Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Шмырева, А. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)