Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (45)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Публикации об УрО РАН (2)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (2)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (15)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (5)Публикации Чарушина В.Н. (11)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КЛЮЕВ<.>/(700))
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 14
Автор(ы) : Майорова Т. Л., Клюев В. Г., Фам Тхи Хан М.
Заглавие : Релаксация фотовозбужденной проводимости в неоднородных пиролитических пленках CdS
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 103-106: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 106 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): проводимость--пленки cds--релаксация--характер немоноэкспоненциальный--энергия активации--электроны фотовозбужденные неравновесные
Аннотация: Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости в пиролитических пленках CdS, как чистых, так и легированных щелочными металлами, носит сложный немоноэкспоненциальный характер и характеризуется набором значений энергий активации, принимающих значения в интервале E a = 0.2—0.4 эВ. При этом в таких сложных и неоднородных системах энергия активации, измеряемая экспериментально, представляет собой сложную функцию, зависящую от времени фотовозбуждения образца и от времени релаксации фототока: E a = E a(t ex, t !ax). Показано, что в процессе рекомбинации неравновесных фотовозбужденных электронов и дырок принимают участие как минимум четыре типа потенциальных барьеров высотой 0.2, 0.28, 0.35 и 0.39 эВ
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 52
Автор(ы) : Клюев А. В.
Заглавие : Источники фликкерного шума в полупроводниковых наноразмерных светоизлучающих структурах на основе GaAs и его твердых растворов
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 42-48: граф.
Примечания : Библиогр.: с. 48 (3 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1/f шум--лазеры--светоизлучающие диоды--квантовые ямы--квантовые точки--ток утечки
Аннотация: Приведены результаты исследования спектра фликкерного 1/f шума светоизлучающих диодов и лазеров, имеющих наноразмерную структуру на основе арсенида галлия и его твёрдых растворов разного состава
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика