Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (791)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (7)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (399)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (3)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (218)Публикации об УрО РАН (21)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (16)История Урала (4)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (347)Труды Института истории и археологии УрО РАН (21)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (7)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (216)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (226)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (658)Расплавы (624)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (15)Публикации Черешнева В.А. (17)Публикации Чарушина В.Н. (32)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (216)Библиометрия (21)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=МЕТОД<.>)
Общее количество найденных документов : 219
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94

   
    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 47

   
    Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / В. А. Швец [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 3-4. - С. 106-118 : ил. - Библиогр. : с. 117-118 (65 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕЦИЗИОННЫЙ МЕТОД -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ОПТИЧЕСКАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками / Л. П. Ичкитидзе, В. М. Подгаецкий, Б. М. Путря, С. В. Селищев, Е. В. Благов, В. А. Галперин, Ю. П. Шаман, Е. П. Кицюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 2-4 : рис., табл. - Библиогр.: с. 4 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МЕТОД ШЕЛКОГРАФИИ -- НАНОТРУБКИ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- СУСПЕНЗИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ ВОДНАЯ -- КРЕМНИЙ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- СЛОИ -- КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗА
Аннотация: Исследована удельная электропроводность слоев композиционных наноматериалов микрометровых размеров, состоящих из карбоксиметилцеллюлозы и многослойных углеродных нанотрубок с различными аспектными отношениями. Ультрадисперсная водная суспензия наносилась методом шелкографии на подложки из покровного стекла и кремния со слоем оксида кремния. Электропроводность измерялась четырехзондовым методом. Для слоев в интервале толщин 0,5...10 мкм наибольшая удельная объемная проводимость составила -350 См/м. Описаны некоторые аспекты увеличения электропроводности под действием лазерного излучения

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия [Текст] / О. М. Жигалина [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- НАНОСТРУКТУРЫ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
Аннотация: Разработан золь-гель метод формирования сегнетоэлектрических наноструктур титаната бария-стронция с аспектным соотношением 1:10 и более в матрице пористого оксида алюминия. Методами электронной микроскопии выявлена закономерность образования нанострутур при кристаллизации в объеме пор матрицы в виде нанотрубок или наностлобиков диаметром 100...200нм и длиной до нескольких микрометров, формируемых кристаллами титаната бария стронция размером 3...100 нм.

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 41

   
    Экспресс-методы исследования размера, подвижности и агрегационной устойчивости магнитных наночастиц в микрокапиллярном чипе / Т. М. Зимина, А. В. Соловьев, В. В. Лучинин, Б. П. Николаев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 30-35 : рис., табл. - Библиогр.: с. 35 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧИП КАПИЛЛЯРНЫЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ МАГНИТНЫЕ -- СВЕТОРАССЕЯНИЕ КВАЗИУПРУГОЕ В КАПИЛЛЯРЕ -- МАГНИТОФОРЕЗ В КАПИЛЛЯРЕ -- МИКРОТУРБИДИМЕТРИЯ
Аннотация: Представлены результаты применения экспресс-методов измерения свойств магнитных наночастиц (МНЧ) магнетита (Fe 3O 4) в капиллярном чипе с интегрированным композитным планарным магнитопроводом. Размер и магнито-форетическая подвижность МНЧ измерялись методом квазиупругого рассеяния света в гомодинном и гетеродинном режиме соответственно, а агрегационная устойчивость — методом динамической микротурбидиметрии. Проведено сравнение характеристик МНЧ магнетита, синтезированного прямым и наноэмульсионным методами, и показано, что последний метод дает агрегационно-устойчивые наночастицы размером около 10 нм с магнитофоретической подвижностью около 4-10 -13 м 3 -(Тл×А×с) -1. Показано, что разработанные экспресс-методы позволяют проводить быстрые (за время порядка 0,5... 3 мин) измерения свойств МНЧ, используя микрообъемы образцов (1...2 мкл) без их разбавления (при объемной концентрации МНЧ в суспензии до 10 %)

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 75

    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 29

    Шауцуков, А. Г.
    Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования / А. Г. Шауцуков, Х. М. Хатукаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 13-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОД ДВУХПРОЛЕТНЫЙ ЛАВИНОПРОЛЕТНЫЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ИОННОЕ -- МЕТОД ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ
Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионно-легированных слоев. Показано, что разработанная технология может быть использована для организации серийного выпуска ряда перспективных двухпролетных ЛПД миллиметрового диапазона

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 18

    Шалин, А. С.
    Квазиклассическая теория оптических свойств нанокластеров никеля / А. С. Шалин, А. В. Гороховский // Нанотехника. - 2011. - №1. - С. 42-49 : рис., табл. - Библиогр. : с. 49 (43 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКЛАСТЕР НИКЕЛЯ -- КВАНТОВАНИЕ РАЗМЕРНОЕ -- МЕТОД ТОМАСА-ФЕРМИ -- ЗОНЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Аннотация: В работе на основе метода Томаса-Ферми и квазиклассического приближения исследованы излучательные переходы в нанокластерах никеля. Показано, что финитность объема кластера приводит к возникновению дополнительных, пространственно разделенных уровней энергии электронов проводимости. Предложен метод расчета зон локализации электронов проводимости, обладающих различными орбитальными квантовыми числами. Исследован макроскопический оптический отклик никелевого нанокластера

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-82

   
    Чувствительный элемент кольцевого гироскопа на основе нанопористого анодного оксида алюминия / Е. А. Белогуров, Г. Г. Горох, И. А. Таратын, В. В. Хатько // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 16-19 : рис. - Библиогр.: с. 19 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОКСИД АЛЮМИНИЯ НАНОПОРИСТЫЙ АНОДНЫЙ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО ГИРОСКОПА -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ -- ГИРОСКОП КОЛЬЦЕВОЙ
Аннотация: Разработана технология изготовления чувствительного элемента кольцевого гироскопа из нанопористого анодного оксида алюминия. Проведено моделирование основных характеристик кольцевого гироскопа с таким чувствительным элементом. Резонансные частоты для чувствительного элемента представлены в виде функций от пористости и толщины спиц чувствительного элемента. Показано, что полученные выходные характеристики в некоторых случаях превосходят указанные параметры гироскопа с кремниевым чувствительным элементом

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-67

   
    Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления / В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев, М. А. Чебанов, А. Д. Бялик, А. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 3-7 : граф. - Библиогр.: с. 7 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
681.5.08
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПТОВОЛОКНО -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Аннотация: Представлена численная модель оптомеханического узла фотоэлектрического сенсора давления, состоящего из профилированной кремниевой диафрагмы с жестким центром и оптоволокна. Методом конечно-элементного моделирования исследованы условия максимальной чувствительности по смещению свободного конца оптоволокна под действием давления в зависимости от размеров диафрагмы. Показано, что для достижения максимальной чувствительности по перемещению оптоволокна расположение жесткого центра может быть нецентральным и зависит от размеров диафрагмы. Рассмотрены особенности преобразовательной характеристики при использовании в составе фотоэлектрического сенсора давления одного либо двух фотодиодов в дифференциальном включении

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика