Инвентарный номер: нет.
   
   И 26


    Игнатьева, Н. И.
    Получение сверхпроводника EuBa2Cu3Oy нетрадиционным способом [] / Н. И. Игнатьева, В. Г. Бамбуров // Оксиды: Физико-химические свойства и технология: Тр. Всерос. науч.-практ. конф., 27-31 янв. 1998 г. - 1998. - С. 114-118. - Библиогр.: 2 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЕРХПРОВОДНИКИ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ТВЕРДОФАЗНОЕ -- ТВЕРДОФАЗНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ОКСИДЫ -- СИНТЕЗ ВТСП -- ФАЗЫ ОКСИДНЫЕ -- ОКСИДНЫЕ ФАЗЫ -- МАТЕРИАЛЫ МАГНИТНЫЕ -- МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- Eu -- ЕВРОПИЙ -- Ba -- БАРИЙ -- Cu -- МЕДЬ


Инвентарный номер: нет.
   
   С 38


   
    Синтез и фотокаталитические характеристики высокодисперсного оксида цинка, допированного железом [] / В. Н. Красильников, О. И. Гырдасова, Л. Ю. Булдакова, М. Ю. Янченко, В. Г. Бамбуров // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 437, № 4. - С. 496-498 : рис., табл. - Библиогр.: с. 498 (15 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОКСИД ЦИНКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- КАТАЛИЗАТОРЫ -- ОКИСЛЕНИЕ -- КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ ОКСИДЫ


Инвентарный номер: нет.
   
   T 44


   
    The Production and Structure of Submicrometer Eu0.75Fe0.25O Films on InSb, Si, and GaAs Substrates / A. S. Borukhovich, A. I. Galyas, O. F. Demidenko, V. Dyakonov, V. A. Ketsko, N. I. Ignat’eva, N. N. Novitskii, A. I. Stognij, H. Szymczak, K. I. Yanushkevich // Inorganic Materials. - 2009. - Vol. 45, № 3. - P. 254-257 : il. - Bibliogr. : p. 256-257 (12 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ФЕРРОМАГНЕТИКИ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ
Аннотация: The conditions for fabrication and the crystal structure of the up-to-350-nm-thick Eu0.75Fe0.25O layers formed on InSb, Si, and GaAs substrates are studied. For the first time, 100–200 nm films with morphological surface inhomogeneities not exceeding 10 nm in size are produced by flash evaporation of targets close in composition to Eu0.75Fe0.25O onto InSb(001) substrates. The films exhibit ferromagnetic properties in combination with semiconductor properties at room temperatures

Полный текст