Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 76


   
    Применение пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе МЭМС / С. П. Тимошенков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 35-38 : рис. - Библиогр. : с. 38 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ -- МЭМС -- ГЕТТЕРЫ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ -- СТРУКТУРЫ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩИЕ
Аннотация: Рассматриваются способы применения пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе микроэлектромеханических систем. Предлагаемые способы позволяют создавать газопоглощающие структуры с высоким значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, совместимые с технологиями микросистемной техники

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 35


    Вернер, В. Д.
    Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями / В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКТИВНЫЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ -- СВЧ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ И ПОЛНОСТЬЮ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- РЕЛЬЕФ ОПОРНЫЙ САМОФОРМИРОВАНИЯ ДЛЯ ВСЕЙ СТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ -- ИС РАДИОЧАСТОТНЫЕ С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ 10-160 ггЦ,
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 39


   
    Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния / Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88 : табл. - Библиогр. : с. 88 (31 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, ^50 = 70 нм; альфа-форма, ^50 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, ^50 = 200 нм; нитрид, Si3N4, ^50 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 69


    Дорофеев, С. Г.
    Новый способ получения флуоресцентных гидрофильных наночастиц на основе кремния / С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2011. - № 4. - С. 102-104 : рис. - Библиогр.: с. 104 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БИОМЕТКИ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ГИДРОФИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ -- КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- МЕТКИ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИОДЕГРАДИРУЕМЫЕ
Аннотация: Разработан новый способ получения флуоресцирующих гидрофильных частиц нанокремния, позволяющий получать массовые количества наноматериала, что открывает возможности его применения в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии. Получены наночастицы, дающие золи в воде, обладающие устойчивой яркой люминесценцией с максимумами интенсивности в области 780 нм, средними размерами 2-3 нм и узкой функцией распределения по размерам - от 1,3 до 4,0 нм, без использования токсичных веществ в процессе их гидрофилизации

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абросимова, Н. Д.
    Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике" / Н. Д. Абросимова, В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 26-27. - Библиогр.: с. 27 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРЫ КНД, КНС, КНИ
Аннотация: Рассмотрены вопросы контроля приборных слоев полупроводниковых гетероструктур с использованием метода эллипсометрии. Показана информативность разработанных методик

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75


   
    ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 38


    Синев, Л. С.
    Согласование коэффициентов термического расширения при эдектростатическом соединении кремния со стекдом / Л. С. Синев, В. Т. Рябов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 24-27 : рис., граф. - Библиогр. : с. 27 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- СОЕДИНЕНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ -- СТЕКЛО -- РАСШИРЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ
Аннотация: Рассмотрены напряжения, возникающие в деталях из стекла и кремния после их соединения электростатическим методом из-за разницы их коэффициентов теплового линейного расширения. Представлена аналитическая модель, позволяющая графически определить оптимальную температуру доведения соединения. Даны рекомендации по выбору температуры доведения процесса соединения

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии / А. Я. Колпаков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОКРЫТИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ -- СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ АЗОТОМ -- МЕТОД ВАКУУМНО-ДУГОВОЙ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Аб. Г.
    Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Аб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ -- СОЗДАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР -- РАССЕЯНИЕ ОБРАТНОЕ РЕЗЕРФОРДОВСКОЕ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Наноструктура тонких пленок композита кремний - углерод, полученных методом магнетронного распыления / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 120-124 : рис., табл. - Библиогр. : с. 124 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- НАНОСТРУКТУРА -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК -- НАНОКОМПОЗИТ КРЕМНИЙ-УГЛЕРОД
Аннотация: Методом послойного магнетронного распыления получены тонкие пленки нанокомпозита кремний - углерод. Толщина пленок составляет 110-470 нм, и они имеют слоистую наноструктуру, образованную слоями кремния и углерода толщиной 7-10 нм каждый. Рентгенографические исследования показали присутствие в составе пленок кристаллической фазы карбида кремния, образующегося на границах слоев. Спектры зеркального отражения в диапазоне 200-2500 нм содержат ряд максимумов, которые могут быть отнесены к спектрам поглощения аморфного кремния, аморфного углерода и разупорядоченного карбида кремния. Особенности спектров ИК поглощения указывают на возможность образования графеновых фаз низкой размерности в области контактов слоев кремния и углерода. Сделан вывод, что изученные пленки могут рассматриваться как перспективная база для разработки электродов литиевых батарей с улучшенными характеристиками

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика