Инвентарный номер: нет.
   
   C 94


   
    Cubic solid solution TixSiyNz(O) films: Synthesis, structure and electronic properties [] / M. V. Kuznetsov, E. V. Shalaeva, S. V. Borisov, B. V. Mitrofanov, A. L. Ivanovsky, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications. - 1995. - N 3. - С. 94-96 . - ISSN 0959-9436
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- TiSiN(O) -- Ti -- ТИТАН -- Si -- КРЕМНИЙ -- ДУГОВОЙ МЕТОД -- МЕТОД ДУГОВОЙ
Аннотация: Поликристаллические монофазные пленки твердых растворов TixSiyNz(O) со структурой В1 получены дуговым методом (состав мишени Ti0.7Si0.3, температура подложки 470 К, давление N 2 от 6 * 10(-2) до 1 * 10(-1) Па). Параметры решетки полученных кубических фаз изменяются в зависимости от состава от 4,21 до 4,30 А


Инвентарный номер: нет.
   
   К 27


    Карташов, В. В.
    Горячепрессованные подложки и тигли из Y2BaCuO5 (зеленой фазы) получение и свойства [] / В. В. Карташов, А. А. Попов, А. А. Фотиев // Исследование физико-химических свойств ВТСП: Информ. материалы. - 1991. - С. 96-100
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДЛОЖКИ ГОРЯЧЕПРЕССОВАННЫЕ -- ГОРЯЧЕПРЕССОВАННЫЕ ПОДЛОЖКИ -- ТИГЛИ -- Y -- ИТТРИЙ -- Ba -- БАРИЙ -- Cu -- МЕДЬ -- ОКСИДЫ -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ВТСП-КЕРАМИКА


Инвентарный номер: нет.
   
   В 93


   
    Высокотемпературная совместимость сплавов систем Al-РЗМ с карбидом титана [] = High-Temperature Compatibility of Al-Rare-Earth Alloys with Titanium Carbide / В. И. Кононенко, Г. П. Швейкин, В. Г. Шевченко, В. Н. Галактионов, В. В. Торокин, С. В. Голубев, А. В. Рябина, А. В. Конюкова // Неорганические материалы. - 2001. - Т. 37, N 7. - С. 806-811: граф. - Библиогр.: с. 811 (19 назв.) . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СОВМЕСТИМОСТЬ -- СОВМЕСТИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- СПЛАВЫ -- СИСТЕМЫ ДВОЙНЫЕ -- ДВОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- Al-РЗМ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- Ti -- TiC -- ТИТАН -- КАРБИД ТИТАНА -- СПЛАВЫ -- КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ -- МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ -- ГРАНИЦЫ МЕЖФАЗНЫЕ -- АДГЕЗИЯ СПЛАВОВ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ -- Al-Y -- Al-Nd -- Y -- Nd -- ИТТРИЙ -- НЕОДИМ -- ВИСКОЗИМЕТРИЯ -- АДСОРБЦИЯ
Аннотация: Исследовано смачивание карбида титана расплавами алюминия с РЗМ. Проанализированы наблюдаемые корреляции между физико-химическими свойствами сплавов алюминия с РЗМ, краевыми углами и химическим сродством компонентов подложки и сплава к углероду и кислороду. Приведены данные о концентрационной зависимости свойств, результаты вискозиметрических исследований сплавов систем Al-Y, Al-Nd с высоким содержанием алюминия. Изучены структура расплавов, особенности адсорбции компонентов на границе с газом и твердым телом, протяженность межфазных границ и их состав (по данным рентгеновского микроанализа и оже-электронной спектроскопии). Введение в алюминий РЗМ позволяет достичь максимальной адгезии сплавов к TiC при температурах на 100-200 К ниже, чем в случае алюминия без добавок


Инвентарный номер: нет.
   
   К 78


    Красильников, В. Н.
    Получение пленок LaCu1-xNixO2.5+дельта с высокотемпературным резистивным переходом металл-полупроводник [] = Preparation of Thick LaCu1-xNiyO2.5+delta Films Exhibiting a High-Temperature Metal Semiconductor Transition / В. Н. Красильников, Г. В. Базуев // Неорганические материалы. - 2002. - Т. 38, N 10. - С. 1242-1247: граф. - Библиогр.: с. 1247 (12 назв.) . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ РЕЗИСТИВНЫЕ -- МЕТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ПОКРЫТИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ -- ТЕРМООБРАБОТКА -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- ОКСИД МЕДИ -- ОКСОКУПРАТЫ -- ОКСИД МАГНИЯ -- СУЛЬФАТ БАРИЯ -- КЕРАМИКА -- MgO -- CuO -- BaSO4
Аннотация: Изучены условия формирования толстопленочных покрытий LaCu1-xNixO2.5+дельта на различных подложках. Рассмотрено влияние параметров термообработки, типа подложки и жидкостногоорганического связующего на состав, структуру и свойства наносимого материала. Получены однофазные покрытия на подложках из MgO, ZrO2, BaSO4 и Ni толщиной от 50 до 200 мкм, сохранившие важнейшие свойства массивных образцов состава LaCu1-xNixO2.5+дельта и характеризующиеся резистивным переходом типа металл-полупроводник при температуре приблизительно 500 C


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 71


   
    Эпитаксиальные подложки из сплавов никеля с острой кубической текстурой для ленточных высокотемпературных сверхпроводников [] = Strong Cube Textured Nickel-Based Substrates for High-Temperature Superconductor Tapes / В. М. Счастливцев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 395, N 3. - 339-342: ил. - Библиогр.: с. 342 (11 назв.) . - ISSN 0869-5652
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПОДЛОЖКИ -- ПОДЛОЖКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ -- Ni -- НИКЕЛЬ -- СПЛАВЫ НИКЕЛЯ -- ЛЕНТОЧНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ЛЕНТОЧНЫЕ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ОСТРАЯ КУБИЧЕСКАЯ ТЕКСТУРА -- ДОБАВКИ ЛЕГИРУЮЩИЕ -- ЛЕГИРУЮЩИЕ ДОБАВКИ -- ВТСП-ПЛЕНКИ


Инвентарный номер: нет.
   
   К 78


    Красильников, В. Н.
    Толстопленочные покрытия B-содержащих ВТСП на керамических подложках [] / В. Н. Красильников, Н. А. Кирсанов, Г. В. Базуев // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - 1990. - Т. 1. - С. 146
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ТОЛСТЫЕ ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ ТОЛСТЫЕ -- ПОКРЫТИЯ БОРСОДЕРЖАЩИЕ -- БОРСОДЕРЖАЩИЕ ПОКРЫТИЯ -- ВТСП -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ -- ПОДЛОЖКИ КЕРАМИЧЕСКИЕ


Инвентарный номер: нет.
   
   К 27


    Карташов, В. В.
    Горячепрессованные подложки и тигли из Y2BaCuO5 (зеленой фазы): получение и свойства [] / В. В. Карташов, А. А. Попов, А. А. Фотиев // Исследование физико-химических свойств ВТСП: Информ. материалы. - 1991. - С. 96-100
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ГОРЯЧЕЕ ПРЕССОВАНИЕ -- ПРЕССОВАНИЕ ГОРЯЧЕЕ -- ПОДЛОЖКИ -- ТИГЛИ -- Y2BaCuO5 -- ВТСП -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   А 32


   
    Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001) [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев, А. В. Постников, И. Р. Шеин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680 : рис., табл. - Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.) . - ISSN 0044-4510
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АДСОРБЦИЯ ЦЕЗИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ, ЦЕЗИЙ, Cs -- ГИБРИДИЗАЦИЯ
Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях


Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 45


    Фетисов, А. В.
    Анализ электронных состояний оксидного слоя на поверхности ультрадисперсной меди методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии = XPS Analysis of Electronic States in Oxide Layer on Ultradisperse Copper Surface / А. В. Фетисов, М. В. Кузнецов // Журнал прикладной спектроскопии. - 2009. - Т. 76, № 4. - С. 552-556 : табл., граф. - Библиогр.: с. 556 (6 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕДЬ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ -- ОКСИД МЕДИ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) проведены исследования электронных состояний оксида меди, покрывающего тонким (2.0 ± 0.5 нм) слоем частицы ультрадисперсной меди. Показано, что уменьшение толщины CuO-пленки приводит к экстремальному поведению параметров РФЭС-спектра в отличие от их монотонных изменений для CuO-наночастиц. Подобное поведение спектральных параметров объяснено конкурирующим влиянием на изучаемую систему двух факторов: размера и электростатического поля материала подложки


Инвентарный номер: нет.
   
   С 87


   
    Структура буферных слоев CeO2 и LaNiO3, полученных методом импульсного лазерного осаждения на текстурованных подложках Ni–Cr–W / А. П. Носов [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2013. - Т. 114, № 10. - С. 919-925 : ил. - Библиогр.: с. 924-925 (9 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПЛЕНКИ -- БУФЕРНЫЕ СЛОИ -- МЕТОД ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования структуры, состава и топографии поверхности буферных слоев CeO2, LaNiO3, CeO2 + LaNiO3 на немагнитных текстурованных подложках NiCr9.2W2.4 с кубической текстурой, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Подложки с буферным слоем такого состава могут представлять интерес для последующего роста тонких пленок и гетероструктур широкого класса оксидных соединений, включая сверхпроводники состава YBa2Cu3O7 – δ (123)

Полный текст

Инвентарный номер: нет.
   
   П 58


    Попов, Н. А.
    Исследование влияния состава двойных сплавов aL–рзм на взаимодействие их поверхности с водой методами эллипсометрии и ик-спектроскопии / Н. А. Попов, Л. А. Акашев, В. А. Кочедыков // Журнал физической химии. - 2013. - Т. 87, № 11. - С. 1932-1935. - Библиогр.: с. 1935 (9 назв) . - ISSN 0044-4537
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ ПРОПУСКАНИЯ -- СПЛАВЫ АЛЮМИНИЙ – РЗМ
Аннотация: Исследовано влияние состава двойных сплавов Al–РЗМ на кинетику окисления их поверхности водой методами эллипсометрии и ИК-спектроскопии. Получены интерметаллиды с 21 ат. % редкоземельного металла в алюминии, а также сплавы эвтектического состава (Al – 2 ат. % РЗМ) в массивном и дисперсном состоянии подвергали окислению дистиллированной водой при температуре 100С. Показано, что кинетические зависимости толщин пленок, образовавшихся на поликристаллических образцах сплавов, а также ИК-спектры пропускания для дисперсных образцов свидетельствуют о снижении реакционной способности алюминия в данных условиях при увеличении количества легирующего РЗМ в алюминии. Установлено, что экспериментальные эллипсометрические результаты описываются двухслойной моделью, состоящей из подложки, внутреннего оксидного слоя и внешнего слоя гидроксида.


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 39


   
    Рентгеновские фотоэлектронные спектры и состав пленок YBa2Cu3O7−δ, полученных методом лазерной абляции / А. Л. Блинова, М. В. Кузнецов, В. Р. Галахов, С. В. Сударева, Т. П. Криницина, Е. И. Кузнецова, М. В. Дегтярев, О. В. Снигирев, Н. В. Порохов // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, № 4. - С. 634-640 : ил. - Библиогр.: с. 640 (23 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕНТГЕНОВСКИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ПЛЕНКИ -- МЕТОД ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ
Аннотация: Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры Y3d, Ba3d5/2, Cu2p3/2, O1s толстых (600 nm) сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7−δ , нанесенных на текстурированные подложки Ni−W с буферными слоями Y2O3 + ZrO2, CeO2. Установлено, что после механического удаления поверхностных слоев алмазным скребком (по мере приближения анализируемой области пленки к интерфейсу) уменьшается количество кислорода, в связи с чем уменьшается доля ортофазы, возрастают доли тетрафазы и ионов Cu+. Причиной этого являются упругие напряжения в сверхпроводящей пленке, которые вызваны несоответствием решеток фаз, составляющих композиционный образец. Эти напряжения препятствуют диффузии кислорода во время окислительного отжига. В спектрах сверхпроводящей пленки не обнаружены сигналы от элементов подложки и буферных слоев

Полный текст