Г 52 Глазов, В. М. Объемные изменения при плавлении и нагреве расплавов теллуров цинка и кадмия [] / В. М. Глазов, Л. М. Павлова> // Теплофизика высоких температур. - 2001. - Т. 39, N 1. - 72-78: граф., табл. - Библиогр.: с. 77-78 (22 назв.) . - ISSN 0040-3644 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕЛЛУРИД ЦИНКА -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- КОНДЕНСИРОВАННЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ КОНДЕНСИРОВАННЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ -- ПЛОТНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- УРАВНЕНИЕ КЛАПЕЙРОНА-КЛАУЗИУСА -- КЛАПЕЙРОНА-КЛАУЗИУСА УРАВНЕНИЕ -- РАСШИРЕНИЯ ТЕПЛОВЫЕ -- ТЕПЛОВЫЕ РАСШИРЕНИЯ -- CdTe -- ZnTe -- Zn -- Cd -- ЦИНК -- КАДМИЙ -- УРАВНЕНИЕ СИРОТЫ -- СИРОТЫ УРАВНЕНИЕ -- ТЕМПЕРАТУРА ДЕБАЯ -- ДЕБАЯ ТЕМПЕРАТУРА -- МЕТОД ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ -- ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ МЕТОД -- ХИМИЯ Аннотация: Методом проникающего гамма-излучения исследована температурная зависимость плотности конденсированных фаз теллуридов цинка и кадмия в окрестности температуры плавления и определены изменения объема при переходе из твердого состояния в жидкое. Плотность теллурида цинка в жидкой фазе исследована впервые. Показано, что при плавлении плотность обоих исследованных соединений уменьшается, и при нагревании в жидком состоянии продолжает линейно уменьшаться. Отмечено, что теллуриды цинка и кадмия, согласно классификации Регеля, плавятся по типу полупроводник-полупроводник. Объемные изменения исследуемых соединений при плавлении проанализированы при помощи уравнения Клапейрона-Клаузиуса. Оценены барические коэффициенты температуры плавления этих соединений и отмечено, что они положительные (dT/dp > 0) |
И 39 Изучение систем CdX-B2X3-X (X = S, Se), CdTe-B-Te [] / И. Н. Один [и др.]> // Журнал неорганической химии. - 2001. - Т. 46, N 7. - 1210-1214: ил. - Библиогр.: с. 1214 (11 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОВЕРХНОСТИ ЛИКВИДУСА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ФАЗЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ ФАЗЫ -- ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ -- ДИАГРАММЫ ФАЗОВЫЕ -- МЕТОД ДТА -- МЕТОД РЕНТГЕНОФАЗОВОГО АНАЛИЗА -- МЕТОД МИКРОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ХИМИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ХИМИЧЕСКОЕ -- CdS-B2S3-S -- CdSe-B2Se3-Se -- CdTe-B-Te -- CdS -- B2S3 -- S -- CdSe -- B2Se3 -- Se -- CdTe -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- СУЛЬФИД КАДМИЯ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- СЕЛЕНИД КАДМИЯ -- СУЛЬФИД БОРА -- ХИМИЯ |
Г 52 Глазов, В. М. Определение структуры жидкого теллурида кадмия методом молекулярной динамики [] / В. М. Глазов, Л. М. Павлова> // Журнал физической химии. - 2000. - Т. 74, N 6. - 967-973: ил. - Библиогр.: с. 973 (17 назв.) . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- ДИНАМИКА МОЛЕКУЛЯРНАЯ -- МОЛЕКУЛЯРНАЯ ДИНАМИКА -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- МОНТЕ-КАРЛО МЕТОД -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ПОТЕНЦИАЛ СТИЛЛИНДЖЕРА-ВЕБЕРА -- СТИЛЛИНДЖЕРА-ВЕБЕРА ПОТЕНЦИАЛ -- ЖИДКИЙ ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ ЖИДКИЙ -- ТЕЛЛУРИДЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ ТЕЛЛУРИДЫ -- Cd -- КАДМИЙ -- CdTe Аннотация: Методом молекулярной динамики при использовании потенциала типа Стиллинджера-Вебера рассчитаны характеристики структуры расплава теллурида кадмия. При расчете использованы параметры потенциала, предложенные ранее для расчета структуры теллурида кадмия методом Монте-Карло. Расчеты произведены методом молекулярной динамики для NVT-ансамбля, содержащего 512 частиц в основном кубе, с периодическими граничными условиями при 1373 K. Полученные результаты расчета сопоставлены с данными нейтронографического дифракционного эксперимента. Показано, что потенциал Стиллинджера-Вебера не вполне отражает характер межчастичного взаимодействия в расплаве теллурида кадмия и для улучшения соответствия расчетов и эксперимента необходима его перепараметризация |
Т 11 Т-х-у Фазовые диаграммы систем GaS+CdTe=CdS+GaTe, CdS- CdTe-InTe [] / И. Н. Один [и др.]> // Журнал неорганической химии. - 2005. - Т. 50, N 4. - 714-716.: ил. - Библиогр.: с. 716 (5 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ СИСТЕМ |
Э 45 Электрофизические свойства и вязкость расплава CdTe c примесями In, Ge, Sn [] / В. М. Склярчук [и др.]> // Неорганические материалы. - 2002. - Т. 38, N 11. - 1327 - 1333.: ил. - Библиогр.: с. 1319 (21 назв.) . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВЯЗКОСТЬ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПРИМЕСИ -- ПЛОТНОСТЬ |
S 53 Shamsuddin, M. Термодинамическое поведение цинка и кадмия в расплавах твердых растворов CdTe-ZnTe, насыщенных Te [] / M. Shamsuddin, Nasar A. Gupta T.K.S.P.> // Thermochim. Acta. - 1994. - 246, 1, 213-227. - РЖ Химия. - 1995: 10Б3032 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): LIO, KCL, CDCL2, CD, TE, ZN, CDTE, ЭДС |