М 54 Метастабильные кубические твердые растворы TiSiN(C, O):синтез, экспериментальное и теоретическое исследование [] / М. В. Кузнецов, Е. В. Шалаева, С. В. Борисов, Н. И. Медведева, Б. В. Митрофанов, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин> // Журнал неорганической химии. - 1998. - Т. 43, N 2. - С. 217-228 . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСТВОРЫ МЕТАСТАБИЛЬНЫЕ -- МЕТАСТАБИЛЬНЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИНТЕЗ -- Ti -- Si -- N -- C -- O -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- КАРБОНИТРИД ТИТАНА -- ОКСИНИТРИД ТИТАНА -- КАРБОНИТРИД КРЕМНИЯ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ |
M 46 Medvedeva, N. I. The electronic structure of A2N2O, A = Si, C, Ge [] / N. I. Medvedeva, A. L. Ivanovskii, G. P. Shveikin> // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - 1999. - С. 2.21 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КЕРАМИКА -- Si -- КРЕМНИЙ -- Ge -- ГЕРМАНИЙ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- Si2N2O -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- C2N2O -- Ge2N2O -- ОКСИНИТРИД ГЕРМАНИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА МЕХАНИЧЕСКИЕ -- МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ТЕРМИЧЕСКИЕ -- ТЕРМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЛМТО МЕТОД -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ -- ТЕРМИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Электронная структура и химическая связь в гипотетическом сиалоне с орторомбической структурой оксинитрида кремния [] / Э. И. Юрьева, Г. П. Швейкин, А. Л. Ивановский> // Химия твердого тела: Структура, свойства и применение новых неорганических материалов: Сб. науч. тр. - 1998, Ч. 2. - С. 140-147. - Библиогр.: 20 назв. Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СИАЛОНЫ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- ОРТОРОМБИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ОРТОРОМБИЧЕСКАЯ |
Ш 34 Швейкин, Г. П. Квантовохимическое моделирование фундаментальных свойств новых керамических материалов на основе бета-Si3N4 [] / Г. П. Швейкин, О. Ю. Концевой> // Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Всерос. конф. (Сыктывкар, 4-7 сент. 1997 г.): Тез. докл. - 1997. - С. 62 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ -- КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МАТЕРИАЛЫ КЕРАМИЧЕСКИЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- БЕТА-СИАЛОНЫ -- БЕТА-СИБЕОНЫ -- Be -- БЕРИЛЛИЙ -- РАСЧЕТЫ НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- СИСТЕМЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ -- МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ОКСИНИТРИД ГЕРМАНИЯ -- ОКСИНИТРИД УГЛЕРОДА -- СПЕКТРЫ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- ПРОЧНОСТЬ -- ТЕРМОХИМИЯ -- Si -- Ge -- Al -- КРЕМНИЙ -- ГЕРМАНИЙ -- АЛЮМИНИЙ Аннотация: Представлены результаты неэмпирических расчетов фундаментальных электронных свойств многокомпонентных соединений в системах Si-N-(Al, Ge, C, O). Наряду с оксинитридами кремния, германия (составы Si2N2O, Ge2N2O) впервые рассмотрен изоструктурный гипотетический оксинитрид углерода "C2N2O", который, согласно эмпирической модели, может обладать необычными прочностными и термическими характеристиками. Получены данные по электронным состояниям и энергетическим спектрам бета-сиалонов и бета-сибеонов. Проведен теоретический прогноз свойств гипотетических фаз состава C5AlON7 и C5BeON7 |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Влияние структуры матрицы на электронное состояние примесного ванадия в широкозонных полупроводниках [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Химия, технология и применение ванадия: VIII всерос. конф. (г. Чусовой, 26-29 сент. 2000 г.): докл. - 2000. - С. 116-125: табл., граф. - 116-125: табл., граф. - Библиогр.: с. 120 (25 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА МАТРИЦЫ -- СОСТОЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СОСТОЯНИЕ -- ПРИМЕСИ -- ВАНАДИЙ -- V -- ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ШИРОКОЗОННЫЕ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ |