С 77 Старцев, Ю. К. Методика измерения электропроводности стекол и расплавов в широком интервале температур, включающем интервал стеклования [] / Ю. К. Старцев // Физика и химия стекла. - 2000. - Т. 26, N 1. - С. 103-115. - Библиогр.: 30 назв. . - ISSN 0132-6651 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СТЕКОЛ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ИНТЕРВАЛЫ -- ИНТЕРВАЛЫ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ИНТЕРВАЛЫ СТЕКЛОВАНИЯ -- СТЕКЛОВАНИЕ РАСПЛАВОВ -- ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ -- ХИМИЯ |
С 16 Салюлев, А. Б. Электропроводность расплавов системы CsCl-CeCl3-Cl2 при различных давлениях хлора [] / А. Б. Салюлев, А. А. Редькин, В. А. Хохлов // Расплавы. - 1999. - N 4. - С. 66-72. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): CsCl-CeCl3-Cl2 -- CsCl -- CeCl3 -- Cl2 -- ХЛОРИД ЦЕЗИЯ -- ЦЕЗИЙ -- Cs -- ХЛОРИД ЦЕРИЯ -- ЦЕРИЙ -- Ce -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ УДЕЛЬНАЯ -- УДЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ОБМЕН ЭЛЕКТРОННЫЙ -- ЭЛЕКТРОННЫЙ ОБМЕН -- АТМОСФЕРА ХЛОРА -- ХЛОР -- РАСПЛАВЫ ХЛОРИДНЫЕ -- ХЛОРИДНЫЕ РАСПЛАВЫ -- ХИМИЯ Аннотация: С помощью прибора оригинальной конструкции измерена удельная электропроводность расплавов системы CsCl-CeCl3-Cl2, содержащих 13, 25 и 46 мол. % CeCl3, при давлении хлора от 0 до 10 атм. В атмосфере хлора замечен прирост электропроводности, который тем больше, чем выше давление хлора и ниже температура. Максимальный прирост наблюдается у расплавов, содержащих 13 мол. % хлорида церия. Обнаруженный эффект приписан окислению трехвалентных ионов церия до четырехвалентного состояния и электронному обмену между ними |
К 29 Катышев, С. Ф. Плотность, электропроводность и поверхностное натяжение расплавов RbF-ZnF4 и CsF-ZrF4 [] / С. Ф. Катышев, В. Н. Десятник, К. И. Трифонов // Расплавы. - 2000. - N 4. - 89-92: ил. - Библиогр.: с. 91-92 (13 назв.) . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ПЛОТНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ИНТЕРВАЛЫ -- ИНТЕРВАЛЫ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ОБЪЕМЫ МОЛЬНЫЕ -- МОЛЬНЫЕ ОБЪЕМЫ -- АДСОРБЦИЯ -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ СМЕСИ -- СМЕСИ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- ГАЛОГЕНИДЫ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ -- ЩЕЛОЧНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ ЩЕЛОЧНЫЕ -- АКТИВНОСТЬ КОМПОНЕНТОВ -- МЕТОД НАИМЕНЬШИХ КВАДРАТОВ -- ФТОРИД РУБИДИЯ -- ФТОРИД ЦЕЗИЯ -- ФТОРИД ЦИНКА -- ФТОРИД ЦИРКОНИЯ -- РУБИДИЙ -- ЦЕЗИЙ -- ЦИНК -- ЦИРКОНИЙ -- ИОННЫЕ ЖИДКОСТИ -- ЖИДКОСТИ ИОННЫЕ -- RbF-ZnF4 -- CsF-ZrF4 -- RbF -- ZnF4 -- CsF -- ZrF4 -- Rb -- Zn -- Cs -- Zr Аннотация: Для расплавов систем RbF-ZrF4 и CsF-ZrF4 изучены плотность, электропроводность и поверхностное натяжение в широком температурном и концентрационном интервалах. Рассчитаны мольные объемы, молярная электропроводность и адсорбция поверхностно-активного компонента. Концентрационные зависимости полученных и рассчитанных свойств расплавленных смесей RbF-ZrF4 и CsF-ZrF4 хорошо объясняются с позиций комплексной модели строения ионных жидкостей |