Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-50 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж3/P 23
Автор(ы) : Papailiou, Konstantin O., Frank, Schmuck
Заглавие : Silicone Composite Insulators. Materials, Design, Applications
Выходные данные : Berlin: Springer, 2013
Колич.характеристики :XVII, 495 с.: ил.
Серия: Power Systems
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 489-495
ISBN, Цена 978-3-642-15319-8: 5620.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : Ж377
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛЫ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 58
Автор(ы) : Биленко Д. И., Белобровая О. Я., Галушка В. В., Жаркова Э. А., Мысенко И. Б., Терин Д. В., Хасина Е. И.
Заглавие : Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 12 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на изоляторе--моделирование--моп-транзистор
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на сапфире--эпитаксия из твердой фазы--радиационная стойкость--плотность деффектов
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Колпаков А. Я., Суджанская И. В., Галкина М. Е., Гончаров И. Ю., Поплавский А. И., Манохин С. С.
Заглавие : Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 45 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Корпухин А. С., Бабаевский П. Г, Жуков А. А., Козлов Д. В., Смирнов И. П.
Заглавие : Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 34-40: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 40 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследовано влияние условий формирования и толщины полиимидного слоя, состояния балки в процессе его имидизации, а также природы и толщины функционального металлического слоя на начальный угол отклонения слоистых композиционных упруго-шарнирных полиимид-кремниевых консольных балок тепловых актюаторов и его изменение при нагревании и охлаждении. Установлено, что с точки зрения направленного регулирования этих характеристик важнейшую роль играют температура имидизации и толщина полиимидных слоев в упруго-шарнирной области, а также свободное или заневоленное состояние балок в процессе имидизации. Функциональные слои металлов толщиной порядка 0,1 мкм незначительно влияют на термодеформационные характеристики балок, а при увеличении их толщины - резко ухудшают эти параметры
Найти похожие
7.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 39
Автор(ы) : Бабаевский П. Г., Жуков А. А., Корпухин А. С., Резниченко Г. М.
Заглавие : Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 15-18: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.18 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полиимид--кремний--микроструктура упруго-шарнирная
Аннотация: Исследованы деформационно-прочностные свойства растяжении полиимидно-кремниевых трапециевидных упруго-шарнирных микроструктур, модифицированных армированием в нижней части полиимидного слоя функционализированными одностенными углеродными трубками и нанесением на поверхность кремния тонких слоев кремнийорганического соединения, алюминия и системы ванадий-никель. Показано, что армирование полиимида введением нанотрубок во всех случаях повышает деформационно-прочностные характеристики микроструктур
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Д 50
Автор(ы) : Гриценко, Владимир Алексеевич, Тысченко, Ида Евгеньевна, Попов, Владимир Павлович, Перевалов, Тимофей Викторович
Заглавие : Диэлектрики в наноэлектронике : научное издание
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010
Колич.характеристики :257 с
Коллективы : Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
ISBN, Цена 978-5-7692-1081-5: 510.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 39
Автор(ы) : Астафурова Т. П., Моргалев Ю. Н., Боровикова Г. В., Зотикова А. П., Верхотурова Г. С., Зайцева Т. А., Постовалова В. М., Цыцарева Л. К.
Заглавие : Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88: табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 88 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, . 0 = 70 нм; альфа-форма, . 0 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, . 0 = 200 нм; нитрид, Si3N4, . 0 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/И 88
Автор(ы) : Александров П. А., Демаков К. Д., Шемардов С. Г., Кузнецов Ю. Ю.
Заглавие : Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 30-32: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 32 (11 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Ковалевский А. А., Лабунов В. А., Строгова А. С., Шевченок А. А.
Заглавие : Исследование закономерностей транспорта водорода в порошковый кремний
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 13-16: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 16 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транспорт водорода--порошковый кремний--водород--порошки
Найти похожие
14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Р/И 88
Автор(ы) : Шевченко, Владимир Ярославович, Киселев, Олег Иванович, Соколов, Валерий Николаевич, Агафонов, Александр Викторович, Алешина, Нонна Андреевна
Заглавие : Исследование, технология и использование нанопористых носителей лекарств в медицине
Выходные данные : Б.м., 2015
Колич.характеристики :367 с.: граф., табл.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Авт. указаны на обороте тит. л.
