Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 50
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Катеев И. Ю., Сукочев А. Ю.
Заглавие : Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 84 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диод резонансно-туннельный--процессы переходные--взаимодействие межэлектронное --ток--ртд--резонанс
Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика