -- АЗОТ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ
Аннотация: Линейным методом muffin-tin (МТ) орбиталей в полнопотенциальной версии (ЛМТО-ПП) проведены первопринципные расчеты систем, моделирующих процесс адсорбции N2 на поверхности Ti (0001). Построены карты зарядовой плотности и послойные плотности электронных состояний, выполнены энергетические оценки адсорбции, рассчитаны величины работы выхода и химических сдвигов внутренних электронных уровней. В согласии с экспериментом расчеты свидетельствуют об энергетической целесообразности локализации хемосорбированного азота в октаэдрических междоузлиях под поверхностным монослоем титана с формированием адсорбционной структуры (1x1)-N. Образованный в результате адсорбции поверхностный слой Ti(0001)-(1x1)-N подобен трехслойному фрагменту грани TiN(111)

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Электронное строение и химическая связь в YBa2M3O7 (M = Cu, Ag, Au) [] / М. В. Рыжков, Д. Л. Новиков, В. А. Губанов // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, N 4. - С. 777-781 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- YBa2Cu3O7 -- Cu -- МЕДЬ -- Ag -- СЕРЕБРО -- Au -- ЗОЛОТО -- ПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- Ba -- БАРИЙ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ
Аннотация: Частичное или полное замещение меди в YBa2Cu3O7 на однотипные по конфигурации Ag и Au должно приводить к образованию соединений со схожим электронным строением, химическим связыванием и распределением зарядовой плотности. Вследствие уменьшения плотности состояний на уровне Ферми в соединениях с серебром, по сравнению с медью, следует ожидать, что Тс в YBa2Ag3O7 будет ниже, чем в YBa2Cu3O7, кроме того, характер проводимости в соединениях с золотом может отличаться от YBa2Cu3O7.

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   H 99


    Ivanovsky, A. L.
    Electronic properties of solid solutions in Ti-Al-(N,C) systems [] / A. L. Ivanovsky, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications. - 1994. - N 5. - С. 176-178 . - ISSN 0959-9436
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- Ti-Al-N -- Ti-Al-C -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- РАСЧЕТЫ САМОСОГЛАСОВАННЫЕ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЕ РАСЧЕТЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПАРЦИАЛЬНОЕ ДАВЛЕНИЕ -- СВЯЗИ КОГЕЗИОННЫЕ -- КОГЕЗИОННЫЕ СВЯЗИ
Аннотация: На основе результатов самосогласованных расчетов энергетических зон кубических твердых растворов, которые предположительно образуются в системах Ti-Al-N и Ti-Al-C, исследованы электронные свойства и устойчивости этих тройных кубических твердых растворов. Рассчитаны плотности состояний, энергии когезионной связи и парциальное давление и их зависимость от отношения Ti/Al в твердых растворах

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 34


    Швейкин, Г. П.
    Переработка минерального и техногенного сырья карботермическим восстановлением [] / Г. П. Швейкин, В. А. Переляев // Известия РАН. Сер. химическая . - 1997. - N 2. - С. 233-245. - Библиогр.: 30 назв. . - ISSN 0002-3353
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЫРЬЕ МИНЕРАЛЬНОЕ -- МИНЕРАЛЬНОЕ СЫРЬЕ -- СЫРЬЕ ТЕХНОГЕННОЕ -- ТЕХНОГЕННОЕ СЫРЬЕ -- ВОССТАНОВЛЕНИЕ КАРБОТЕРМИЧЕСКОЕ -- КАРБОТЕРМИЧЕСКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ -- МАТЕРИАЛЫ КЕРАМИЧЕСКИЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ОТЖИГ -- ГАЗОВЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ ГАЗОВЫЕ -- ПЛОТНОСТЬ ШИХТЫ -- ШИХТА
Аннотация: Обобщены результаты современных исследований по получению перспективных материалов (прежде всего, керамических) с использованием карботермического процесса восстановления (КПВ) минерального и техногенного сырья. Особое внимание уделено рассмотрению механизма и кинетики протекания химических реакций в ходе КПВ, а также влиянию разнообразных факторов, варьируемых в процессе восстановления (температура, продолжительность отжига, состав газовой фазы, соотношение компонентов, плотность шихты и т.д.) на состав и свойства конечных продуктов. Обсуждены способы оптимизации конкретных технологических схем получения новых материалов методом КПВ

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 45


    Фетисов, А. В.
    Исследование окисления керамики YBa2Cu3O дельта с различной плотностью [] / А. В. Фетисов, А. А. Фотиев // Структура, свойства и синтез высокотемпературных сверхпроводников: Информ. материалы. - 1991. - С. 49-55. - Библиогр.: 7 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОКИСЛЕНИЕ -- КЕРАМИКА -- YBaCuO -- КУПРАТ ИТТРИЙ-БАРИЕВЫЙ -- ИТТРИЙ-БАРИЕВЫЙ КУПРАТ -- СВОЙСТВА ОКИСЛИТЕЛЬНО-ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ -- ОКИСЛИТЕЛЬНО-ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА -- ПЛОТНОСТЬ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана [] = Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-457X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ ЛОКАЛЬНЫЕ -- ЛОКАЛЬНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- TiC -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПОДРЕШЕТКА МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ КОВАЛЕНТНЫЕ -- КОВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД
Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 39


   
    Рентгеновские переходы для изучения электронной структуры 5d-металлов [] / Э. З. Курмаев, З. В. Пчелкина, И. А. Некрасов, А. А. Ремпель // 29-я Междунар. зимняя школа по теоретической физике "Коуровка - 2002" (24 февр.-2 мар. 2002 г.): Прогр. и тез. докл. - 2002. - С. 183
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТАЛЛЫ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ РЕНТГЕНОВСКИЕ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОВСКИЕ -- Ta -- TaC -- Ta2O5 -- ТАНТАЛ -- КАРБИД ТАНТАЛА -- ОКСИД ТАНТАЛА -- МЕТОД ЛМТО -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СПЛАВЫ

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42


    Медведева, Н. И.
    Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ
Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей

Полный текст
Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 61


    Головкин, Б. Г.
    Рентгеноденситометрический метод определения содержания кислорода, вакансий и степени окисления элементов в кристаллических фазах [] = X-Ray Densitometric Method for Determination of the Content of Oxygen, Vacancies and Oxidation Number for the Elements in Crystalline Phases / Б. Г. Головкин // Заводская лаборатория. - 2001. - N 3. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 30 (10 назв.) . - ISSN 1028-6861
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД РЕНТГЕНОДЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИЙ -- РЕНТГЕНОДЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ФАЗЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ФАЗЫ -- КИСЛОРОД -- O -- ОКИСЛЕНИЕ -- ВАКАНСИИ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- ПЛОТНОСТЬ -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ИОННАЯ -- ПОДРЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- АЗОТ -- N -- ГАЛОГЕНЫ
Аннотация: Предложен метод, позволяющий на основе измеренного пикнометрически и рассчитанного из рентгенографических характеристик значений плотности определять количество вакансий в различных подрешетках, степень окисления элементов, входящих в состав кристаллической фазы, и содержание кислорода, азота и галогенов

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 22


    Ивановский, А. Л.
    Электронное строение бинарных фаз с гексагональной структурой типа WC [] = Electronic Structure of Binary Compounds with a Hexagonal WC Type Structure / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева // Журнал неорганической химии. - 2001. - Т. 46, N 7. - 1142-1147: табл., граф. - Библиогр.: с. 1146-1147 (22 назв.) . - ISSN 0044-457X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- БИНАРНЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ БИНАРНЫЕ -- МЕТОД ЛМТО-СС -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- ПЛОТНОСТЬ -- КОГЕЗИЯ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- ИЗОСТРУКТУРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СОЕДИНЕНИЯ ИЗОСТРУКТУРНЫЕ -- КАРБИД ВОЛЬФРАМА -- WC -- ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
Аннотация: Самосогласованным полнопотенциальным методом линейных muffin-tin орбиталей изучены электронное строение и межатомные взаимодействия в известных бинарных фазах металл-неметалл с гексгональной структурой типа WC. Для исследованных соединений d-металлов с 2p-неметаллами получены полные и парциальные плотности состояний, а также энергии когезии (сцепления). На их основе обсуждаются относительная химическая стабильность и некоторые физико-химические свойства рассмотренных фаз

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 89


   
    Суперпозиционная структура спектров кристаллического поля в высокотемпературных сверхпроводниках: передопированный режим [] / Н. О. Голосова, В. И. Бобровский, Э. Б. Митберг, А. А. Подлесняк, И. Л. Ждахин, А. В. Мирмельштейн // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2002. - Т. 121, N 5. - 1179-1193: ил. - Библиогр.: с. 1192-1193 (32 назв.) . - ISSN 0044-4510
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛЯ -- ПОЛЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- CuO2 -- Cu -- O -- МЕДЬ -- ОКСИД МЕДИ -- РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ -- НЕЙТРОНЫ -- КЛАСТЕРЫ -- Ca -- КАЛЬЦИЙ -- КУПРАТЫ -- ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ -- ДИАГРАММЫ ФАЗОВЫЕ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- КУПРАТНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ КУПРАТНЫЕ
Аннотация: Эксперименты по неупругому рассеянию нейтронов показывают, что спектры кристаллического поля высокотемпературных сверхпроводников R1-yCayBa2Cu3Ox~7 (R = Ho, Er; 0 < y < 0.25) состоит из двух спектральных компонент, связанных соответственно с оптимально допированными и передопированными кластерами. Увеличение концентрации кальция не влияет на локальную плотность носителей заряда в кластерах, а изменяет концентрацию самих кластеров и, следовательно, спектральные веса компонент спектров. В свете такой "двухфазной" картины, экспериментально обнаруженной ранее в купратных сверхпроводниках при уровнях допирования ниже оптимального, при увеличении концентрации носителей заряда происходит плавный переход (кроссовер) из недодопированного режима в передопированный. Полученные результаты показывают, что эти две области фазовой диаграммы качественно различаются характером распределения заряда в ответственных за сверхпроводимость плоскостях CuO2

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 26


    Шаров, В. А.
    Твердые растворы оксалатов металлов 3d-ряда и их соединения с гидразином как предшественники шпинелей состава MCo2O4 [] = Solid Solutions of 3d Metal Oxalates and Their Hydrazine Compounds as Precursors of MCo2O4 Splinels / В. А. Шаров, Г. В. Базуев // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 6. - 880-885: ил. - Библиогр.: с. 885 (16 назв.) . - ISSN 0044-457X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИНТЕЗ -- ОКСАЛАТЫ МЕТАЛЛОВ -- ГИДРАЗИН -- ГИДРАЗИНОКСАЛАТНЫЕ КОМПЛЕКСЫ -- КОМПЛЕКСЫ ГИДРАЗИНОКСАЛАТНЫЕ -- ШПИНЕЛИ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ИЗОТЕРМИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ -- ДИАГРАММЫ ИЗОТЕРМИЧЕСКИЕ -- РЕНТЕГНОГРАММЫ -- ИК-СПЕКТРЫ -- ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ -- КОБАЛЬТИТЫ -- Fe -- Co -- Ni -- Zn -- Cd -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- НИКЕЛЬ -- ЦИНК -- КАДМИЙ
Аннотация: Синтезированы твердые растворы состава M1/3Co2/3C2O4 * 2H2O (M = Fe, Ni, Zn, Cd). Построены изотермические диаграммы систем M1/3Co2/3C2O4 * 2H2O-N2H4-H2O (C2H5OH). Показано, что в каждой из этих систем образуются два новых гидразиноксалатных комплекса с одной и двумя молекулами гидразина. Получены их рентгенограммы, ИК-спектры, измерена пикнометрическая плотность, обсуждено строение

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 62


    Голубев, С. В.
    Экспериментальные исследования свойств расплавов Cu-Ga [] / С. В. Голубев, Л. Л. Безукладникова // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл. - 1998. - Т. 2. - С. 43-44
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
Cu -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- Ga -- РАСПЛАВЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ВЯЗКОСТЬ -- МЕТАЛЛЫ ЖИДКИЕ -- Cu-Ga -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МЕДЬ-ГАЛЛИЙ -- МЕДЬ -- ГАЛЛИЙ

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 49


    Виноградова-Жаброва, А. С.
    Фазообразование в системах NdF3-Ln2O3 [] / А. С. Виноградова-Жаброва, Т. А. Патрушева, В. Г. Бамбуров // Фторидные материалы: 10-й симпозиум по химии неорганических фторидов (М., 9-11 июня 1998 г.): Тез. докл. - 1998. - С. 30
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФАЗООБРАЗОВАНИЕ -- ОКСИФТОРИДЫ РЗЭ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- РЗЭ -- КЕРАМИКА -- NdF3 -- Ln2O3 -- Ln -- Nd -- F -- ЛАНТАНОИДЫ -- НЕОДИМ -- ФТОР -- СИСТЕМЫ БИНАРНЫЕ -- БИНАРНЫЕ СИСТЕМЫ -- ФТОРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ ФТОРИДНЫЕ -- ФТОРИДЫ -- ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ -- ПОРИСТОСТЬ -- ВАКУУМНОЕ СПЕКАНИЕ -- СПЕКАНИЕ ВАКУУМНОЕ -- ГОРЯЧЕЕ ПРЕССОВАНИЕ -- ПРЕССОВАНИЕ ГОРЯЧЕЕ
Аннотация: Исследованы условия формирования плотной керамики в результате вакуумного спекания или горячего прессования порошков оксифторидных фаз РЗЭ. Данные пикнометрической плотности и пористости полученных образцов свидетельствовали о возможности достижения требуемого качества керамики не только путем горячего прессования, но и спеканием в вакууме при 1100-1200 С

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 55


    Елфимов, И. С.
    Плотности электронных состояний и рентгено-электронные спектры сплавов TixVyCz [] / И. С. Елфимов, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Т. 1. - С. 275
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛОТНОСТЬ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- СПЛАВЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- Ti -- ТИТАН -- V -- ВАНАДИЙ -- C -- УГЛЕРОД -- ХИМИЯ

Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-115 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика