Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Маркеев, А. $<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 68
Автор(ы) : Соловьев А. А., Овчинников Д. В., Коростылев Е. В., Маркеев А. М.
Заглавие : Корреляция между структурными и биоактивными свойствами оксида титана, сформированного методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т.8, № 5-6. - С. 100-103: табл., рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 103 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид титана--метод атомно-слоевого осаждения--материалы биоактивные--имплантат-кость--покрытия биосовместимые--покрытия биоактивные из tio2--модификация
Аннотация: Биоактивные материалы используются из-за высокой скорости образования прочного контактного слоя на границе раздела имплантат-кость. Материалы и методы, используемые для создания и обработки медицинских имплантатов, обладают рядом существенных минусов. Создание биосовместимых покрытий методом атомно-слоевого осаждения может улучшить качество и срок службы имплантатов, а также защитить организм от вредных последствий подготовки поверхности имплантатов. В данной работе представлен структурный подход к выбору биосовместимых покрытий, а также приведена экспериментальная проверка теоретических предположений на новых биоактивных покрытиях из TiO2 различных кристаллических модификаций
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 38
Автор(ы) : Алехин А. П., Болейко Г. М., Гудкова С. А., Маркеев А. М., Сигарев А. А., Токнова В. Ф., Кириленко А. Г., Лапшин Р. В., Козлов Е. Н., Тетюхин Д. В.
Заглавие : Синтез биосовместимых поверхностей методами нанотехнологии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 128-136: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 136 (28 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): синтез биосовместимых поверхностей --метод импульсного ионно-плазменного нанесения углеродного покрытия --полиметилметакрилат (пмма)
Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературной (20-60 °С) модификации поверхности полимеров (полиэтилен низкой плотности (ПЭНП), полиуретан (ПУ)) методом импульсного ионно-плазменного нанесения углеродного покрытия на биосовместимые свойства перечисленных полимеров. Определены оптимальные параметры технологического режима для формирования на поверхности материалов мозаичных углеродных наноструктур толщиной 0.3-15 нм с размерами кластеров 10 - 500 нм. Подобные структуры обладали повышенными гемо-совместимыми свойствами. Для исследования были использованы сканирующая электронная и атомно-силовая микроскопия, рамановская спектроскопия. Исследовано воздействие на морфологию поверхности полиметилметакрилата (ПММА) фотонного излучения спектра криптоновой лампы с длиной волны / = 123.6 нм и спектра синхротронного излучения («белый» пучок), предварительно обработанную кислородной высокочастотной плазмой. В ходе фотонной обработки варьировались: продолжительность воздействия (от единиц до десятков минут) и остаточное давление воздуха в рабочей камере (2 Па и 100 Па). Разработанная методика сглаживания микро- и нанорельефа может быть использована для улучшения биосовместимости исходных поверхностей ПММА. Разработаны основы двухстадийной технологии создания биоактивных поверхностей на титановых носителях, заключающейся в химической обработке поверхностей для создания микрорельефа (2-3 мкм) и в нанесении строго контролируемого по химическому составу и толщине (10-60 нм) покрытия диоксида титана. В работе проведены исследования, направленные на выявление влияния механизмов и технологических параметров процессов атомно-слоевого осаждения TiO2 на химический состав, тип кристаллической структуры, равномерность нанесения на поверхности сложной формы (конформность) и биоактивность модифицированных поверхностей
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Галперин В. А., Громов Д. Г., Кицюк Е. П., Маркеев А. М., Лебедев Е. А., Черникова А. Г., Дубков С. В.
Заглавие : Суперконденсатор на основе УНТ с использованием псевдоемкости тонких слоев оксидов металлов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 33-36: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 36 (10 назв.)
УДК : 544.643.076.2:539.2
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суперконденсатор--двойной электрический слой--псевдоемкость--углеродные нанотрубки--атомно-слоевое осаждение
Аннотация: Исследуется роль псевдоемкости в повышении суммарной емкости суперконденсаторов. Продемонстрировано многократное увеличение емкости суперконденсаторов с электродами на основе углеродных нанотрубок, покрытых тонким слоем Al 2O 3 и TiO 2, наносимых методом атомно-слоевого осаждения
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика