Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-50 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 76


   
    Применение пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе МЭМС / С. П. Тимошенков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 35-38 : рис. - Библиогр. : с. 38 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ -- МЭМС -- ГЕТТЕРЫ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ -- СТРУКТУРЫ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩИЕ
Аннотация: Рассматриваются способы применения пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе микроэлектромеханических систем. Предлагаемые способы позволяют создавать газопоглощающие структуры с высоким значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, совместимые с технологиями микросистемной техники

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 35


    Вернер, В. Д.
    Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями / В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКТИВНЫЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ -- СВЧ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ И ПОЛНОСТЬЮ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- РЕЛЬЕФ ОПОРНЫЙ САМОФОРМИРОВАНИЯ ДЛЯ ВСЕЙ СТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ -- ИС РАДИОЧАСТОТНЫЕ С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ 10-160 ггЦ,
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 39


   
    Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния / Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88 : табл. - Библиогр. : с. 88 (31 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, ^50 = 70 нм; альфа-форма, ^50 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, ^50 = 200 нм; нитрид, Si3N4, ^50 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 69


    Дорофеев, С. Г.
    Новый способ получения флуоресцентных гидрофильных наночастиц на основе кремния / С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2011. - № 4. - С. 102-104 : рис. - Библиогр.: с. 104 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БИОМЕТКИ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ГИДРОФИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ -- КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- МЕТКИ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИОДЕГРАДИРУЕМЫЕ
Аннотация: Разработан новый способ получения флуоресцирующих гидрофильных частиц нанокремния, позволяющий получать массовые количества наноматериала, что открывает возможности его применения в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии. Получены наночастицы, дающие золи в воде, обладающие устойчивой яркой люминесценцией с максимумами интенсивности в области 780 нм, средними размерами 2-3 нм и узкой функцией распределения по размерам - от 1,3 до 4,0 нм, без использования токсичных веществ в процессе их гидрофилизации

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абросимова, Н. Д.
    Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике" / Н. Д. Абросимова, В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 26-27. - Библиогр.: с. 27 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРЫ КНД, КНС, КНИ
Аннотация: Рассмотрены вопросы контроля приборных слоев полупроводниковых гетероструктур с использованием метода эллипсометрии. Показана информативность разработанных методик

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75


   
    ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 38


    Синев, Л. С.
    Согласование коэффициентов термического расширения при эдектростатическом соединении кремния со стекдом / Л. С. Синев, В. Т. Рябов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 24-27 : рис., граф. - Библиогр. : с. 27 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- СОЕДИНЕНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ -- СТЕКЛО -- РАСШИРЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ
Аннотация: Рассмотрены напряжения, возникающие в деталях из стекла и кремния после их соединения электростатическим методом из-за разницы их коэффициентов теплового линейного расширения. Представлена аналитическая модель, позволяющая графически определить оптимальную температуру доведения соединения. Даны рекомендации по выбору температуры доведения процесса соединения

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии / А. Я. Колпаков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОКРЫТИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ -- СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ АЗОТОМ -- МЕТОД ВАКУУМНО-ДУГОВОЙ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Аб. Г.
    Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Аб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ -- СОЗДАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР -- РАССЕЯНИЕ ОБРАТНОЕ РЕЗЕРФОРДОВСКОЕ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Наноструктура тонких пленок композита кремний - углерод, полученных методом магнетронного распыления / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 120-124 : рис., табл. - Библиогр. : с. 124 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- НАНОСТРУКТУРА -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК -- НАНОКОМПОЗИТ КРЕМНИЙ-УГЛЕРОД
Аннотация: Методом послойного магнетронного распыления получены тонкие пленки нанокомпозита кремний - углерод. Толщина пленок составляет 110-470 нм, и они имеют слоистую наноструктуру, образованную слоями кремния и углерода толщиной 7-10 нм каждый. Рентгенографические исследования показали присутствие в составе пленок кристаллической фазы карбида кремния, образующегося на границах слоев. Спектры зеркального отражения в диапазоне 200-2500 нм содержат ряд максимумов, которые могут быть отнесены к спектрам поглощения аморфного кремния, аморфного углерода и разупорядоченного карбида кремния. Особенности спектров ИК поглощения указывают на возможность образования графеновых фаз низкой размерности в области контактов слоев кремния и углерода. Сделан вывод, что изученные пленки могут рассматриваться как перспективная база для разработки электродов литиевых батарей с улучшенными характеристиками

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 59


   
    Универсальный приемник дифференциальных сигналов для программируемых микросхем / Ю. Ф. Адамов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 44-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИЕМНИК ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ СИГНАЛОВ -- МИКРОСХЕМЫ ПРОГРАММИРУЕМЫЕ -- ИНТЕРФЕЙСЫ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ
Аннотация: Описана новая схема приемника дифференциальных сигналов, работоспособная в диапазоне синфазного смещения сигналов от нуля до напряжения питания. Схема реализована в тестовом кристалле на основе БиКМОП-технологии с гетероструктурными биполярными транзисторами со слоями кремний-германий

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 20


   
    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 90


    Кульчицкий, Н. А.
    Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- CDTE -- СЕЛЕНИД МЕДИ-ИНДИЯ -- КРЕМНИЙ АМОРФНЫЙ
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 31


    Масальский, Н. В.
    Характеристики субмикронного фотонного фазового модулятора на структуре "кремний на изоляторе" / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 38-42. - Библиогр.: с. 42 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВАЯ НАНОФОТОНИКА -- ВОЛНОВОДНАЯ КНИ-СТРУКТУРА -- ШИРОКОПОЛОСНАЯ ФАЗОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ
Аннотация: Обсуждается перспективный подход для реализации широкополосной оптической модуляции. На основе численных решений исследованы фазовые модуляционные характеристики фотонных модуляторов, выполненных на базе техпроцесса "'кремний на изоляторе". Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными. На основе численных расчетов показано, что достижимая полоса модуляции составляет более 100 ГГц

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 67


   
    Управление электрофизическими свойствами полученных электрохимически и методом бестоковой модификации наноструктур на основе серебра и кремния / Д. И. Биденко, В. В. Галушка, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 63-65 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БЕСТОКОВАЯ МОДИФИКАЦИЯ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- СЕРЕБРО -- КРЕМНИЙ

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 41


   
    Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе / Н. Ю. Фирсова, А. С. Елшин, М. А. Марченкова, А. К. Болотов, М. С. Иванов, И. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Д. А. Киселев, Е. Д. Мишина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - Библиогр.: с. 42 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
"ЖЕРТВЕННЫЙ" СЛОЙ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАВИКОВАЯ КИСЛОТА
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками / Л. П. Ичкитидзе, В. М. Подгаецкий, Б. М. Путря, С. В. Селищев, Е. В. Благов, В. А. Галперин, Ю. П. Шаман, Е. П. Кицюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 2-4 : рис., табл. - Библиогр.: с. 4 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МЕТОД ШЕЛКОГРАФИИ -- НАНОТРУБКИ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- СУСПЕНЗИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ ВОДНАЯ -- КРЕМНИЙ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- СЛОИ -- КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗА
Аннотация: Исследована удельная электропроводность слоев композиционных наноматериалов микрометровых размеров, состоящих из карбоксиметилцеллюлозы и многослойных углеродных нанотрубок с различными аспектными отношениями. Ультрадисперсная водная суспензия наносилась методом шелкографии на подложки из покровного стекла и кремния со слоем оксида кремния. Электропроводность измерялась четырехзондовым методом. Для слоев в интервале толщин 0,5...10 мкм наибольшая удельная объемная проводимость составила -350 См/м. Описаны некоторые аспекты увеличения электропроводности под действием лазерного излучения

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 38


   
    Синтез и характеризация красных фотолюминесцентных гидрофильных наночастиц на основе кремния / С. Г. Дорофеев, В. Н. Баграташвили, В. П. Дядченко, Н. Н. Кононов, А. О. Рыбалтовский, А. П. Свиридов, Г. В. Фетисов, С. Е. Цыпина, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 79-82 : рис. - Библиогр.: с. 82 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ЧАСТИЦЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ -- ГИДРОФИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ -- ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯ
Аннотация: В работе представлены результаты синтеза и физико-химической характеризации гидрофильных биосовместимых ФЛ частиц на основе нанокристаллического кремния. Способ получения прост в исполнении и не требует применения токсичных реагентов на стадии гидрофилизации поверхности нанокремния. Образующиеся наночастицы обладают яркой фотолюминесценцией с максимумами интенсивности в области 600-850 нм, средними размерами 2,0-2,5 нм и достаточно узкой функцией распределения по размерам - от 1,3 до 4,0 нм. Квантовый выход фотолюминесценции достигает 15%. Исследована деградация люминесцентных свойств синтезированных наночастиц в воде. Обнаружено наличие двух спектроскопически различных типов центров (с соотношением концентраций 2:1) со стабильной фотолюминесценцией и максимумом в области 700 нм, и с деградируемой в воде фотолюминесценцией (за время около 100 часов) с максимумом вблизи 780 нм. Рассмотрена возможная структура наночастиц на основе кремния, а также модели двух типов флуоресцентных центров

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 69


    Дорофеев, С. Г.
    Новый способ получения флуоресцентных гидрофильных наночастиц на основе кремния / С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 62-64 : рис. - Библиогр.: с. 64 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- МЕТКИ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИОДЕГРАДИРУЕМЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- БИОМЕТКИ -- ГИДРОФИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ
Аннотация: Разработан новый способ получения флуоресцирующих гидрофильных частиц нанокремния, позволяющий получать массовые количества наноматериала, что открывает возможности его применения в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии. Получены наночастицы, дающие золи в воде, обладающие устойчивой яркой люминесценцией с максимумами интенсивности в области 650 нм и 730 нм, средними размерами 2-3 нм и узкой функцией распределения по размерам - от 1,3 до 4,0 нм, без использования токсичных веществ в процессе их гидрофилизации

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 17


   
    Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния нанокристаллического кремния / А. О. Рыбаотовский, В. Н. Баграташвили, А. А. Ищенко, Н. В. Минаев, Н. Н. Кононов, С. Г. Дорофеев, А. А. Крутикова, А. А. Ольхов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 96-101 : рис. - Библиогр.: с. 101 (18 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ЭФФЕКТЫ ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ -- СПЕКТРЫ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ -- МЕТОД КР СПЕКТРОСКОПИИ -- ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНЫЕ -- ЧАСТИЦЫ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (НК-SI) -- МОНОСИЛАН
Аннотация: Методом КР спектроскопии впервые проведены исследования процессов воздействия непрерывного лазерного излучения с длиной волны 532 нм на частицы нанокристаллического кремния (нк-Si), полученного методом лазерного пиролиза моносилана. Установлено, что воздействие достаточно мощного излучения (10 5-10 6 Вт/см 2) вызывает значительные изменения состояния нк-Si, которые связаны с развитием термоокислительных процессов на воздухе, приводящих к сложному характеру изменения параметров полосы КР, принадлежащей нк-Si. С использованием СКФ импрегнации в среде СК—CO 2 реализован процесс матричного внедрения частиц нк-Si в микрочастицы полиэтилена низкой плотности. Установлено, что воздействие лазерного излучения на частицы нк-Si в полимерной матрице начинает проявляться в виде изменения полосы КР при плотностях мощности, значительно больших, чем в случае чистого порошка нк-Si

Найти похожие

 1-20    21-40   41-50 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика