Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Абрамов И. И. Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe /И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 11.-С.16-18
2.

Елесин В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия /В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.81-84
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика