Поисковый запрос: (<.>A=Кульчицкий, Н. А.$<.>) |
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15 |
1.
| Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 3.-С.44-50
|
2.
| Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 4.-С.39-44
|
3.
| Радиационные эффекты в кристаллах телаурида кадмия-ртути /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 6.-С.10-17
|
4.
| Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 7 .-С.32-37
|
5.
| Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe/А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 9.-С.48-52
|
6.
| Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 5.-С.16-23
|
7.
| Кульчицкий Н. А. Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe и приборов на их основе /Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 6.-С.9-16
|
8.
| МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 7.-С.42-49
|
9.
| Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.27-35
|
10.
| Детектирование в терагерцовом диапазоне /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 2.-С.28-35
|
11.
| Типы детекторов терагерцового излучения /А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.25-34
|
12.
| Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN /А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 6.-С.30-40
|
13.
| Лавинные диоды, диоды с барьером шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов /А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.29-37
|
14.
| Кульчицкий Н. А. Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики /Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 9.-С.29-37
|
15.
| Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути/А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.29-37
|
|