Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   М 92

    Мухин, Д.
    Сверхточная регистрация смещения источника света в оптической микроскопии [Текст] / Д. Мухин, И. Яминский // Наноиндустрия. - 2008. - № 3. - С. 30-35 : рис., табл. - Библиогр.: с. 35 (10 назв.) . - ISSN 1993-8578

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СКАНИРУЮЩИЙ МИКРОСКОП -- ЦЕНТР МАСС
Аннотация: В начале 80-х годов прошлого века был изобретен сканирующий туннельный микроскоп, а чуть позднее - атомно-силовой. с помощью которых получены изображения с разрешением менее 1 нм. Однако сканирующая зондовая микроскопия позволяет исследовать лишь свойства поверхности объекта, а изучать, тем более, визуально наблюдать его внутреннее строение, невозможно. В связи с этим почвилась необходимость разработки новых методов оптической микроскопии для сверхточного изучения объектов, размеры которых не превышают нескольких нанометров. Эта проблема особенно актуальна для таких социально значимых областей науки, как биология, микроэлектроника, кристаллография, где положение и движение объекта необходимо определять со сверхвысокой точностью

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Н 16

    Нагель, М. Ю.
    Моделирование роста осаждаемых пленок / М. Ю. Нагель, Ю. В. Мартыненко // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 104-108 : рис., табл. - Библиогр. : с. 108 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- КОНЦЕНТРАЦИЯ КЛАСТЕРОВ -- ПОЛИКРИСТАЛЛ -- АДАТОМЫ
Аннотация: Описан численный код, позволяющий моделировать процесс образования осаждаемых пленок, а также приведены результаты расчета размера зерна поликристаллической пленки в зависимости от параметров осаждения. Рассмотрены процессы, происходящие на поверхности подложки: движение адсорбированных атомов (адатомов) по поверхности, их объединение в кластеры, рост кластеров, приводящий к образованию поликристалла. Показано, что со временем осаждения концентрация кластеров достигает насыщения С, а размер зерен образующегося в последующем поликристалла равен d = C-1/2. Концентрация кластеров растет при увеличении потока атомов на подложку и при уменьшении коэффициента диффузии атомов по поверхности D. Причем размер зерна поликристалла зависит от безразмерного параметра ф = qa4/D (а - атомный размер, q - поток атомов на подложку), как d=ф -1/4-ф -1/6. Концентрация кластеров растет (а размер зерен убывает) при затрудненном образовании кластеров: при убывании сечения захвата атомов кластерами и атомами, при наличии силы отталкивания атомов друг от друга и от кластеров

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Д 37

    Деспотули, А. Л.
    Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ
Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)