Инвентарный номер: нет.
   
   К 92


    Купряжкин, А. Я.
    Взаимодействие гелия с ионами при его растворении в кристаллах фторида стронция [] = Interaction of Helium with Ions during Its Solution in Strontium Fluoride Crystals / А. Я. Купряжкин, М. В. Рыжков, А. Г. Дудоров // Журнал физической химии. - 1998. - Т. 72, N 11. - С. 2016-2020 . - ISSN 0044-4537
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕЛИЙ -- He -- ИОНЫ -- РАСТВОРЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- ФТОРИД СТРОНЦИЯ -- СТРОНЦИЙ -- Sr -- АНИОННЫЕ ВАКАНСИИ -- ВАКАНСИИ АНИОННЫЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ИОНЫ
Аннотация: Из исследований растворимости He в кристаллах SrF2 при температурах 715-1215 К получены энергии растворения He в примесных (-0,33+ or - 0.04 эВ) и "собственных" (0.66+ or - 0.04 эВ) анионных вакансиях, а также энергии взаимодействия He с ближайшим окружением катионов Sr (-0.4+ or - 0.1 эВ), указывающие на химический характер взаимодействия He-Sr(2+). С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения нескольких фрагментов кристаллической решетки SrF2 и примесных центров He в нескольких позициях. На основе развитой методики вычисления эффективных зарядов, как интегралов от электронной плотности, получена детальная картина распределения заряда в идеальных и дефектных системах SrF2:He. Найдено, что на He образуется отрицательный заряд -0.07е в междоузлии и 0.14е в анионной вакансии


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана [] = Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-457X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ ЛОКАЛЬНЫЕ -- ЛОКАЛЬНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- TiC -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПОДРЕШЕТКА МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ КОВАЛЕНТНЫЕ -- КОВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД
Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Новый метод вычисления эффективных зарядов на атомах в молекулах, кластерах и твердых телах [] = New method for calculations of effective charges on atoms in molecules, clusters and solids / М. В. Рыжков // Журнал структурной химии. - 1998. - Т. 39, N 6. - С. 1134-1140. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТИВНЫЕ ЗАРЯДЫ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЗАРЯДЫ ЭФФЕКТИВНЫЕ -- КЛАСТЕРЫ -- АТОМЫ -- АТОМНОЕ ЯДРО -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ
Аннотация: На основе одноэлектронного кластерного метода ДВ разработана процедура вычисления эффективных зарядов на атомах в произвольной многоатомной системе. Эффективные заряды вычисляются как трехмерные интегралы от электронной плотности по пространству вокруг атомных ядер в исследуемом объекте. Для отнесения зарядовой плотности в каждой пространственной точке к тому или иному центру предложена оригинальная процедура


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электронное строение и химическая связь в вюртцитоподобном монооксиде бериллия [] = The electron structure and chemical bonding in wurtzite-like berillium monoxide / Ю. Н. Макурин, А. А. Софронов, В. С. Кийко, Ю. В. Емельянов, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 3. - 557-560: ил. - Библиогр.: с. 560 (22 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- МОНООКСИД БЕРИЛЛИЯ -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- КЕРАМИКА -- ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- BeO -- КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- РАСЧЕТЫ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ -- МЕТОД ЛМТО -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование электронной структуры и химических связей в соединении Ti8C12 [] = Electronic Structure and Chemical Bonds in the Ti8C12 Compound / А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин, М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 1999. - Т. 25, N 8. - С. 597-603. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- МЕТАЛЛЫ -- СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- КЛАСТЕРЫ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД -- НАНОСТРУКТУРА
Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения кластера Ti8C12 в двух различных структурах и с различной координацией атомов металла. Рассмотрена взаимосвязь между пространственным расположением центров Ti и C и электронным энергетическим спектром, магнитными моментами на атомах, распределением электронной плотности и химическими связями в этих системах. Установлено, что в данных кластерах С-С-взаимодействие оказывается сильнее, чем связь Ti-C


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Квантовохимическое описание локальных электронных состояний в кристаллах. Карбид и нитрид титана [] = Quantum chemical description of local electron states in crystals. Titanium carbide and nitride / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 1999. - Т. 40, N 4. - С. 630-638. - Библиогр.: 42 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ КВАНТОВАЯ -- КВАНТОВАЯ ХИМИЯ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- НИТРИД ТИТАНА -- РАСЧЕТЫ -- КЛАСТЕРЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ
Аннотация: С использованием кластерного метода ДВ выполнены расчеты электронного строения 63- и 219-атомных кластеров в TiC и TiN. Рассмотрены новые возможности моделирования граничных условий кластера в кристалле. Для расчета эффективных зарядов на атомах применена новая методика интегрирования электронной плотности по пространству между ядрами


Инвентарный номер: нет.
   
   И 22


    Ивановский, А. Л.
    Взаимодействие меткара Ti8C12 с галогенсодержащими аддендами [] = Reaction of Metcar Ti8C12 with Halogen-Containing Addends / А. Л. Ивановский, А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин // Координационная химия. - 2001. - Т. 27, N 1. - 25-33: табл., граф. - Библиогр.: с. 32-33 (31 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТАЛЛОКАРБОЭДРЕНЫ -- МЕТКАРЫ -- Ti8C12 -- ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АДДЕНДЫ -- АДДЕНДЫ ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- НАНОКЛАСТЕРЫ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ФУЛЛЕРЕНЫ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- СПЕКТРЫ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
Аннотация: Неэмпирическим методом функционала электронной плотности в схеме дискретного варьирования проведены самосогласованные расчеты электронной энергетической структуры аддуктов реакции металлокарбоэдрена Ti8C12 с хлорсодержащими аддендами - молекулами Cl2 и CHCl3 : Ti8C12Cl2 и Ti8C12(CHCl3), для которых проанализированы особенности электронных состояний, зарядовых распределений и химическая связь. Результаты сопоставлены с расчетом комплекса Ti8C12Cl, моделирующего стадию деструкции аддендов. На основе полученных данных обсуждаются общие условия взаимодействия галогенсодержащих аддендов с меткарами в молекулярном и кристаллическом состояниях


Инвентарный номер: нет.
   
   С 68


    Софронов, А. А.
    Электронная структура и условия химической стабилизации фуллерена C28. Гетерофуллерены C24B4 и C24N4 [] = Electronic Structure and Conditions for the Chemical Stabilization of Fullerene C28. Heterofullerenes C24B4 and C24N4 / А. А. Софронов, Ю. Н. Макурин, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2000. - Т. 26, N 6. - С. 431-438. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТАБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- ХИМИЧЕСКАЯ СТАБИЛИЗАЦИЯ -- ФУЛЛЕРЕНЫ -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ВАРЬИРОВАНИЕ ДИСКРЕТНОЕ -- ДИСКРЕТНОЕ ВАРЬИРОВАНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- АЗОТ -- N -- C -- УГЛЕРОД
Аннотация: Неэмпирическим методом функционала электронной плотности в схеме дискретного варьирования проведены самосогласованные расчеты электронной структуры фуллерена C28 и его производных - гетерофуллеренов C24B4 и C24N4, возникающих при частичном замещении атомов углерода в структуре фуллерена на донорные(N) или акцепторные(B) атомы. Обсуждается сравнительная химическая стабильность, особенности электронных состояний и зарядовых распределений, а также природа химических связей в ряду C24B4-C28-C24N4. Установлено, что условиям наибольшей химической устойчивости соответствует гетерофуллерен C24B4


Инвентарный номер: нет.
   
   Ж 86


    Жуков, В. П.
    Возможности вычислительных методов в теории химической связи в твердом теле [] / В. П. Жуков // Журнал структурной химии. - 1997. - Т. 38, N 3. - С. 554-583 . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОДЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ -- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ МЕТОДЫ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ТЕОРИЯ ХЮККЕЛЯ -- ХЮККЕЛЯ ТЕОРИЯ -- МЕТОД ХАРТРИ-ФОКА -- ХАРТРИ-ФОКА МЕТОД -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ХИМИЯ КВАНТОВАЯ -- КВАНТОВАЯ ХИМИЯ -- СОЕДИНЕНИЯ ТУГОПЛАВКИЕ -- ТУГОПЛАВКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СЛОИСТЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СОЕДИНЕНИЯ СЛОИСТЫЕ
Аннотация: Дан обзор основанных на теории Хюккеля, методе Хартри-Фока и методах теории функционала электронной плотности наиболее часто применяемых средств анализа пространственно-энергетических характеристик химической связи в твердом теле. Рассмотрены методы вычислений полной энергии и определяемых ею характеристик (энергии сцепления, энергии образования, парциальных давлений и т.д.), моментов плотностей состояний, заселенностей связей и парных потенциалов электронной плотности и функции локализации. Приведены примеры использования расчетов характеристик химической связи преимущественно из области квантовой химии тугоплавких и слоистых соединений


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электронное строение и локальные характеристики межатомных взаимодействий в кристаллических модификациях сульфида и селенида кадмия [] = Electronic Structure and Local Characteristics of Interatomic Interactions in Cadmium Sulfide and Selenide Polymorphs / Г. Г. Дивинская, Ю. Н. Макурин, А. А. Софронов, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 10. - 1632-1637: табл., граф. - Библиогр.: с. 1637 (8 назв.) . - ISSN 0044-457X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СУЛЬФИД КАДМИЯ -- СЕЛЕНИД КАДМИЯ -- CdS -- CdSe -- СТРУКТУРА ТИПА ВЮРТЦИТА -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СТРУКТУРА ТИПА КАМЕННОЙ СОЛИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТОД ЛМТО -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЗОННЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ЗОННЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИД КАДМИЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ
Аннотация: В приближении функционала электронной плотности самосогласованными кластерным методом дискретного варьирования и зонным методом ЛМТО-сильной связи изучено электронное строение CdS и CdSe со структурами вюртцита, сфалерита и каменной соли. Проанализированы изменения локальных межатомных взаимодействий в халькогенидах кадмия в зависимости от типа их кристаллической структуры и состава неметаллической подрешетки


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Релятивистский расчет электронного строения кластера U63O216 [] / М. В. Рыжков // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 184
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЛЯТИВИСТСКИЕ РАСЧЕТЫ -- РАСЧЕТЫ РЕЛЯТИВИСТСКИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- КЛАСТЕРЫ -- U63O216 -- ДИОКСИД УРАНА -- КВАНТОВАЯ ХИМИЯ -- ХИМИЯ КВАНТОВАЯ -- СТРУКТУРА ТИПА ФЛЮОРИТА -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ


Инвентарный номер: нет.
   
   И 22


    Ивановская, В. В.
    Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки [] / В. В.; Институт химии твердого тела УрО РАН Ивановская, Г. Зейферт, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, N 9. - 1093-1100: ил. - Библиогр.: с. 1099-1100 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- НАНОСТРУКТУРА -- ДИСУЛЬФИД ТИТАНА -- МОНОСЛОИ -- НАНОЛЕНТЫ -- НАНОТРУБКИ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЙ ЗОННЫЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Предложены атомные модели квазиодномерных (1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной (2D, молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T<->2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе 1T кристаллического TiS2, в 2D, 1D наноструктурах сохраняется. В отличие от 3D TiS2, все стабильные 2D и 1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктур TiS2 в зависимости от их типа и атомного строения

Полный текст

Инвентарный номер: нет.
   
   К 90


    Кулькова, С. Е.
    Электронная структура альфа-Al2O3 в объеме и на поверхности [] / С. Е. Кулькова, Л. Ю. Загорская, И. Р. Шеин // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2005. - Т. 48, N 11. - 20-25: ил. - Библиогр.: с. 25 (29 назв.) . - ISSN 0021-3411
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МЕТОД ПРИСОЕДИНЕННЫХ ПЛОСКИХ ВОЛН -- АЛЬФА-Al2O3 -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- РАСЧЕТЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн рассчитана электронная структура альфа-Al2O3 в структуре корунда в объеме и на поверхности (0001). Используется также псевдопотенциальный подход и несколько приближений для обменно-корреляционного потенциала. Показано, что расчеты воспроизводят структурные свойства в согласии с экспериментом. Обсуждается влияние релаксации поверхности на структуру поверхностных состояний


Инвентарный номер: нет.
   
   I-55


   
    Imogolite Nanotubes: Stability,Electronic, and MechanicalProperties1-3 [Text] / L. Gulmaraes, A. N. Enyashin, J. Frenzel, Th. Heine, H. A. Duarte, G. Seifert // ACS Nano. - 2007. - Vol.1, № 4. - P.362-368 : il. - Bibliogr. : p. 367-368 (38 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: The aluminosilicate mineral imogolite is composed of single-walled nanotubes with stoichiometry of (HO)3Al2O3SiOH and occurs naturally in soils of volcanic origin. In the present work we study the stability and the electronic and mechanical properties of zigzag and armchair imogolite nanotubes using the density-functional tight-binding method. The (12,0) imogolite tube has the highest stability of all tubes studied here. Uniquely for nanotubes, imogolite has a minimum in the strain energy for the optimum structure. This is in agreement with experimental data, as shown by comparison with the simulated X-ray diffraction spectrum. An analysis of the electronic densities of states shows that all imogolite tubes, independent on their chirality and size, are insulators

Полный текст

Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Результаты квантово-химических X alfa-ДВМ расчетов электронной плотности на ядрах высоковалентного железа / Э. И. Юрьева, Ю. Д. Перфильев // Мессбауэровская спектроскопия и ее применения : XI Международная конференция, 1-5 июня 2009 г. : тез. докл. - Екатеринбург, 2009. - С. 122
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЖЕЛЕЗО ВЫСОКОВАЛЕНТНОЕ -- X-АЛЬФА МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