Поисковый запрос: (<.>K=ДИЭЛЕКТРИК<.>) |
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом/М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.8-11
|
2.
| Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов /В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.2-9
|
3.
| Галушка В. В. Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии/В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.37-42
|
4.
| Горкунов М. В. Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод /М. В. Горкунов, Е. В. Подивилов, Б. И. Стурман // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5 ,N №3-4.-С.92-97
|
5.
| Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов /В. А. Чернов [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.21-26
|
6.
| Зайцев Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов /Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.36-39
|
7.
| Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл/М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 12.-С.45-48
|
8.
| Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора /Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.89-94
|
9.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой/И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.29-42
|
10.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.28-41
|
|
|