Э 45 Электронное строение фторборатов, активированных редкоземельными элементами [] = Electronic structure of fluoborates, activated by rare-earth elements / М. В. Рыжков, В. П. Доценко, О. Ю. Батезат, Н. П. Ефрюшина, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1991. - Т. 32, N 5. - С. 9-16. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФТОРБОРАТЫ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- РЗЭ -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ФТОР -- БОР -- F -- B -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- АТОМЫ -- СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА СПЕКТРАЛЬНЫЕ Аннотация: С использованием спин-поляризованного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения оптически активных центров РЗЭ во фторборатах Mg3BO3F3, Mg2BO3F и Mg5(BO3)3F, отличающихся содержанием фтора и имеющих различную кристаллическую структуру. Рассмотрены большие фрагменты кристаллов, включающие атом лантанида, один или несколько центров фтора и 3-5 комплексных борат-иона. Исследована трансформация заселенностей АО и эффективных зарядов на атомах и различных системах. Анализ химического связывания фторборатов выполнен на основе величин заселенностей перекрывания орбиталей соседних атомов. Оценены энергии возбуждения матриц и примесных центров, исследовано влияние кристаллической структуры на спектральные свойства данных систем |
К 92 Купряжкин, А. Я. Взаимодействие гелия с ионами при его растворении в кристаллах фторида стронция [] = Interaction of Helium with Ions during Its Solution in Strontium Fluoride Crystals / А. Я. Купряжкин, М. В. Рыжков, А. Г. Дудоров // Журнал физической химии. - 1998. - Т. 72, N 11. - С. 2016-2020 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЕЛИЙ -- He -- ИОНЫ -- РАСТВОРЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- ФТОРИД СТРОНЦИЯ -- СТРОНЦИЙ -- Sr -- АНИОННЫЕ ВАКАНСИИ -- ВАКАНСИИ АНИОННЫЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ИОНЫ Аннотация: Из исследований растворимости He в кристаллах SrF2 при температурах 715-1215 К получены энергии растворения He в примесных (-0,33+ or - 0.04 эВ) и "собственных" (0.66+ or - 0.04 эВ) анионных вакансиях, а также энергии взаимодействия He с ближайшим окружением катионов Sr (-0.4+ or - 0.1 эВ), указывающие на химический характер взаимодействия He-Sr(2+). С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения нескольких фрагментов кристаллической решетки SrF2 и примесных центров He в нескольких позициях. На основе развитой методики вычисления эффективных зарядов, как интегралов от электронной плотности, получена детальная картина распределения заряда в идеальных и дефектных системах SrF2:He. Найдено, что на He образуется отрицательный заряд -0.07е в междоузлии и 0.14е в анионной вакансии |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Расчет сверхтонких магнитных полей на ядрах (37)Fe в ортованадате железа метода CCH X альфа-ДВ [] / Э. И. Юрьева, В. П. Жуков, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1991. - Т. 32, N 1. - С. 163-166 . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛЯ МАГНИТНЫЕ -- МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ -- ПОЛЯ СВЕРХТОНКИЕ -- СВЕРХТОНКИЕ ПОЛЯ -- ЖЕЛЕЗО -- ОРТОВАНАДАТ ЖЕЛЕЗА -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РАСЧЕТЫ -- Fe |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Влияние дефицита кислорода на состояние атомов железа и параметры спектров ЯГР (57)Fe в YBa2(Cu1-xFex)3O66 по результатам расчетов X альфа-методом ДВ [] / Э. И. Юрьева, В. П. Жуков, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1993. - Т. 34, N 4. - С. 71-76 . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КИСЛОРОД -- Fe -- Y -- Ba -- Cu -- АТОМЫ -- ЖЕЛЕЗО -- ЯДЕРНЫЙ ГАММА-РЕЗОНАНС -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ИТТРИЙ -- БАРИЙ -- МЕДЬ -- РАСЧЕТЫ |
И 22 Ивановский, А. Л. Электронная структура и условия химической стабилизации фуллерена C28. Эндоэдральные комплексы M@C28 (M = Sc, Ti, V, Cr, Fe, Cu) [] = Electronic Structure and Conditions for Chemical Stabilization of Fullerene C28. Endohedral M@C28 Complexes (M= Sc, Ti, V, Cr, Fe, Cu) / А. Л. Ивановский, Ю. Н. Макурин, А. А. Софронов // Координационная химия. - 2000. - Т. 26, N 10. - С. 763-768. - Библиогр.: 27 назв. . - ISSN 0132-344X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): C -- Sc -- Ti -- V -- Cr -- Fe -- Cu -- УГЛЕРОД -- СКАНДИЙ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- ХРОМ -- ЖЕЛЕЗО -- МЕДЬ -- ФУЛЛЕРЕНЫ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КОМПЛЕКСЫ ЭНДОЭДРАЛЬНЫЕ -- ЭНДОЭДРАЛЬНЫЕ КОМПЛЕКСЫ Аннотация: Неэмпирическим методом функционала электронной плотности в схеме дискретного варьирования проведены самосогласованные расчеты электронной структуры эндоэдральных комплексов на основе малого фуллерена C28 - M@C28, где M = Sc, Ti, V, Cr, Fe, Cu. Обсуждена сравнительная стабильность, особенности электронных состояний, зарядовых распределений и химическая связь в ряду указанных эндокомплексов. Установлено, что условиям максимальной химической устойчивости отвечает комплекс Ti@C28, наименее вероятно образование эндоэдрального комплекса Cu@C28 |
Э 45 Электронная структура и химическая связь в кристаллах варисцита [] = Electronic structure and chemical bonding in variscite / С. П. Фрейдман, Н. И. Медведева, Г. С. Назарова, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1991. - Т. 32, N 5. - С. 17-22. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ВАРИСЦИТ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- СПЕКТРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- АЛЮМИНИЙ -- ФОСФОР -- AlPO4 -- Al -- P Аннотация: С использованием метода дискретного варьирования в кластерном приближении проведены квантово-химические расчеты электронной структуры варисцита AlPO4 * 2H2O. Получены ИК- и рентгеноэлектронные спектры варисцита. Обнаружено, что энергетический спектр валентных полос состоит из подполос, сформированных состояниями мостиковых атомов кислорода О(b) и атомов кислорода, входящих в состав молекул воды O(w). Дана интерпретация рентгеноэлектронного спектра AlPO4 * 2H2O |
Э 45 Электронное строение и рентгеноэлектронные спектры уранильных соединений [] / М. В. Рыжков, В. А. Губанов, Ю. А. Тетерин, А. С. Баев // Радиохимия. - 1991. - Т. 33, N 1. - С. 22-28 . - ISSN 0033-8311 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- СОЕДИНЕНИЯ УРАНИЛЬНЫЕ -- ВАЛЕНТНОСТЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ -- УРАНИЛЬНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- U -- УРАН Аннотация: В рамках релятивистского метода дискретного варьирования (ДВ) выполнены расчеты энергий МО и характеристик распределения зарядовой плотности кластеров UO2O(6-)4, UO2Cl(2-)4 и UO2F(4-)6 и уранильных соединениях гамма-UO3, Cs2UO2Cl4 и UO2F2 соответственно. На основе сопоставления результатов релятивистских и нерелятивистских ДВ расчетов оценена роль релятивистских эффектов в этих системах. Полученные данные об энергиях и структуре МО использованы для интерпретации рентгеноэлектронных спектров трех уранильных соединений. Достигнутое согласие теории и эксперимента подтверждает найденое в расчетах значительное взаимодействие U6p c O, F2s Cl3s AO и валентными состояниями |
Ф 86 Фрейдман, С. П. Электронное строение оксидных систем d-элементов в высоких степенях окисления: общие черты и различия с высокотемпературными сверхпроводниками [] = Electronic structure of oxide systems with d-metals in high oxidation degrees: the common features and differences with high-temperature superconductors / С. П. Фрейдман, М. В. Рыжков, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1991. - Т. 32, N 5. - С. 23-29. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СИСТЕМЫ ОКСИДНЫЕ -- ОКИСЛЕНИЕ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- LaSrCuO4 -- La -- Sr -- Cu -- ЛАНТАН -- СТРОНЦИЙ -- МЕДЬ -- ЛАНТАН-СТРОНЦИЕВЫЙ КУПРАТ Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования проведены расчеты электронного строения характерных структурных полиэдров M2O11 (M = Nb(2+), Ni(3+), Ti(4+), V(4+), Cr(4+), Mn(4+) и Nb(4+), моделирующих примесные центры d-элементов в LaSrCuO4. Рассмотрены закономерности изменения химической связи и формирования валентной полосы энергетического спектра в ряду двух-, трех- и четырехвалентных примесных 3d-элементов в лантан-стронциевых высокотемпературных сверхпроводниках. Оценена возможность получения систем с дырочной проводимостью на основе оксидов d-элементов в высоких степенях окисления |
Р 93 Рыжков, М. В. Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана [] = Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ ЛОКАЛЬНЫЕ -- ЛОКАЛЬНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- TiC -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПОДРЕШЕТКА МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ КОВАЛЕНТНЫЕ -- КОВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C |
Э 45 Электронная структура и химическая связь в двойных металлокарбоэдренах Ti7MC12 (M = Sc, V, Cr, Mn, Cu) [] = Electronic Structure and Chemical Bonding in Binary Metal Metallocarbohedrenes Ti7MC12 (M = Sc, V, Cr, Mn, Cu) / В. В. Ивановская, А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 6. - 968-976: ил. - Библиогр.: с. 976 (29 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- МЕТАЛЛОКАРБОЭДРЕНЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- КАРБИД ТИТАНА -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- Sc -- Ti -- V -- Cr -- Mn -- Cu -- СКАНДИЙ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- ХРОМ Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучено электронное строение серии двойных металлокарбоэдренов Ti7MC12, где в качестве элементов M рассмотрены металлы 3d-ряда - Sc, V, Cr, Mn, Cu. Обсуждаются закономерности формирования электронной структуры, межатомных взаимодействий, зарядовых распределений и атомных магнитных моментов в Ti7MC12 в зависимости от типа атома M, симметрии кластера Th или Td) и позиций 3d-атомов в кластерах. Результаты сопоставлены с данными расчетов электронных состояний 3d-примесей в кристаллическом карбиде титана |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i) |
Р 93 Рыжков, М. В. Новый метод вычисления эффективных зарядов на атомах в молекулах, кластерах и твердых телах [] = New method for calculations of effective charges on atoms in molecules, clusters and solids / М. В. Рыжков // Журнал структурной химии. - 1998. - Т. 39, N 6. - С. 1134-1140. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТИВНЫЕ ЗАРЯДЫ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЗАРЯДЫ ЭФФЕКТИВНЫЕ -- КЛАСТЕРЫ -- АТОМЫ -- АТОМНОЕ ЯДРО -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ Аннотация: На основе одноэлектронного кластерного метода ДВ разработана процедура вычисления эффективных зарядов на атомах в произвольной многоатомной системе. Эффективные заряды вычисляются как трехмерные интегралы от электронной плотности по пространству вокруг атомных ядер в исследуемом объекте. Для отнесения зарядовой плотности в каждой пространственной точке к тому или иному центру предложена оригинальная процедура |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg |
R 98 Ryzhkov, M. V. Uranyl compounds and complexes: electronic structure, chemical bonding and spectral properties [] / M. V. Ryzhkov, V. A. Gubanov // Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry. - 1990. - V. 143, N 1. - С. 85-92 . - ISSN 0236-5731 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СОЕДИНЕНИЯ УРАНИЛЬНЫЕ -- ФТОР -- УРАНИЛЬНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СВОЙСТВА СПЕКТРАЛЬНЫЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- U -- Cs -- F -- ХЛОР -- Cl -- СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА -- КВАНТОВАЯ ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СПЕКТРЫ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ -- ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОВСКИЕ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ -- УРАН -- ЦЕЗИЙ Аннотация: Проведено квантово-химическое изучение электронной структуры соединений гамма-UO3, Cs2UO2Cl4, UO2F4 и комплексов UO(2+)2 и UO2(NO3)2 * 2H2O с использованием дискретного вариационного метода в приближении Дирака-Слейтера и Хартри-Фока-Слейтера. Дана интерпретация фотоэлектронных рентгеновских спектров соединений гамма-UO3 и Cs2UO2Cl4 на основе метода МО. Изучены различные электронные состояния и химическая связь в соединениях уранила |
И 88 Исследование электронной структуры и химических связей в соединении Ti8C12 [] = Electronic Structure and Chemical Bonds in the Ti8C12 Compound / А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин, М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 1999. - Т. 25, N 8. - С. 597-603. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0132-344X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- МЕТАЛЛЫ -- СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- КЛАСТЕРЫ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД -- НАНОСТРУКТУРА Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения кластера Ti8C12 в двух различных структурах и с различной координацией атомов металла. Рассмотрена взаимосвязь между пространственным расположением центров Ti и C и электронным энергетическим спектром, магнитными моментами на атомах, распределением электронной плотности и химическими связями в этих системах. Установлено, что в данных кластерах С-С-взаимодействие оказывается сильнее, чем связь Ti-C |
E 43 Electronic states spectrum for lead silicate glasses with different short-range order structures [] / V. A. Gubanov, A. F. Zatsepin, V. S. Kortov, D. L. Novikov, S. P. Freidman, G. B. Cherlov, U. V. Shchapova // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1991. - V. 127, N 3. - С. 259-266 . - ISSN 0022-3093 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТЕКЛА СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫЕ -- СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫЕ СТЕКЛА -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- Pb -- СВИНЕЦ -- Si -- КРЕМНИЙ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- КЛАСТЕРНЫЕ МОДЕЛИ -- МОДЕЛИ КЛАСТЕРНЫЕ -- МЕТОД МО ЛКАО Аннотация: В рамках метода МО ЛКАО с использованием кластерных моделей, приближения Х альфа для обменно-корреляционного взаимодействия и метода дискретного варьирования для оценки матричных элементов электронного гамильтониана изучено электронное строение свинцовосиликатных стекол. Показано, что при низких концентрациях Pb электронная структура стекол приближенно описывается как суперпозиция состояний почти свободных ионов Pb(2+) и состояний SiO2.При высоких концентрациях Pb наблюдается значительная гибридизация 6s(Pb)-состояний и валентных АО атомов О. Оптическое поглощение в области 3,0-5,2 эВ во всех стеклах связывают с 6s-6p-переходами на металле |
