И 22 Ивановский, А. Л. Электронная структура и энергии межатомных взаимодействий в диборидах Tc, Re, Ru, Os [] = Electronic Structure and Energies of Interatomic Interactions in Technetium, Rhenium, Ruthenium, and Osmium Diborides / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева> // Журнал неорганической химии. - 1999. - Т. 44, N 10. - С. 1717-1725. - Библиогр.: 64 назв. . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ДИБОРИД ТЕХНЕЦИЯ -- ДИБОРИД РЕНИЯ -- ДИБОРИД РУТЕНИЯ -- ДИБОРИД ОСМИЯ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- Tc -- ТЕХНЕЦИЙ -- Re -- РЕНИЙ -- Ru -- РУТЕНИЙ -- Os -- ОСМИЙ -- ХИМИЯ Аннотация: Самосогласованным полнопотенциальным методом линейных muffin-tin орбиталей (ПП-ЛМТО) исследованы электронно-энергетический спектр и химическая связь в диборидах Tc, Re, Ru и Os с гексагональной (TcB2, ReB2) и ромбической (RuB2, Os2) структурами. Результаты соспоставлены с ПП-ЛМТО расчетами данных диборидов с гипотетической структурой типа AlB2. На основе полученных параметров зонного спектра, а также энергий когезии анализируются закономерности изменения химической стабильности диборидов в различных структурных модификациях и обсуждается роль межатомных взаимодействий в формировании структурных типов диборидов |
И 22 Ивановский, А. Л. Межатомные взаимодействия и электронная структура гексагональных диборидов магния, алюминия и кремния: неэмпирические ПП-ЛМТО расчеты [] = Interatomic Interactions and Electronic Structure of Hexagonal Magnesium, Aluminum, and Silicon Diborides: Ab initio Full-Potential LMTO Calculations / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева> // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 45, N 8. - С. 1355-1361. - Библиогр.: 27 назв. . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МАГНИЙ -- ДИБОРИД МАГНИЯ -- ДИБОРИД АЛЮМИНИЯ -- ДИБОРИД КРЕМНИЯ -- РАСЧЕТЫ НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- БОР -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- Mg -- Al -- Si -- B Аннотация: Первопринципным самосогласованным полнопотенциальным методом ЛМТО исследованы зонная структура и природа межатомных связей для D(1)6h - MgB2, AlB2, а также для гипотетического гексагонального диборида кремния. Сопоставлены электронные свойства данных фаз и изоструктурного диборида TiB2 |
Ш 39 Шеин, И. Р. Электронное строение и химическая связь в флюоритоподобных кристаллах CoSi2 и Rh2P [] = Electronic Structure and Chemical Bonding in Fluorite-Like CoSi2 and Rh2P Crystals / И. Р.; Институт химии твердого тела УрО РАН Шеин, А. Л. Ивановский> // Журнал неорганической химии. - 2003. - Т. 48, N 3. - 469-474: табл., граф. - Библиогр.: с. 473-474 (25 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ФЛЮОРИТОПОДОБНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- CoSi2 -- Rh2P -- КРИСТАЛЛЫ ФЛЮОРИТОПОДОБНЫЕ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТРУКТУРА ТИПА ФЛЮОРИТА Аннотация: Самосогласованным полнопотенциальным методом FLMTO изучены электронные свойства флюоритоподобных соединений CoSi2 и Rh2P. Установлено подобие структуры, состава верхних занятых энергетических зон и топологии поверхности Ферми этих кристаллов, что объясняет низкотемпературную сверхпроводимость для CoSi2 и Rh2P со сравнимыми значениями Tc. Проведены неэмпирические расчеты упругих свойств (объемного модуля B0 и упругих постоянных C11, C12 и C44). В терминах заселенностей перекрывания кристаллических орбиталей зонным методом сильной связи исследованы особенности межатомных взаимодействий в CoSi2 и Rh2P. Показано, что общая система связей в CoSi2 образована за счет ковалентных взаимодействий Si-Si и Si-Co. В Rh2P основными являются взаимодействия Rh-P, связи P-P и Rh-Rh пренебрежимо малы |
О-49 Окатов, С. В. Моделирование эффектов атомного упорядочения в многокомпонентных системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) [] = Simulation of atomic ordering in beta-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) multicomponent systems / С. В. Окатов, А. Л. Ивановский> // Известия АН. Сер. физическая . - 2003. - Т. 67, N 7. - 954-957: ил. - Библиогр.: с. 956-957 (9 назв.) . - ISSN 0367-6765 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- АТОМНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМНОЕ -- МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ -- Si3N4 -- O -- Be -- Mg -- Al -- КИСЛОРОД -- БЕРИЛЛИЙ -- МАГНИЙ -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СВЕРХСТРУКТУРА -- КВАНТОВЫЕ ОДНОМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ -- СОЛЕНОИДЫ -- ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ Аннотация: Методом FP-LMTO проведено моделирование эффектов атомного упорядочения и образования новых сверхструктур (в виде квазиодномерных "примесных каналов") в системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al). Обсуждаются возможности использования этих материалов для создания различных наноразмерных устройств: квантовых одномерных проводников, соленоидов и элементов памяти |
М 42 Медведева, Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C) Полный текст |