В 40 Взаимодействия в системе оксид висмута (3)-оксид рения (4) [] / Д. В. Дробот [и др.]> // Цветные металлы. - 1999. - N 9. - С. 101-104. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0372-2929 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ОСКИДЫ ВИСМУТА -- ОСКИДЫ РЕНИЯ -- ВИСМУТ ТРЕХВАЛЕНТНЫЙ -- ТРЕХВАЛЕНТНЫЙ ВИСМУТ -- РЕНИЙ ЧЕТЫРЕХВАЛЕНТНЫЙ -- ЧЕТЫРЕХВАЛЕНТНЫЙ РЕНИЙ |
О-11 О возможности применения высокотемпературного гальванопластического метода для изготовления изделий из рения и молибдена [] / О. Н. Виноградов-Жабров [и др.]> // Цветная металлургия. - 1998. - N 11-12. - С. 32-34. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0132-0785 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- МЕТОД ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ МЕТОД -- ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКИЙ МЕТОД -- МЕТОД ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКИЙ -- РЕНИЙ -- МОЛИБДЕН -- Mo -- Re -- ИЗДЕЛИЯ ИЗ РЕНИЯ -- ИЗДЕЛИЯ ИЗ МОЛИБДЕНА |
Э 45 Электроосаждение рения на ориентированные рениевые фольги из расплавленных солей [] / Н. О. Есина [и др.]> // Журнал прикладной химии. - 2001. - Т. 74, N 9. - 1420-1423: ил. - Библиогр.: с. 1423 (9 назв.) . - ISSN 0044-4618 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ РЕНИЯ -- РЕНИЙ -- Re -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ СОЛИ -- СОЛИ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЫ СОЛЕВЫЕ -- СОЛЕВЫЕ РАСПЛАВЫ -- ФОЛЬГА РЕНИЕВАЯ -- РЕНИЕВАЯ ФОЛЬГА -- ХЛОРИДНЫЕ РАСПЛАВЫ -- РАСПЛАВЫ ХЛОРИДНЫЕ -- ХЛОРИДЫ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ ХЛОРИДЫ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ФОЛЬГА -- ФОЛЬГА МОНОКРИСТАЛИЧЕСКАЯ -- ОСАДКИ РЕНИЕВЫЕ -- РЕНИЕВЫЕ ОСАДКИ -- ЯЧЕЙКИ КВАРЦЕВЫЕ -- КВАРЦЕВЫЕ ЯЧЕЙКИ -- СЛОИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ПОДЛОЖКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридных расплавов на моно- и поликристаллические подложки с ориентациями (1010), (1120), (0001). Найдены условия эпитаксиального роста на монокристаллической фольге с ориентацией (0001). Исследована морфология поверхности осадков рения и измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001) |
Л 69 Логинов, Н. А. Некоторые реакции дихлорида гафния в расплавленных хлоридах щелочных металлов [] / Н. А. Логинов> // Расплавы. - 2000. - N 1. - С. 37-42. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИХЛОРИД ГАФНИЯ -- FeCl2 -- ХЛОРИД ХРОМА -- ХРОМ -- Cr -- CrCl2 -- ХЛОРИД РЕНИЯ -- РЕНИЙ -- Re -- ReCl4 -- ГАФНИЙ -- Hf -- HfCl2 -- HfCl4 -- ХЛОРИДЫ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ ХЛОРИДЫ -- ХЛОРИДЫ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ -- МЕТАЛЛЫ ЩЕЛОЧНЫЕ -- ЩЕЛОЧНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- КОНСТАНТЫ УСЛОВНЫЕ -- УСЛОВНЫЕ КОНСТАНТЫ -- КОНСТАНТЫ РАВНОВЕСИЯ -- РЕАКЦИИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ -- РАСПЛАВЫ СОЛЕВЫЕ -- СОЛЕВЫЕ РАСПЛАВЫ -- ХЛОРИД ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- TiCl3 -- TiCl2 -- ХЛОРИД ЖЕЛЕЗА -- ЖЕЛЕЗО -- Fe -- ХИМИЯ -- Sc -- ScCl3 -- ХЛОРИД СКАНДИЯ -- СКАНДИЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ -- НАТРИЙ -- ХЛОРИД НАТРИЯ -- Na -- NaCl -- NaCl-KCl -- KCl Аннотация: С использованием литературных данных по условным стандартным потенциалам и формальным редокс-потенциалам рассчитаны температурные зависимости условных констант равновесия реакций взаимодействия дихлорида гафния с хлоридами титана, железа, хрома, рения и металлическим скандием в расплавах NaCl, NaCl-KCl, KCl и CsCl в интервале 1000-1250 К |
Е 83 Есина, Н. О. Эпитаксиальный рост рения на собственных и чужеродных подложках [Текст] / Н. О. Есина, Л. М. Минченко, А. А. Панкратов> // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, № 6. - С. 738-744 : фото. - Библиогр.: с. 744 (10 назв.) . - ISSN 0424-8570 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ -- РАСПЛАВ -- РЕНИЙ -- ВОЛЬФРАМ -- СТРУКТУРА -- ЭПИТАКСИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛ Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридного расплава CsCl-Cs2ReCl6 на монокристаллические подложки из рения с ориентациями (1010), (1120), (0001) и вольфрама с ориентациями (110),(100), (112), (111). Найдены оптимальные условия эпитаксиального роста на монокристалле рения с ориентациями (0001) и (1120). Показана принципиальная возможность гетероэпитаксиального роста рения на монокристаллических подложках из вольфрама с ориентациями (111) и (100) при определенных условиях электроосаждения из расплава. Эпитаксиальный рост рения зависит как от условий электролиза , так иот ориентации подложки. Исследована морфология поверхности осадков рения. Измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001) |