Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИГД УрО РАН

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Амеличев, В. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20

Инвентарный номер: нет.

   П 27

    Амеличев, В. В.
    Перспективная технология изготовления высокодобротных кремниевых микромеханических резонаторов / В. В. Амеличев, И. В. Годовицын, Д. А. Сайкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 39-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 ( 11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗОНАТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ -- КНИ-ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Описана разработка технологии изготовления высокодобротных кремниевых резонаторов с использованием КНИ-пластин. К достоинствам разработанной технологии можно отнести необходимость только одного процесса анодной посадки и только одного стекла, обработка которого ограничивается формированием углублений для геттера. Обработка КНИ-пластины и стекла ведется групповым способом, анодная сварка проводится на заключительном этапе обработки. Сформирована структура резонатора в герметизированной камере. Показано, что значения основных электрофизических параметров структуры (сопротивление подвесов, наряжение притягивания) соответствуют расчетным. Проанализированы перспективы разработанной технологии

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 67


    Анизотропные магниторезистивные преобразователи на основе ферромагнитных нано- структур с различным содержанием кобальта / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 22-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ АНИЗАТРОПНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ФЕРРОМАГНИТНАЯ
Аннотация: Представлены результаты научных исследований и разработки анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля и тока на основе тонкопленочных металлических ферромагнитных наноструктур с различным содержанием кобальта

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Б 68

    Благов, Е. В.
    Магниторезистивный преобразователь для датчиков тока / Е. В. Благов, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 22-25 : рис. - Библиогр.: с. 25 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК ТОКА -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ЭЛЕМЕНТ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ
Аннотация: Рассмотрены основные типы преобразователей магнитного поля, применяемые в современных датчиках тока. Представлены результаты измерения основных электрофизических характеристик магниторезистивного преобразователя с проводником управления. На основе результатов исследования макета магниторезистивного преобразователя для датчиков тока приведена оценка возможности измерения с его помощью токов силой до 60 А

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 93


    Высокочастотные свойства нанообъектов с ферромагнитным материалом / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 29-36 : рис. - Библиогр.: с. 36 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА -- НАНОТРУБКА -- НАНОСТРУКТУРА МНОГОСЛОЙНАЯ -- МАТЕРИАЛ ФЕРРОМАГНИТНЫЙ -- НАНОСТОЛБИКИ
Аннотация: Рассмотрены полученные результаты исследования высокочастотных свойств нанообъектов, представляющих собой анизотропные металлические многослойные наноструктуры, нанотрубки, заполненные железом, и наностолбики, вытравленные в пленке Al 2O 3 и наполненные ферромагнитным материалом

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 93


    Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации / В. В. Амеличев, В. Г. Сницар, Д. В. Костюк, С. И. Касаткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 38-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ПРИБОР СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ -- СЕНСОР -- СЕНСОР МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ПРОВОДНИК
Аннотация: Представлены конструкция и принцип действия высокочувствительного магниторезистивного сенсора для применения в современных приборах считывания информации. Проведен анализ и сделан вывод о практической значимости разрабатываемого сенсора для бесконтактного контроля слабых магнитных полей от проводников с током, находящихся в составе плат и микросхем

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 73


    Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения / Е. В. Благов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 46-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ МИНИАТЮРНЫЙ -- СИСТЕМА ИНТЕГРИРОВАННАЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических узлов для реализации интегрированных наноэлектромеханических систем. Рассмотрены методы создания миниатюрного магнитного диполя на основе магнитожестких пленок Co80Ni20 и Fe19Ni81 Исследована зависимость чувствительности тонкопленочного магниторезистивного преобразователя от тока в управляющем проводнике

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 65


    Конструкция и технология изготовления матрицы силовых микроэлектромеханических ключей / В. В. Амеличев, С. С. Генералов, А. В. Якухина, С. В. Шаманаев, В. В. Платонов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 28-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.382.049.77

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ -- МАТРИЦА -- МЭМС-КЛЮЧ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛАТА -- НИЗКООМНЫЕ ЭЛЕКТРОДЫ -- СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Представлены конструкция и технология изготовления матрицы силовых микроэлектромеханических ключей. Рассмотрены основные конструктивные и технологические особенности создания кристалла МЭМС-ключа с электростатическим способом управления замыканием контактной группы. Определены перспективы применения матрицы силовых микроэлектромеханических ключей для коммутации постоянного и низкочастотного переменного тока в приборах средней мощности

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 65


    Конструкция и технология создания матриц преобразователей давления для эндоскопических тактильных датчиков / В. В. Амеличев, В. М. Буданов , Д. В. Гусев, Ю. А. Михайлов, М. Э. Соколов , В. С. Суханов, Р. Д. Тихонов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 27-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК ТАКТИЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ
Аннотация: Разработана и исследована новая конструкция кристаллов матриц интегральных преобразователей давления МИПД-7для тактильных датчиков на основе плоских кремниевых мембран с тензорезистивными преобразователями. Тактильные датчики на основе МИПД-7 прошли полный цикл клинических испытаний в составе эндохирургической аппаратуры

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 12


    Магниторезистивная микросистема контроля электрического тока в проводнике / В. В. Амеличев, Е. В. Благов, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, П. А. Беляков, Е. П. Орлов, И. Е. Абанин, В. С. Тахов, А. И. Руковишников, Н. М. Россуканый // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 39-42. - Библиогр.: с. 42 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

53.087.92

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ МИКРОСИСТЕМА -- КОНТРОЛЬ СИЛЫ ТОКА -- МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: Магниторезистивная микросистема контроля силы тока и его флуктуаций позволяет бесконтактным способом определять силу тока и частоту флуктуаций в проводнике с возможностью визуализации полученных результатов. В качестве чувствительного элемента микросистемы выступают магниторезисторы, соединенные в мостовую схему Уитстона. Проводник с током, являющийся источником внешнего магнитного поля, располагается на фиксированном расстоянии от чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя (МП). В зависимости от подаваемой в проводник силы тока изменяется выходное напряжение в МП. С использованием закона Био— Савара—Лапласа определяется расчетное значение силы тока в проводнике. Отличительной особенностью микросистемы является возможность прецизионной регистрации импульсных и переменных изменений силы тока как с малой (2 мА), так и с высокой (50 А) амплитудой

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   М 59


    Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТОРЫ -- МОСТ УИТСТОНА -- РАЗБАЛАНС НАПРЯЖЕНИЙ
Аннотация: Изготовлены и исследованы двухкоординатные датчики магнитного поля с использованием анизотропных магниторезисторов с полюсом барбера в двух вариантах топологии. Установлено, что распределение магнетосопротивлений по пластине влияет на разбаланс выходных напряжений моста Уитстона и мало влияет на чувствительность. Компактное топологическое расположение магнетосопротивлений уменьшает разбаланс мостов Уитстона

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   М 61


    Миниатюрные тензорезистивные преобразователи давления: итоги двадцатипятилетия / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 29-41 : рис., табл. - Библиогр. : с. 41 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЕ
Аннотация: Проведен анализ разработок в области миниатюрных тензорезистивных преобразователей давления с 1985 года по настоящее время. Показано основное отличие миниатюрных преобразователей давления от традиционных - формирование мембраны с помощью осаждения - и вытекающие из этого конструктивно-технологические особенности миниатюрных преобразователей. Проанализированы достоинства и недостатки миниатюрных преобразователей давления. Даны характерные примеры применений миниатюрных преобразователей давления. Показана необходимость увеличения чувствительности миниатюрных преобразователей давления для повышения их привлекательности как средства измерения

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   М 61


    Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ
Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   М 73


    Многослойные наноструктуры с эффектом гигантского магнетосопротивления / А. Ф. Вяткин, В. Н. Матвеев, В. Т. Волков, О. В. Кононенко, В. И. Левашов, В. Г. Ерёменко, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, И. И. Ходос // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

537.621.2; 538.975

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Аннотация: Квантово-механический эффект гигантского магнетосопротивления (ГМС) наблюдался в целом ряде многослойных магнитных материалов. Многослойные структуры, в которых появляется данный эффект, состоят из последовательно осажденных тонких ферромагнитных слоев, разделенных доводящим немагнитным слоем. Магнитные характеристики таких материалов зависят от структуры осажденных слоев, состояния межфазных границ между слоями и в значительной степени от немагнитного слоя, толщина которого требует высокой точности. С помощью электронно-лучевого и лазерного осаждения, просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии были получены и исследованы структуры Ta—NiFe—Cu—Co—FeMn—Ta. При оптимизации толщины медного разделительного слоя удалось поднять значение ГМС до 5% в продольном поле 10...20 Э

