Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Расплавы (6)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИЭЛЕКТРИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-21 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 89
Автор(ы) : Суздалев И. П.
Заглавие : Электрические и магнитные переходы в нанокластерах и наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 36-59: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 59 (43 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обзор посвящен электронным и магнитным переходам в нанокластерах и наноструктурах. Проводится рассмотрение оригинальных моделей фазовых переходов, трактующих наблюдаемые электрические и магнитные переходы первого рода в ряде нанокластеров и наноструктур с помощью критического размера нанокластера и критической концентрации дефектов в наноструктурах, когда электропроводимость и намагниченность изменяется скачком. Приводится оригинальная модель перехода массивного твердого тела в наноструктуру, появление которой сопровождает фазовые переходы первого рода металл-диэлектрик в оксидах ванадия и магнетите. Рассматриваются электрические и магнитные переходы в изолированных нанокластерах и наноструктурах на основе V2O3, VO2, Fe3O4, aFe2O3 и yFe2O3??
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Чернов В. А., Митерев А. М., Прудников Н. В., Сигейкин Г. И., Леонова Е. А.
Заглавие : Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 21-26: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 26 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведены измерения тока вторичных электронов в МДМ-структурах W-Al2O3-Al как элементах источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Выполнены расчеты энергетических потерь осколков деления и альфа-частиц в слоях МДМ-структур. Проведенные эксперименты и расчеты позволили оптимизировать состав и размеры этих источников тока
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-53
Автор(ы) : Олейник А. С., Федоров А. В.
Заглавие : Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 129 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 68
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В., Красников А. Г., Орлов С. Н., Пастухова Ю. М.
Заглавие : Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Ток смешения Максвелла и "универсальный" динамический отклик в наноионике
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 3-10. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8-9 (45 назв.)
УДК : 621.38
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноионика-- структурно-динамический подход--ток смещения максвелла на потенциальном барьере--универсальный динамический отклик
Аннотация: Введение понятия тока смещения Максвелла на потенциальном барьере при использовании структурно-динамического подхода наноионики позволяет дать детальное описание коллективного явления - взаимосвязанных ион-транспортных и диэлектрик-поляризационных процессов, определяющих формирование и релаксацию пространственного ионного заряда в неоднородном на наномасштабе потенциальном рельефе. В компьютерных экспериментах исследовано распределение локальных токов смещения Максвелла в области идеально поляризуемого когерентного гетероперехода передовой суперионный проводник (ПСИП)/электронный проводник, заряжаемого в гальваностатическом режиме. Другим объектом исследования являлась модельная наноструктура, которая представляет собой прослойку твердого электролита (ТЭ) между двумя ПСИП, образующими с ТЭ когерентные границы. Для экспоненциального распределения высот потенциальных барьеров в этой наноструктуре обнаружен джоншеровский универсальный динамический отклик Res*(w) µ w n (n 1) в поведении реальной части частотно-зависимой комплексной проводимости s*(w). Дана однозначная интерпретация природы динамического отклика
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.6/Г 16
Автор(ы) : Галушка В. В., Биленко Д. И., Терин Д. В.
Заглавие : Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (16 назв.)
УДК : 544.6
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): массоперенос--ионная проводимость--туннельная структура--agi-ag--резистивная память
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS 10 4
Найти похожие
8.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 76
Автор(ы) : Троян П. Е., Зеленский В. И.
Заглавие : Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 9-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры эмисионные--системы тонкопленочные--наноструктуры--металл--диэлектрик--поле электрическое--вакуум--система металл—диэлектрик—металл
Аннотация: Рассматриваются технология получения тонкопленочной системы металл—диэлектрик—металл и свойства, приобретаемые системой в результате электрической формовки в сильном электрическом поле в вакууме. Обсуждается модель возникающей в результате электрической формовки наноструктуры
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Рыбалтовский А. О., Баграташвили В. Н., Илюхин С. С., Леменовский Д. А., Минаев Н. В., Фирсов В. В., Юсупов В. И.
Заглавие : Формирование филаментных структур из наночастиц благородных металлов в прозрачных диэлектриках под воздействием непрерывного лазерного излучения
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 110-119: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 119 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--излучение лазерное--металлы благородные--наночастицы золота и серебра --филаменты--микролинзах --каналирование--матрица--диэлектрик
Аннотация: Образование нитеподобных филаментных структур (длиной до 5 мм и толщиной 5–90 мкм нитей) из наночастиц золота и серебра было изучено в пористых стеклах Vycor и полимерных материалах типа сшитого олигоуретанметакрилата, легированных соответствующимиорганическими и неорганическими прекурсорами этих металлов (H[AuCl4]x4H2O, AgNO3, Ag(hfac)COD), под воздействием непрерывного лазерного излучения видимого диапазона длин волн мощностью 5–100 мВт. Формирование подобных структур вдоль направления лазерного луча с λизл = 473 нм было рассмотрено как во время самого воздействия излучения, так и после его окончания на образцах, содержащих молекулы H[AuCl4]. Механизм появления филаментов из наночастиц металла связан с фотолизом молекул прекурсора, находящихся в зоне облучения, выделением атомов металла и их сборкой в наночастицы. Сам процесс сборки частиц в филаменты упорядочивается за счет эффектов самофокусировки лазерного излучения на возникающих микролинзах в веществе и его каналирования в среде с изменяющимся показателем преломления. На примере наночастиц золота обсуждаются особенности формирования структур из них в данных матрицах при воздействиях излучений с λизл = 405, 473 и 532 нм
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--структура мдп
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белозубов Е. М.
Заглавие : Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 48-53: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 53 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): системы тонкопленочные микроэлектромеханические--диэлектрик монолитный
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком. Показаны преимущества и недостатки различных вариантов построения таких систем
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Слепченков М. М.
Заглавие : Электронные и упругие свойства графана - нового материала электроники: квантово-химическое и эмпирическое исследования
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 22-24: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастица графановая--сжатие продольное--псевдомодуль юнга
Аннотация: С помощью молекулярно-механического метода установлено, что насыщенная водородом наночастица графена (графан) является эластичным материалом. При этом модуль упругого сжатия графана зависит от его размеров, что позволяет определить линейные параметры графана с максимальным для этого материала модулем Юнга. Полуэмпирическим методом РМ3 исследована электронная структура графановых наночастиц. Установлено, что графановые наночастицы можно характеризовать как диэлектрик, у которого энергетическая щель электронного спектра уменьшается с наращиванием длины, стремясь к определенному значению. При этом также убывает и ионизационный потенциал. Проведен сравнительный анализ рассчитанных величин с аналогичными параметрами однослойных нанотрубок
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В.
Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мокрушин А. Д., Мордкович В. Н., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М.
Заглавие : Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кни-структура--полевой датчик холла--двухзатворная управляющая система--моп-транзистор--ток-затворные и холл-затворные характеристики
Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов.
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Мокров Е. А., Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
Заглавие : Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 31-36: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 36 (8 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): системы тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические--диэлектрик деформируемый
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком с планарными и цилиндрическими электродами. Определены оптимальные соотношения их основных элементов
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие
18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 35
Автор(ы) : Чернов В. А., Палагушкин А. Н., Прудников Н. В., Сергеев А. П., Сигейкин Г. И., Леонова Е. А.
Заглавие : Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 9 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроны вторичные--преобразование ядерной энергии прямое--метод магнетронного распыления--структуры мдм--метод электронно-лучевого распыления
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 69
Автор(ы) : Горкунов М. В., Подивилов Е. В., Стурман Б. И.
Заглавие : Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , №3-4. - С. 92-97: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 97 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): решетки наноразмерные--метод собственных мод--структуры металл-диэлектрик
Аннотация: Показано, что широко распространенная концепция оптических собственных мод в волноводных системах без потерь, подразумевающая разделение на распространяющиеся и эванесцентные моды, требует пересмотра при приложении к структурам металл-диэлектрик. В дополнение, к известным существует последовательность аномальных собственных мод с комплексными константами распространения. Последовательный учет аномальных мод позволил разработать новый метод моделирования оптических свойств субволновых металлических решеток с наноразмерными щелями. На основе расчетов спектров пропускания и отражения продемонстрирована возможность применения таких структур для эффективной спектральной фильтрации оптических сигналов
Найти похожие
20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
 1-20    21-21 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика