Поисковый запрос: (<.>K=Ge<.>) |
Общее количество найденных документов : 53
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Salmon P.S. The structure of molten and glassy 2:1 binary systems: an approachusing the Bhatia-Thornton formalism/P. S. Salmon // Proc. Royal Soc. London A, 1992. т.437, 1901, 591-606
|
2.
| Арсланов Дж.Э. Электрофизические свойства расплавов системы Ge-Te/Дж. Э. Арсланов, С. А. Гасанов // Тез. докл, Теплофиз. конф. СНГ, 9, 1992, Махачкала, 24-28 июня. -Махачкала, 1992. т.272
|
3.
| Арсланов Дж.Е. Электрофизические свойства расплавов системы Ge-Te/Дж. Е. Арсланов, С. А. Гасанов // Тез. докл, Теплофиз. конф. СНГ, 9, 1992, Махачкала, 24-28 июня. -Махачкала, 1992. т.272
|
4.
| Ионно-электронная проводимость расплавов халькогерманатов таллия/В. Ф. Зинченко [et al.] // Расплавы, 1992,N N 1.-С.69-71
|
5.
| Магунов Р. Л. Система PbS-GeS/Р. Л. Магунов, Ю. В. Белюга, И. Р. Магунов // Журнал неорганической химии, 1992. т.Т. 37,N N 11.-С.2609-2612
|
6.
| Мустяца О. Н. Влияние оксидов и сульфидов некоторых редких и рассеянных металлов на электропроводность расплава сульфида сурьмы/О. Н. Мустяца, Г. Г. Власенко, О. Г. Зарубицкий // Физическая химия и электрохимия редких и цветных металлов: Тез. докл. 7-го Кольского семинара по электрохимии редких и цветных металлов. -Апатиты, 1992.-С.91-92
|
7.
| Магунов Р. Л. Диаграмма состояния системы SnS-GeS/Р. Л. Магунов, И. Р. Магунов // Журнал неорганической химии, 1992. т.Т. 37,N N 11.-С.2613-2614
|
8.
| Глазов В.М. Эффект Холла в расплавах полупроводников в вырожденным электронным газом и его взаимосвязь с электропроводностью и магнитной восприимчивостью/В. М. Глазов, В. Б. Кольцов // Физика и техника полупроводников, 1993. т.27, 5, 775-784
|
9.
| Omote Kazuhiko An EXAFS Spectrometer for High-Temperature Molten Materials/Kazuhiko. Omote, Waseda Voshio. Tohji Kazuyuki. // Nippon Kessho Garraishi, 1993. т.35, 4, 288-292
|
10.
| Takeda S. Структурный анализ расплавленных соединений германата висмута/S. Takeda, Waseda Y. Sugiyama K. // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, 1993. т.Vol. 32,N № 12 A.-С.5633-5636
|
|
|