И 22 Ивановский, А. Л. Взаимодействие меткара Ti8C12 с галогенсодержащими аддендами [] = Reaction of Metcar Ti8C12 with Halogen-Containing Addends / А. Л. Ивановский, А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин // Координационная химия. - 2001. - Т. 27, N 1. - 25-33: табл., граф. - Библиогр.: с. 32-33 (31 назв.) . - ISSN 0132-344X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТАЛЛОКАРБОЭДРЕНЫ -- МЕТКАРЫ -- Ti8C12 -- ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АДДЕНДЫ -- АДДЕНДЫ ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- НАНОКЛАСТЕРЫ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ФУЛЛЕРЕНЫ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- СПЕКТРЫ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ Аннотация: Неэмпирическим методом функционала электронной плотности в схеме дискретного варьирования проведены самосогласованные расчеты электронной энергетической структуры аддуктов реакции металлокарбоэдрена Ti8C12 с хлорсодержащими аддендами - молекулами Cl2 и CHCl3 : Ti8C12Cl2 и Ti8C12(CHCl3), для которых проанализированы особенности электронных состояний, зарядовых распределений и химическая связь. Результаты сопоставлены с расчетом комплекса Ti8C12Cl, моделирующего стадию деструкции аддендов. На основе полученных данных обсуждаются общие условия взаимодействия галогенсодержащих аддендов с меткарами в молекулярном и кристаллическом состояниях |
Ю 85 Юрьева, Э. И. X альфа-ДВ парные потенциалы для Na-F и Al-N систем [] / Э. И. Юрьева // Кинетика электродных процессов и ионно-электронный транспорт в твердых электролитах: Всерос. конф.: Тез. докл. - 2000. - С. 147 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОТЕНЦИАЛЫ ПАРНЫЕ -- ПАРНЫЕ ПОТЕНЦИАЛЫ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- Na-F -- Al-N -- АЛЮМИНИЙ -- АЗОТ -- НАТРИЙ -- ФТОР -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Атомное упорядочение в CuGeO3 в условиях спин-пайерлсовского перехода: расчеты частот ЯКР (63)Cu [] / Э. И. Юрьева, В. А. Губанов // Журнал структурной химии. - 1997. - Т. 38, N 1. - С. 43-50 . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМОВ -- CuGeO3 -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РАСЧЕТЫ -- Cu -- МЕДЬ -- ЯДЕРНЫЙ КВАДРУПОЛЬНЫЙ РЕЗОНАНС (ЯКР) -- Ge -- ГЕРМАНИЙ Аннотация: X alpha-методом дискретного варьирования проведены расчеты электронной структуры кластеров, моделирующих спин-пайерлсовский переход в CuGeO3. Выполнены расчеты частот ЯКР (63)Cu двух центров, попадающих в моделируемую суперячейку. Показано, что природа запрещенной щели и параметры спектров ЯКР (63)Cu зависят от характера движения атомов меди в цепочках. Выдвигается предположение о причинах отсутствия экспериментальной наблюдаемости димеризации в цепочках атомов Cu |
Э 45 Электронное строение и локальные характеристики межатомных взаимодействий в кристаллических модификациях сульфида и селенида кадмия [] = Electronic Structure and Local Characteristics of Interatomic Interactions in Cadmium Sulfide and Selenide Polymorphs / Г. Г. Дивинская, Ю. Н. Макурин, А. А. Софронов, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 10. - 1632-1637: табл., граф. - Библиогр.: с. 1637 (8 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СУЛЬФИД КАДМИЯ -- СЕЛЕНИД КАДМИЯ -- CdS -- CdSe -- СТРУКТУРА ТИПА ВЮРТЦИТА -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СТРУКТУРА ТИПА КАМЕННОЙ СОЛИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТОД ЛМТО -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЗОННЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ЗОННЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИД КАДМИЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ Аннотация: В приближении функционала электронной плотности самосогласованными кластерным методом дискретного варьирования и зонным методом ЛМТО-сильной связи изучено электронное строение CdS и CdSe со структурами вюртцита, сфалерита и каменной соли. Проанализированы изменения локальных межатомных взаимодействий в халькогенидах кадмия в зависимости от типа их кристаллической структуры и состава неметаллической подрешетки |