Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (12)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (7)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КОНДЕНСАТОРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


    Мозалев, А. М.
    Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 12


    Бабуров, В. А.
    Исследование и разработка прецизионных конденсаторов, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн / В. А. Бабуров, А. Ю. Павлов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 36-39 : рис., табл. - Библиогр.: с. 39 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ -- НИТРИД КРЕМНИЯ -- КОНДЕНСАТОРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- S-ПАРАМЕТРЫ
Аннотация: Представлены результаты разработки и измерений S-параметров тонкопленочных конденсаторов. Конденсаторы формируются на подложках из арсенида галлия. На основе полученных данных удалось с помощью специального программного обеспечения смоделировать конденсаторы различной топологии, работающие на частотах до 40 ГГц

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика