Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Воротилов, К. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 75
Автор(ы) : Воротилов К. А., Сигов А. С.
Заглавие : Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материала
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 30-42: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (86 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): активные диэлектрики --сегнетоэлектрики --наноструктуры--цирконат-титаната свинца
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 87
Автор(ы) : Жигалина О. М., Воротилов К. А., Хмеленин Д. Н., Сигов А. С.
Заглавие : Структурные особенности пленок цирконата-титаната свинца, сформированных методом химического осаждения из растворов с различным содержанием свинца
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 11. - С. 17-22: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 22 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроструктура--фазовый состав--пленки
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Жигалина О. М., Воротилов К. А., Кускова А. Н., Сигов А. С.
Заглавие : Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 6 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронная микроскопия--золь-гель метод--наноструктуры--кристаллизация
Аннотация: Разработан золь-гель метод формирования сегнетоэлектрических наноструктур титаната бария-стронция с аспектным соотношением 1:10 и более в матрице пористого оксида алюминия. Методами электронной микроскопии выявлена закономерность образования нанострутур при кристаллизации в объеме пор матрицы в виде нанотрубок или наностлобиков диаметром 100...200нм и длиной до нескольких микрометров, формируемых кристаллами титаната бария стронция размером 3...100 нм.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Котова Н. М., Подгорный Ю. В, Серегин Д. С., Воротилов К. А., Сигов А. С.
Заглавие : Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок цтс
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 11-16: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.16 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сегнетоэлектрики--осаждение химическое из растворов--алкоксид
Аннотация: Исследовано влияние методики приготовления исходных компонентов в процессе синтеза пленкообразующих растворов на электрофизические свойства формируемых тонких пленок цирконата-титаната свинца. Установлено существенное влияние на свойства формируемых пленок природы вводимого циркониевого компонента. Показано, что наилучшие параметры пленок обеспечивает процесс с использованием спиртового раствора пропилата циркония
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 55
Автор(ы) : Вишневский А. С., Воротилов К. А., Жигалина О. М., Ланцев А. Н., Подгорный Ю. В, Серегин Д. С.
Заглавие : Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложки кремниевые--гетероструктуры--цтс--процесс термообработки--пленки сегнетоэлектрические--стекло фосфоросиликатное
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика