Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (3798)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (56)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (54)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (319)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (30)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (618)Публикации об УрО РАН (38)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (232)Гибель династии Романовых (1)История Урала (1)Книжная коллекция Шубиных (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (110)Труды Института истории и археологии УрО РАН (65)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (41)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (126)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (70)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (455)Расплавы (194)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (47)Публикации Черешнева В.А. (40)Публикации Чарушина В.Н. (32)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (925)Электронная энциклопедия «Дискурсология» (14)Библиометрия (222)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=АНАЛИЗ<.>)
Общее количество найденных документов : 129
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электрохимическое восстановаение поврежденных контактных площадок кристаллов при анализе отказов современных интегральных схем / Д. Н. Зубов, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов, Г. В. Молодцова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 38-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- КОНТАКТНАЯ ПЛОЩАДКА -- ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ТЕРМОКОМПРЕССИОННАЯ СВАРКА
Аннотация: При анализе отказов современных интегральных схем, может возникнуть необходимость в проведении исследований, включающих одновременный анализ топологии кристалла и подачу электрических сигналов на его контактные площадки. Однако при осуществлении доступа к кристаллу контактные площадки могут быть повреждены по различным причинам. Рассмотрены несколько типов повреждений контактных площадок, а также экспериментальные исследования по их восстановлению электрохимическим осаждением серебра и меди

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 75


    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: 201868 - кх.
   541.1
   Ш 12


    Шабанова, Надежда Антоновна.
    Химия и технология нанодисперсных оксидов [] : учеб. пособие для вузов хим. спец. / Н. А. Шабанова, В. В. Попов, П. Д. Саркисов. - М. : Академкнига, 2007. - 309 с. : ил. - Библиогр.: с. 285-300. - Указ.: с. 301-304. - ISBN 978-5-94628-301-4 : 325.25 р.
ГРНТИ
ББК 541.181я73
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--КОЛЛОИДНАЯ ХИМИЯ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
ОКСИДЫ НАНОДИСПЕРСНЫЕ -- ОКСИГИДРОКСИДЫ НАНОДИСПЕРСНЫЕ -- СИСТЕМЫ ДИСПЕРСНЫЕ (СВОЙСТВА) -- СИСТЕМЫ ДИСПЕРСНЫЕ (АНАЛИЗ) -- ГИДРОКСИДЫ НАНОДИСПЕРСНЫЕ -- КРЕМНЕЗЕМ КОЛЛОИДНЫЙ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-89


    Чулок, А. А.
    Анализ перспектив технологической модернизации ключевых секторов российской экономики в рамках формирования научно-технологического Форсайта / А. А. Чулок // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 18-24 : рис., табл. . - ISSN 1195-078
ББК 623.7
Рубрики: ЭКОНОМИКА. ЭКОНОМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭКОНОМИКА -- БИЗНЕС -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРСАЙТА

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-67


   
    Численнное и экспериментальное моделирование прочностных характеристик сферопластиков / Ю. И. Димитриенко, С. В. Сборщиков, А. П. Соколов, Б. Р. Гафаров, Д. Н. Садовничий // Композиты и наноструктуры. - 2013. - № 3. - С. 35-51 : рис. - Библиогр.: с. 50-51 (22 назв.) . - ISSN 1999-7590
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТЫ -- СФЕРОПЛАСТИКИ -- ТЕНЗОРЫ КОНЦЕНТРАЦИИ НАПРЯЖЕНИЙ -- КРИТЕРИЙ ПРОЧНОСТИ -- МИКРОРАЗРУШЕНИЕ -- ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МЕТОД КОНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА -- МЕТОД АСИМПТОТИЧЕСКОГО ОСРЕДНЕНИЯ
Аннотация: Представлены результаты численного конечно-элементного моделирования процессов микроразрушения полимерных материалов, наполненных микросферами. Моделирование осуществляется на основе конечно-элементного решения локальных задач на ячейке периодичности для сред с повреждаемостью, постановка которых обусловлена применением метода асимптотического осреднения периодических структур. Проведен детальный анализ полей тензоров концентрации напряжений в матрице и наполнителях. В качестве критерия прочности матрицы и микросфер использован модифицированный критерий прочности Писаренко-Лебедева. Проведено численное исследование процесса последовательного микроразрушения сферопластика вплоть до полного его разрушения. Проведено экспериментальное исследование упругих и прочностных характеристик эпоксидных сферопластиков, которое показало, что результаты численного моделирования обеспечивают достаточно высокую точность прогноза эффективных упруго-прочностных свойств композитов

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: 204864 - кх.
   648.5
   Ц 67


    Ципенюк, Юрий Михайлович.
    Фундаментальные и прикладные исследования на микротроне [] : монография / Ю. М. Ципенюк. - М. : Физматлит, 2009. - 424.00 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 423-424. - ISBN 978-5-9221-1035-8 : 271.40 р.
ГРНТИ
ББК 648.5
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ЭЛЕКТРОНИКА

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 83


    Франгульян, Т. С.
    Исследование процессов спекания ультрадисперсных порошков на основе диоксида циркония, компактированных методами статического и магнитно-импульсного прессования / Т. С. Франгульян, С. А. Гынгазов, С. А. Курдюков // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 29-35 : граф., рис. - Библиогр.: с. 35 (10 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен сравнительный анализ процессов уплотнения пресс-образцов из ультрадисперсных порошков, получаемых методами статического, двустороннего и радиального магнитно-импульсного прессования для изготовления высококачественной нанокерамики. Рассмотрены кинетические закономерности уплотнения образцов на стадии нагрева и изотермической выдержки компактов, полученных различными способами. Для порошковой композиционной смеси ZrO2-Al2O3, наблюдается общая тенденция интенсификации процесса спекания высокоплотных композиционных компактов.

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 29-37. - Библиогр.: с. 37 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОПРИЕМНИКИ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ HgCdTe
Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 8...14 мкм на основе твердых растворов HgCdTe

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 30-40 : табл., рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ INGAN -- ФОТОДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- P-I-N-ФОТОДИОДЫ
Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на основе кремниевыхp-n- и p-i-n-фотодиодов и фотодиодов на основе твердых растворов InGa

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 73


   
    ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика