539.2 Б 83 Борухович, А. С. Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники [] / А. С. Борухович. - Екатеринбург : Изд-во УрО РАН, 2004. - 176 с. - Библиогр.: в конце гл. - Б. ц. РУБ 539.2 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭЛЕКТРОНИКА СПИНОВАЯ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НЕМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ НЕМАГНИТНЫЕ -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- СПЕКТРОСКОПИЯ Аннотация: Излагаются теоретические предпосылки и физические принципы работы сверхпроводящих и полупроводниковых устройств спиновой электроники, выполненных на элементной базе гетероструктур и мультислоев сверхпроводник/ферромагнитный полупроводник (ФП), ФП/немагнитный полупроводник (П), ферромагнитный металл (ФМ)/П. Даны фундаментальные электронные и магнитные характеристики этих материалов, способы их получения в компактном, монокристаллическом и пленочном состояниях. Приводятся способы создания и результаты изучения физических параметров сверхпроводящих туннельных переходов Джозефсона с барьером, выполненным из ФП, а также контактов ФП/П, в которых осуществлены спиновой токоперенос и инжекция спинов носителей определенной ориентации в полупроводник. Показаны новые физические возможности подобных структур как для спиновой криоэлектроники, так и субмиллиметровой спектроскопии твердого тела и устройств спиновой информатики, а также для создания твердотельного лазера миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов |
Б 83 Борухович, А. С. Материалы и структуры полупроводниковой спиновой электроники [Текст] = Materials and structures of semiconductor spin electronics / А. С. Борухович> // Перспективные материалы. - 2006. - № 4. - С. 23-31 : рис., табл. - Библиогр.: с. 31 (21 назв.) . - ISSN 1028-978Х Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК / ПОЛУПРОВОДНИК -- СПИНОВОЙ ТОКОПЕРЕНОС Аннотация: Исследованы структуры спиновой электроники - контакты ферромагнитный полупроводник/полупроводник. Показаны новые физические возможности полупроводниковой спиновой электроники. Сформулированы отличительные физические признаки спиновой электроники, выделяющей ее на фоне ныне существующей электроники только зарядового токопереноса. Названы основные физические требования для осуществления устойчивого спинового токопереноса в таких контактах. Перечислены материалы, на базе которых уже созданы подобные структуры, в том числе, для осуществления спинового токопереноса при повышенных температурах |
Б 22 Бамбуров, В. Г. Спиновый транзистор в контакте EuO:Fe/GaAs [] / В. Г. Бамбуров, А. С. Борухович, Н. И. Игнатьева> // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 437, № 2. - С. 173-177 : рис., табл. - Библиогр.: с. 176-177 (15 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НЕМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- НИЗКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ |