Ш 18 Шалаева, Е. В. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция. Возможности структурного анализа поверхности [] = X-Ray photoelectron diffraction. Surface structure analysis ability : обзор / Е. В. Шалаева, М. В. Кузнецов // Журнал структурной химии. - 2003. - Т. 44, N 3. - 518-552: табл., граф. - Библиогр.: с. 548-552 (241 назв.) . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИФРАКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ -- ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ -- ПОВЕРХНОСТИ -- СПЕКТРОСКОПИЯ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ -- РФД -- СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ -- АНАЛИЗ СТРУКТУРНЫЙ -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА -- РАССЕЯНИЕ ПЛОСКИХ ВОЛН -- РАССЕЯНИЕ СФЕРИЧЕСКИХ ВОЛН -- ФОТОЭЛЕКТРОНЫ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ -- ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- АДСОРБЦИЯ Аннотация: Проведено систематическое изложение современного состояния метода рентгеновской фотоэлектронной дифракции (РФД) и его приложений в химии поверхности твердых тел. Даны основы метода и рассмотрен ряд подходов его описания: в приближении однократного рассеяния плоских и сферических волн, многократного рассеяния сферических волн, прямого рассеяния и рассеяния s-фотоэлектронов. Отмечена роль начального и конечных состояний фотоэлектронной волны, описаны варианты РФД со сканированием по углам и энергии, приведен математический аппарат фотоэлектронной голографии. Рассмотрены особенности использования фотоэлектронной дифракции при изучении поверхностей монокристаллов, эпитаксиальных слоев и адсорбционных систем металл-газ с локализацией адсорбата на поверхности и в приповерхностных слоях. Обсуждается накопленный экспериментальный материал, дается оценка теоретическим расчетам фотоэлектронной дифракции в приближениях однократного и многократного рассеяния ... |
Ш 18 Шалаева, Е. В. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция на поверхности (110)Nb [] = X-ray Photoelectron Diffraction by Nb(110) Surface / Е. В. Шалаева, М. В. Кузнецов // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т. 96, N 5. - 79-86: ил. - Библиогр.: с. 86 (30 назв.) . - ISSN 0015-3230 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА -- ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ -- ПРЕВРАЩЕНИЯ ФАЗОВЫЕ -- ДИФФУЗИЯ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ -- Nb -- НИОБИЙ -- ПОВЕРХНОСТИ -- ЭНЕРГИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- СЛОИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования рентгеновской фотоэлектронной дифракции чистой грани ниобия (110)Nb и эпитаксиальных слоев Nb(Ta)/(110)Nb. Дифракционная 2пи-картина поверхности (110)Nb получена в излучении Nb3d-фотоэлектронов (E кин. ~ 1050 эВ) и обсуждается в рамках моделей однократного (SSC-SW) и многократного (MSC-SW) рассеяния фотоэлектронов. Продемонстрированы ограничения подхода однократного рассеяния при описании угловых РФД-зависимостей грани (110)Nb. Показано, что поверхность (110) ниобия хорошо описывается MSC-SW-моделью шестислойного кластера с ОЦК-структурой, рассчитаны параметры многократного рассеяния, определяющие экспериментальный эффект ослабления интенсивности фотоэмиссии (эффект "дефокусировки") для плотноупакованных направлений [100] и [111]. Осаждение тантала на (110)Nb при T ~ 2300 K приводит к формированию эпитаксиального слоя (110) неупорядоченного ОЦК-твердого раствора Nb(Ta) |
К 89 Кузнецов, М. В. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция и фотоэлектронная голография как методы исследования локальной атомной структуры поверхности твердых тел / М. В. Кузнецов, И. И. Огородников, А. С. Ворох // Успехи химии. - 2014. - Т. 83, № 1. - С. 13-37 : ил. - Библиогр.: с. 35-37 (122 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ -- ГОЛОГРАФИЯ -- НАНОСТРУКТУРА Аннотация: Рассмотрены теоретические и экспериментальные аспекты рентгеновской фотоэлектронной дифракции и фотоэлектронной голографии — динамично развивающихся методов, ориентированных на изучение атомной структуры поверхности твердых тел, в том числе наноструктур, которые формируются на поверхности в ходе адсорбции газов, эпитаксиального роста пленок и т.д. Показано, что глубина анализа этими методами составляет единицы нанометров; это позволяет характеризовать позиции атомов, расположенных как на поверхности, так и под ней. Отмечена чувствительность методов к сорту исследуемых атомов, а в случае высокого энергетического разрешения — к выделенным химическим формам изучаемых элементов. Проанализирован и обобщен накопленный экспериментальный материал по применению рассматриваемых методов к исследованию различных поверхностных структур |