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   П 84


    Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 52-54 : рис. - Библиогр. : с. 54 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УСТРОЙСТВО БИОСЕНСОРНОЕ -- БИОМАТЕРИАЛ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- МЕТКА МАГНИТНАЯ -- СТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ
Аннотация: Разработана конструкция профилированного магниторезистивного микрочипа биосенсорного устройства регистрации магнитных меток, представляющая собой массив чувствительных элементов, размещенных на кремниевом кристалле. Показан способ организации выборки массива, позволяющий минимизировать необходимое число выводов микрочипа. Разработана сложносовмещенная технология, обеспечивающая формирование на одном кристалле тонких мембран, полупроводниковых активных элементов и тонкопленочных магниторезистивных наноструктур

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   Р 17


    Разработка и создание опытных образцов искусственных тактильных механорецепторов для эндоскопии [Текст] / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 30-33 : рис. - Библиогр. : с. 33 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 68
Рубрики: ТРАНСПОРТ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТАКТИЛЬНЫЙ ДАТЧИК

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   Р 24


    Расчет параметров тестовой структуры МЭМС-акселерометра, изготовленного с использованием КНИ-пластин / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 39-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС -- КНИ -- АКСЕЛЕРОМЕТР

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   С 58


    Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов / В. В. Амеличев, В. В. Аравин, А. Н. Белов, А. Ю. Красюков, А. А. Резнев, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 29-33 : рис. - Библиогр.: с. 33 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС БЕСПРОВОДНАЯ -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- ПРИНЦИП ПОСТРОЕНИЯ -- ПЕРМАЛЛОЙ
Аннотация: Представлены результаты создания интегральных компонентов усиления магнитного сигнала на основе пленок пермаллоя. Рассмотрены способы повышения чувствительности магниторезистивных преобразователей и построения на их основе беспроводных МЭМС с магнитной связью для передачи информации на малые расстояния. Приведены результаты моделирования распределения магнитного поля в полосках пермаллоя. Представлены результаты формирования концентраторов магнитного поля толщиной 10...11 мкм с помощью электрохимического осаждения

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   У 82


    Устройство управления микромеханическим реле на основе массива силовых МЭМС-ключей / В. В. Амеличев, С. С. Генералов, П. А. Сывороткин, С. В. Шаманаев, В. В. Платонов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 43-45. - Библиогр.: с. 45 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.382.049.77

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ МЭМС-КЛЮЧ -- ЦИФРОВАЯ СИСТЕМА КОНТРОЛЯ
Аннотация: Разработано цифровое устройство, обеспечивающее бездуговую коммутацию электрической цепи, а также осуществляющее динамическую защиту матрицы силовых МЭМС (СМЭМС)-ключей по току и защиту по температуре. Разработана компьютерная управляющая программа для контроля работы матрицы СМЭМС-ключей

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Ч-25


    Частотные характеристики спин-вентильных магниторезистивных наноструктур / Д. В. Вагин, С. И. Касаткин, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, П. А. Беляков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 12-15 : рис. - Библиогр.: с. 15 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- НАНОСТРУКТУРА СПИН-ВЕНТИЛЬНАЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СВОСТВА ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Аннотация: Представлены результаты анализа высокочастотных свойств спин-вентильных магниторезистивных (СВМР) наноструктур на основе уравнения Ландау-Лившица—Гильберта для трехслойной полоски (Co 80Ni 20/Cu/Fe 1 8Ni 76Co 6). Приведено сравнение высокочастотных свойств СВМР наноструктур с высокочастотными свойствами анизотропных магниторезистивных наноструктур. Представлены результаты исследований частотных характеристик наноструктуры Co 80Ni 20/Cu/Fe 1 8Ni 76Co 6 с разными геометрическими размерами сформированных полосок. Предложена конструкция СВМР датчика магнитного поля на основе исследованных наноструктур

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   Э 45


    Электростатический МЭМС-ключ на структуре кремний—стекло / В. В. Платонов, С. С. Генералов, В. И. Смехова, В. В. Амеличев, С. А. Поломошнов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 43-47 : рис. - Библиогр.: с. . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИМЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ -- МЭМС-КЛЮЧ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ -- СТРУКТУРА КРЕМНИЙ—СТЕКЛО -- НАПРЯЖЕНИЕ РАБОЧЕЕ
Аннотация: Рассмотрены основные преимущества МЭМС-переключателей. Приведены результаты реализации конструкции кремний—стекло с балочным креплением подвижных электродов, не имеющей в технологии изготовления операцию удаления жертвенного слоя. Представлены основные результаты исследования разработанных МЭМС-ключей

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)