Поисковый запрос: (<.>K=ОСАЖДЕНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Механизм и кинетика растворения и осаждения родия при электролизе расплава карбид-NH4Cl/А. В. Савчук [и др.] // Украинский химический журнал, 2008. т.Т. 74,N № 3-4.-С.31-33
|
2.
| Matsuda T. Осцилляционноек поведение в реакции электрохимического осаждения тонких пленок поликристалличекого кремния путем восстановления четыреххлористого кремния в расплавленном солевом электролите/T. Matsuda, Ide K. Nakamura S. // Chem. Lett, 1996. т.7, 569-570
|
3.
| Бородина Н.П. Влияние ионов алюминия на процесс осаждения диоксида урана из расплава NaCl-KCl/Н. П. Бородина, В. Е. Комаров // Укр. електрохим. з'изд, 1: Мижнар. симп. з теоретич. та експерим. електрохимии, присвячений 65-риччю вид дня нарождення акад. НАН Украини О.В.Городиського, Киив (Пуща-Водиця), 15-17 травня, 1995, 1995. т.20
|
4.
| Шардаков Н. Т. Кинетика нанесения Cu и Ag на Ti в ионных расплавах/Н. Т. Шардаков, Г. Н. Шардакова // Физика и химия обработки материалов, 2014. т.№ 2.-С.83-87.
|
5.
| Моденов Д. В. Синтез наноразмерных частиц кобальтата лития в галогенидных расплавах и их выделение в виде тонких пленок на металлических поверхностях/Д. В. Моденов, В. Н. Докутович, В. А. Хохлов // Нанотехнологии. Наука и производство, 2011. т.№ 2.-С.11-13.
|
6.
| Афоничкин В. К. Влияние катионного состава расплавов М2WO4М2W2O7UO2WO4 (M = Li, Na, K, Cs) и параметров электролиза на характеристики процесса электроосаждения диоксида урана/В. К. Афоничкин, Л. Г. Хрустова // Электрохимия, 2010. т.Т. 46,N № 6.-С.693-699.
|
7.
| Long H.C. de Изучение осаждения алюминия при потенциале ниже потенциала осаждения в 0,55 М растворе хлорида алюминия в хлориде 1-этил-3-метилимидазолия, жидком при комнатной температуре, с применением электрохимии и микровесов на основе кварцевого кристалла/H.C. de Long, R. T. Carlin // Pittsburgh Conf. [Anal. Chem. and Appl. Spectrosc.] presents PITTCON'95, New Orleans, La, March 5-10, 1995: Book Abstr, 1995. т.905
|
8.
| Теоретические основы технологии гальванической обработки диэлектриков и полупроводников в ионных расплавах/В. В. Малышев [и др.] // Теоретические основы химической технологии, 2000. т.Т. 34,N N 4.-С.435-448: ил.
|
9.
| Образование соединений никель-тантал в галогенидных фторотанталатных расплавах/Э. С. Матыченко [и др.] // Журнал прикладной химии, 2001. т.Т. 74,N N 2.-С.177-181: граф.
|
10.
| Тищенко А. А. Электрохимическое осаждение покрытий карбида вольфрама из галогенидных расплавов/А. А. Тищенко, В. В. Малышев, В. И. Шаповал // Журнал прикладной химии, 1999. т.Т. 72,N N 11.-С.1812-1815
|
|
|