Поисковый запрос: (<.>K=ИОНЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 67
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Электрохимическое поведение галогенидно-оксидных криолит-молибден(вольфрам)содержащих расплавов и электроосаждение из них молибденовых (вольфрамовых) покрытий/В. В. Малышев [и др.] // Расплавы, 2000,N N 1.-С.62-68
|
2.
| Электрогидродинамическая эмиссия ионов обоих знаков из расплавов галогенидов щелочных металлов/Н. В. Алякринская [et al.] // Журнал технической физики, 1992. т.Т. 62,N N 8.-С.164-171
|
3.
| Чергинец В. Л. Диссоциация карбонат-ионов в расплавах хлоридов щелочных металлов/В. Л. Чергинец, Т. П. Реброва // Журнал физической химии, 2002. т.Т. 76,N N 1.-С.134-136: ил.
|
4.
| Хохряков А. А. Электронные спектры оксофторидных комплексов ванадия (V, IV, III) в галогенидных расплавах/А. А. Хохряков, А. С. Пайвин, С. И. Норицын // Расплавы, 2013. т.№ 2.-С.35-41.
|
5.
| Хохряков А. А. Определение валентных форм урана в полимолибдатных и поливольфраматных расплавах методом отражательно-абсорбционной электронной спектроскопии/А. А. Хохряков, А. М. Хохлова // Журнал неорганической химии, 2000. т.Т. 45,N N 7.-С.1218-1220: граф.
|
6.
| Хохряков А. А. ИК-спектры излучения оксигидрильных группировок в расплавах MCl (M = Na, K, Cs) и смеси UO2Cl2 C CsCl/А. А. Хохряков, А. М. Хохлова // Журнал неорганической химии, 2000. т.Т. 45,N N 5.-С.767-770
|
7.
| Формирование структурно упорядоченных KBaBiO-оксидов при электролизе расплава системы KOH-Ba(OH)2-Bi2O3/Л. А. Клинкова [и др.] // Журнал неорганической химии, 2002. т.Т. 47,N N 6.-С.853 - 870.: ил.
|
8.
| Ткачев Н. К. Ограниченная растворимость солевых расплавов и различия в размерах ионов/Н. К. Ткачев // Расплавы, 1999,N N 5.-С.90-94
|
9.
| Ткачев Н. К. Модель раствора, содержащего вырожденные ионы/Н. К. Ткачев, А. Я. Фишман, К. Ю. Шуняев // Расплавы, 2000,N N 1.-С.49-54
|
10.
| Термодинамические свойства расплавов K2O-SiO2/А. И. Зайцев [и др.] // Журнал физической химии, 2000. т.Т. 74,N N 6.-С.1021-1028: ил.
|
|
|