ISBN, Цена 978-5-93808-255-7: 1148.00 р.
ГРНТИ : 76.31 + 81.09
ББК : Р281 + Ж377
Предметные рубрики: ЗДРАВООХРАНЕНИЕ. МЕДИЦИНСКИЕ НАУКИ-- ФАРМАКОЛОГИЯ-- ФАРМАЦИЯ-- ТОКСИКОЛОГИЯ
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛЫ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/И 88
Автор(ы) : Ковалевский А. А., Строгова А. С., Плякин Д. В., Борисевич В. М.
Заглавие : Исслелование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 4. - С. 14-19: ил.
Примечания : Библиогр. : с. 19 (12 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокластеры--пленка--поликристаллический кремний--германий
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гринькин Е. А., Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Тютюгин А. В., Турков В. Е.
Заглавие : Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (4 назв.)
УДК : 546.284-31 + 531.768 + 531.77
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): "жертвенный" слой--диоксид кремния--травление--плавиковая кислота
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры
Найти похожие
17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 642/Г 37
Автор(ы) : Герасименко, Николай Николаевич, Пархоменко, Юрий Николаевич
Заглавие : Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для вузов
Выходные данные : М.: Техносфера, 2007
Колич.характеристики :351 с
Серия: Мир материалов и технологий
ISBN, Цена 5-94836-101-2: 215.00 р.
ISBN, Цена 978-5-94836-101-7: Б.ц.
ГРНТИ : 45.01
ББК : 642.331.2я73
Предметные рубрики: ЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний (применение)--наноэлектроника (приборы)--нанофотоника (приборы)
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 17
Автор(ы) : Рыбаотовский А. О., Баграташвили В. Н., Ищенко А. А., Минаев Н. В., Кононов Н. Н., Дорофеев С. Г., Крутикова А. А., Ольхов А. А.
Заглавие : Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния нанокристаллического кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 96-101: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 101 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний нанокристаллический--эффекты лазерно-индуцированные --спектры комбинационного рассеяния --метод кр спектроскопии--излучения лазерные--частицы нанокристаллического кремния (нк-si)--моносилан
Аннотация: Методом КР спектроскопии впервые проведены исследования процессов воздействия непрерывного лазерного излучения с длиной волны 532 нм на частицы нанокристаллического кремния (нк-Si), полученного методом лазерного пиролиза моносилана. Установлено, что воздействие достаточно мощного излучения (10 5-10 6 Вт/см 2) вызывает значительные изменения состояния нк-Si, которые связаны с развитием термоокислительных процессов на воздухе, приводящих к сложному характеру изменения параметров полосы КР, принадлежащей нк-Si. С использованием СКФ импрегнации в среде СК—CO 2 реализован процесс матричного внедрения частиц нк-Si в микрочастицы полиэтилена низкой плотности. Установлено, что воздействие лазерного излучения на частицы нк-Si в полимерной матрице начинает проявляться в виде изменения полосы КР при плотностях мощности, значительно больших, чем в случае чистого порошка нк-Si
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 16
Автор(ы) : Какурин ю. Б., Захаров А. Г., Котов В. Н.
Заглавие : Моделирование массопереноса в неоднородных полупроводниковых структурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 6. - С. 22-25 (12 назв.): рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--дислокационный кремний
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/И 98
Автор(ы) : Ищенко, Анатолий Александрович, Фетисов, Геннадий Владимирович, Асланов, Леонид Александрович
Заглавие : Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля
Выходные данные : М.: Физматлит, 2011
Колич.характеристики :647 с
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 638-647
ISBN, Цена 978-5-9221-1369-4: 929.50 р.
ГРНТИ : 81.09 + 29.19
ББК : 623.7 + 539.2
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ФИЗИКА-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
 1-20    21-40   41-50 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика