Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Расплавы (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИЭЛЕКТРИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-21 
1.

Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл/М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 12.-С.45-48
2.

Горкунов М. В. Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод /М. В. Горкунов, Е. В. Подивилов, Б. И. Стурман // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5 ,N №3-4.-С.92-97
3.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 10 .-С.28-41
4.

Шмырева А. Н. Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия /А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 5-6 .-С.99-104
5.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой/И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.29-42
6.

Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов /В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.2-9
7.

Зайцев Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов /Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.36-39
8.

Мокров Е. А. Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком /Е. А. Мокров , Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.31-36
9.

Белозубов Е. М. Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком/Е. М. Белозубов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 4.-С.48-53
10.

Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) /И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 9.-С.27-37
11.

Глухова О. Е. Электронные и упругие свойства графана - нового материала электроники: квантово-химическое и эмпирическое исследования /О. Е. Глухова , М. М. Слепченков // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 8.-С.22-24
12.

Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов /В. А. Чернов [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.21-26
13.

Суздалев И. П. Электрические и магнитные переходы в нанокластерах и наноструктурах /И. П. Суздалев // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 9-10.-С.36-59
14.

Олейник А. С. Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия /А. С. Олейник, А. В. Федоров // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 5-6.-С.120-129
15.

Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками /Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.15-17
16.

Формирование филаментных структур из наночастиц благородных металлов в прозрачных диэлектриках под воздействием непрерывного лазерного излучения /А. О. Рыбалтовский, В. Н. Баграташвили, С. С. Илюхин, Д. А. Леменовский, Н. В. Минаев, В. В. Фирсов, В. И. Юсупов // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 7-8.-С.110-119
17.

Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом/М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.8-11
18.

Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора /Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.89-94
19.

Троян П. Е. Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем /П. Е. Троян, В. И. Зеленский // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 4.-С.9-11
20.

Галушка В. В. Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии/В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.37-42
 1-20    21-21 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика