М 31 Маскаева, Л. Н. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения ZnxPb1-xS: синтез, структура, свойства [] = Films with Supersaturated ZnxPb1-xS Solid Solutions: Synthesis, Structure and Properties / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, А. И. Гусев // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2004. - N 2. - 100-109: ил. - Библиогр.: с. 108-109 (35 назв.) . - ISSN 0207-3528 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ -- ZnxPb1-xS -- Zn -- Pb -- ЦИНК -- СВИНЕЦ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ZnS-PbS -- СУЛЬФИД СВИНЦА -- СУЛЬФИД ЦИНКА -- СИНТЕЗ -- ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- ФАЗОВЫЙ СОСТАВ -- СОСТАВ фАЗОВЫЙ -- МОЧЕВИНА -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ Аннотация: Совместным гидрохимическим осаждением из цитратно-аммиачной смеси в интервале температур 353-363 K впервые получены пересыщенные твердые растворы замещения ZnxPb1-xS (0 < x < или = 0.024) с кубической структурой B1 (NaCl). Исследованы кристаллическая структура, химический и фазовый состав, морфология твердых растворов на основе сульфидов свинца и цинка. Показана возможность регулирования фазового состава пленок путем введения в реакционную смесь мочевины. Изучена температурная зависимость (215-335 K) электропроводности пленок ZnxPb1-xS. Представлены фотоэлектрические свойства пленок системы ZnS-PbS в зависимости от состава реакционной смеси |
С 66 Состав и морфология химически осажденных пленок Cu2Se — Ga2Se3 / Е. А. Федорова, Л. Н. Маскаева, С. С. Туленин, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, А. Ю. Чуфаров // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 4. - С. 489-495 : ил. - Библиогр.: с. 495 (20 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- СЕЛЕНИД МЕДИ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «Ga(NO3)3 — CuCl2 — Na2SeSO3» определены граничные условия образования селенидов меди Cu2Se и галлия Ga2Se3 и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением тонких пленок GaxCu1−xSeyO2−y на двух типах подложек. Проведены исследования их составов и морфологии Полный текст |
С 87 Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3 / В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Л. Н. Маскаева, М. В. Кузнецов // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (24 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ -- КРИСТАЛЛИТЫ Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода. |