Поисковый запрос: (<.>K=МОДