Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>) |
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Papailiou K. Silicone Composite Insulators. Materials, Design, Applications/K. Papaiiiou, S. Frank. - 2013
|
2.
| Абросимова Н. Д. Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике" /Н. Д. Абросимова, В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 9.-С.26-27
|
3.
| Акципетров О. А. Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур/О. А. Акципетров, И. М. Баранова, К. Н. Евтюхов. - 2012
|
4.
| Вернер В. Д. Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями /В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 12.-С.13-16
|
5.
| Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния/Д. И. Биленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2009. т.№ 10.-С.15-18
|
6.
| Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии /А. Я. Колпаков [и др.] // Российские нанотехнологии, 2011. т.Т. 6,N № 3-4.-С.43-45
|
7.
| Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов /А. С. Корпухин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 2.-С.34-40
|
8.
| Герасименко Н. Н. Кремний - материал наноэлектроники/Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - 2007
|
9.
| Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом/М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.8-11
|
10.
| Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур /П. Г. Бабаевский, А. А. Жуков , А. С. Корпухин, Г. М. Резниченко // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 7.-С.15-18
|
|
|