М 42 Медведева, Н. И. Теоретическое исследование адсорбции азота на поверхности Ti(0001) [] = Theoretical Study of Nitrogen Adsorption on Ti(0001) Surface / Н. И. Медведева, М. В. Кузнецов, А. Л. Ивановский // Физика металлов и металловедение. - 1999. - Т. 88, N 2. - С. 23-31. - Библиогр.: 24 назв. . - ISSN 0015-3230 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АДСОРБЦИЯ АЗОТА -- ПОВЕРХНОСТИ -- МЕТОД ЛМТО -- РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ТИТАН -- Ti -- N -- АЗОТ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ Аннотация: Линейным методом muffin-tin (МТ) орбиталей в полнопотенциальной версии (ЛМТО-ПП) проведены первопринципные расчеты систем, моделирующих процесс адсорбции N2 на поверхности Ti (0001). Построены карты зарядовой плотности и послойные плотности электронных состояний, выполнены энергетические оценки адсорбции, рассчитаны величины работы выхода и химических сдвигов внутренних электронных уровней. В согласии с экспериментом расчеты свидетельствуют об энергетической целесообразности локализации хемосорбированного азота в октаэдрических междоузлиях под поверхностным монослоем титана с формированием адсорбционной структуры (1x1)-N. Образованный в результате адсорбции поверхностный слой Ti(0001)-(1x1)-N подобен трехслойному фрагменту грани TiN(111) |
Р 93 Рыжков, М. В. Электронное строение и химическая связь в YBa2M3O7 (M = Cu, Ag, Au) [] / М. В. Рыжков, Д. Л. Новиков, В. А. Губанов // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, N 4. - С. 777-781 . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- YBa2Cu3O7 -- Cu -- МЕДЬ -- Ag -- СЕРЕБРО -- Au -- ЗОЛОТО -- ПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- Ba -- БАРИЙ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: Частичное или полное замещение меди в YBa2Cu3O7 на однотипные по конфигурации Ag и Au должно приводить к образованию соединений со схожим электронным строением, химическим связыванием и распределением зарядовой плотности. Вследствие уменьшения плотности состояний на уровне Ферми в соединениях с серебром, по сравнению с медью, следует ожидать, что Тс в YBa2Ag3O7 будет ниже, чем в YBa2Cu3O7, кроме того, характер проводимости в соединениях с золотом может отличаться от YBa2Cu3O7. |
М 42 Медведева, Н. И. Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей Полный текст |
Д 53 Дмитриев, А. В. Волна зарядовой плотности и электрические свойства одномерного проводника Na0.33V2O5 типа бета [] / А. В. Дмитриев, Н. А. Журавлев, В. Л. Волков // Физика твердого тела. - 1990. - Т. 32, N 11. - С. 3420-3422 . - ISSN 0367-3294 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ОДНОМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ -- ПРОВОДНИКИ ОДНОМЕРНЫЕ |
Ж 91 Журавлев, Н. А. ЯМР и образование волн зарядовой плотности в бета-NaxV2O5 [] / Н. А. Журавлев, А. В. Дмитриев, П. Я. Новак // Физика твердого тела. - 1990. - Т. 32, N 10. - С. 2899-2905 . - ISSN 0367-3294 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- NaxV2O5 -- Na -- V2O5 -- НАТРИЙ -- ОКСИД ВАНАДИЯ -- ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС -- ВОЛНЫ ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ |