Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (401)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (26)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (51)Публикации об УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (11)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды Института истории и археологии УрО РАН (5)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (6)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (36)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (14)Расплавы (4)Публикации Черешнева В.А. (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ВОЛНЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 30
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30  
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 74

    Анцев, Г. В.
    Бесконтактные помехоустойчивые дптчики на поверхностных акустических волнах / Г. В. Анцев, С. В. Богословский, Г. А. Сапожников // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 38-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯ -- ДИСПЕРСИОННЫЕ ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ -- АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 13

    Бавижев, М. Д.
    Особенности прохождения атомных и молекулярных пучков через капиллярные структуры в условиях взаимодействия с поверхностной световой волной / М. Д. Бавижев, А. Д. Бавижев, Н. В. Кот // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 73-76 : рис. - Библиогр. : с. 76 (23 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПУЧКИ АТОМНЫЕ И МОЛЕКУЛЯРНЫЕ -- ВОЛНА СВЕТОВАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ -- СТРУКТУРЫ КАПИЛЛЯРНЫЕ
Аннотация: Pассмотрена модель поперечного охлаждения атомов в поле поверхностной световой волны внутри стеклянного капилляра. Проведена оценка коэффициента затухания для поперечных колебаний атома в микрокапилляре и рассчитана длина эффективного охлаждения атома до энергии h2 k2/ 2 M. Создана трехмерная модель. Рассматривается возможность практического применения данного явления для создания технологии атомной литографии и фабрикации наноструктур

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: 213489 - кх.
   539.2
   В 16

    Валянский, Сергей Иванович.
    Современные методы исследования наноструктур. Метод оптической поверхностно-плазменной микроскопии [] : учебное пособие / С. И. Валянский, Е. К. Наими ; под ред. Д. Е. Капуткина ; Нац. исслед. технологический ун-т "МИСиС"., Каф. физики. - М. : Изд. Дом МИСиС, 2011. - 172 с. - (Национальный исследовательский технологический университет МИСиС ; № 2055). - ISBN 978-5-87623-460-5 : 234.08 р.
ГРНТИ
29.19
ББК 539.24я73
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 26

    Векшин, М. М.
    Полосно-заграждающий фильтр на основе четырехслойного оптического волновода / М. М. Векшин, О. А. Кулиш, Н. А. Яковенко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 50-54 : рис. - Библиогр.: с. 54 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВОЛНОВОД ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫЙ ИОНООБМЕННЫЙ -- ФИЛЬТР ПОЛОСНО-ЗАГРАЖДАЮЩИЙ -- УСИЛИТЕЛЬ ЭРБИЕВЫЙ -- ПОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- ОПТИКА ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ИЗЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИЕ
Аннотация: Предложена новая простая схема оптического узкополосного заграждающего спектрального фильтра на основе четырехслойного ионообменного волновода с локально нанесенной высокопреломляющей пленкой. Расчетный коэффициент пропускания фильтра для подавления излучения лазера накачки эрбиевого усилителя с длиной волны 0,98 мкм составляет —15 дБ при вносимых потерях 0,6 дБ на рабочей длине 1,55 мкм. Представлены пространственные распределения электрических полей волноводных мод фильтра

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58

   
    Влияние ультразвука на свойства экструдируемого композитного материала / Е. А. Прянишникова, Н. А. Беляева, А. М. Столин, Д. Е. Кобзев // Композиты и наноструктуры. - 2013. - № 2. - С. 30-41. - Библиогр.: с. 41 (16 назв.) . - ISSN 1999-7590
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭКСТРУЗИЯ -- УЛЬТРАЗВУК -- КОМПОЗИТ -- ВЯЗКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ -- ПОРИСТОСТЬ
Аннотация: Представлены результаты численного анализа влияния ультразвуковой волны на динамику течения структурированного сжимаемого композитного материала в процессе экструзии. Изменение вязкости среды и плотности материала приводят к изменению времени выдавливания материала. Результаты подтверждаются опубликованными экспериментальными данными

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: 205087 - кх.
   536
   В 68

    Волокитин, Александр Иванович.
    Тепловое излучение на наноуровне. Теория и приложения [] : научное издание / А. И. Волокитин. - Самара : Изд-во "Сам. ун-т", 2008. - 239 с. - Библиогр.: с. 229-239. - ISBN 978-5-86465-398-2 : 300.00 р.
ГРНТИ
29.29
ББК 536 + 623.7
Рубрики: ФИЗИКА--МОЛЕКУЛЯРНАЯ ФИЗИКА
   ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов / Ф. И. Высикайло // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (27 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- КУМУЛЯЦИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ И ФИЗИЧЕСКОЕ -- РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E > 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En > 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En > 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R > R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En < 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En > 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En > 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E > 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E > 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): ^w(r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E > 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En > 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En > 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 55

    Глухова , О. Е.
    Исследование распространения краевых волн в многослойных графеновых пластинах в зависимости от вида укладки слоев / О. Е. Глухова , Е. Л. Коссович // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 19-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (34 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВИДЫ УКЛАДКИ СЛОЕВ -- ПЛАСТИНЫ ГРАФЕНОВЫЕ -- ГРАФЕН МНОГОСЛОЙНОЙ -- ТИПЫ УКЛАДКИ СЛОЕВ ААА, ABA, ABC -- ПЛОТНОСТЬ -- МЕТОД ХАРРИСОНА КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЙ
Аннотация: Исследован прогиб многослойной графеновой пластины в рамках теории сплошной среды. Рассмотрено три вида укладки слоев (ориентации гексагональных элементов атомной сетки монослоя графена) — типов ААА, ABA, ABC. Для каждого из таких материалов были вычислены плотности. Также в работе были использованы явные модели, описывающие распространение изгибной краевой волны Коненкова в многослойных графеновых пластинах, модифицированные под указанные выше случаи. Можно сделать вывод, что наиболее прочными оказываются пластины из многослойного графена с типом укладки слоев АВС

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 30

    Егоров, В. В.
    Аналитическое решение задачи рассеяния электромагнитной волны от статически неровной в среднем плоской поверхности / В. В. Егоров // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 47-51 : рис. - Библиогр. : с. 51 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ЗАДАЧА ГРАНИЧНАЯ -- НЕРОВНОСТИ ПОВЕРХНОСТИ -- ПОЛЕ ГРАНИЧНОЕ -- ПОЛЕ РАССЕЯННОЕ

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 41

   
    ИК приемник на основе перехода шоттки с резонансными нанои микроструктурами / А. К. Есман, В. К. Кулешов, Г. Л. Зыков, В. Б. Залесский // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 44-46. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
681.7.015.2:(621.382.2:535.38.32)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЕРЕХОД ШОТТКИ -- РЕЗОНАНСНЫЕ СТРУКТУРЫ -- БАЛОЧНЫЕ ВЫВОДЫ -- ПОТЕРИ НА ОТРАЖЕНИЕ
Аннотация: Показано, что введение в конструкцию ИК приемника на основе перехода Шоттки резонансных структур в виде разомкнутых прямоугольных резонаторов с размерами меньше длины волны принимаемого излучения позволяет получить потери на отражение - 44,15 дБ, коэффициент стоячей волны - 1,012 и коэффициент направленного действия - 7,89.

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30  
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика