Поисковый запрос: (<.>K=ДИЭЛЕКТРИК<.>) |
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл/М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 12.-С.45-48
|
2.
| Мокров Е. А. Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком /Е. А. Мокров , Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.31-36
|
3.
| Зайцев Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов /Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.36-39
|
4.
| Белозубов Е. М. Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком/Е. М. Белозубов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 4.-С.48-53
|
5.
| Глухова О. Е. Электронные и упругие свойства графана - нового материала электроники: квантово-химическое и эмпирическое исследования /О. Е. Глухова , М. М. Слепченков // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 8.-С.22-24
|
6.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 9.-С.27-37
|
7.
| Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.28-41
|
8.
| Горкунов М. В. Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод /М. В. Горкунов, Е. В. Подивилов, Б. И. Стурман // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5 ,N №3-4.-С.92-97
|
9.
| Шмырева А. Н. Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия /А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 5-6 .-С.99-104
|
10.
| Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов /В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.2-9
|
|
|