Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (51)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (19)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (17)Публикации об УрО РАН (14)Изобретения уральских ученых (2)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (2)История Урала (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (12)Труды Института истории и археологии УрО РАН (5)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (4)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (6)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (42)Расплавы (17)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=МЕТАЛЛ<.>)
Общее количество найденных документов : 44
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-44 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.6/Г 16
Автор(ы) : Галушка В. В., Биленко Д. И., Терин Д. В.
Заглавие : Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (16 назв.)
УДК : 544.6
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): массоперенос--ионная проводимость--туннельная структура--agi-ag--резистивная память
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS 10 4
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 65
Автор(ы) : Биленко Д. И., Галушка В. В., Мысенко И. Б., Терин Д. В.
Заглавие : Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 44-47. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Л 31
Автор(ы) : Лачинов А. А.
Заглавие : Влияние работы выхода электродов на магнетосопротивление структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 1 (28). - С. 11-18. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроды--магнетосопротивление--пдф--немагнитный металл
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 19
Автор(ы) : Дебабов В. Г., Воейкова Т. А., Шебанова А. С., Шайтан К. В., Емельянова Л. К., Новикова Л. М., Кирпичников М. П.
Заглавие : Бактериальный синтез наночастиц сульфида серебра
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 101-107: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 107 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--наночастицы сульфида серебра --синтез бактериальный--метод просвечивающей электронной микроскопии --бактерия shewanella oneidensis mr-1 --серебро--сера--температура
Аннотация: С помощью металл-восстанавливающей электрогенной бактерии Shewanella oneidensis MR-1 из водного раствора AgNO3 и Na2S2O3 при нормальной температуре и давлении получены наночастицы Ag2S с распределением по размеру от 2 до 16 нм, при этом около 70 % частиц имеет размер от 6 до 12 нм в разных образцах. Максимальный выход наночастиц, рассчитанный по серебру, составляет 53 %. Анализ наночастиц Ag2S методом просвечивающей электронной микроскопии показал, что частицы имеют сферическую форму и средний диаметр от 7+2 до 9+2 нм. Методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии определен элементный состав синтезированных частиц, рассчитанное атомное соотношение серебра и серы составило 2:1. Установлено, что образование наночастиц сульфида серебра в водном растворе солей происходит только в присутствии живых бактериальных клеток. Показано, что изменение условий реакции (концентрации реагентов, температуры, времени инкубации клеток в реакционной смеси) резко изменяет выход наночастиц, но незначительно влияет на их размеры
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 76
Автор(ы) : Троян П. Е., Зеленский В. И.
Заглавие : Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 9-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры эмисионные--системы тонкопленочные--наноструктуры--металл--диэлектрик--поле электрическое--вакуум--система металл—диэлектрик—металл
Аннотация: Рассматриваются технология получения тонкопленочной системы металл—диэлектрик—металл и свойства, приобретаемые системой в результате электрической формовки в сильном электрическом поле в вакууме. Обсуждается модель возникающей в результате электрической формовки наноструктуры
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 58
Автор(ы) : Кожушнер М. А.
Заглавие : Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 51 (33 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): холодильник молекулярный--проводимость туненельно-резонансная--явления термоэлектрические--металл-молекула-металл -- ток резонансный--коэффициент пельтье--напряжение--электрод--коэффициент зеебека
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 58
Автор(ы) : Попок В. Н., Вдовина Н. П., Бычин Н. В.
Заглавие : Совместимость нанодисперсных порошков металлов и их оксидов с компонентами смесевых энергетических материалов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 87-93: табл., рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 93 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанопорошки--нанопорошки металлов --материалы энергетические--металл--оксид--соединения нитроэфирные и нитрильные
Аннотация: В статье представлены результаты исследований химической совместимости нанопорошков металлов и их оксидов с компонентами энергетических материалов. Показано, что при разработке энергетических материалов с нанопорошками металлов и их оксидами нецелесообразно использовать нитроэфирные и нитрильные соединения. Определены классы веществ, имеющие приемлемую совместимость с нанопорошками металлов и их оксидами
Найти похожие

9.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/Э 45
Автор(ы) : Кравченко, Тамара Александровна, Золотухина, Екатерина Викторовна, Чайка, Михаил Юрьевич, Ярославцев, Андрей Борисович
Заглавие : Электрохимия нанокомпозитов металл-ионообменник : научное издание
Выходные данные : М.: Наука, 2013
Колич.характеристики :363, [1] с
Коллективы : Ин-т общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Воронежский гос. ун-т
ISBN, Цена 978-5-02-038142-1: 230.00 р.
ГРНТИ : 31.15.33
ББК : 541.13
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ЭЛЕКТРОХИМИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-44 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика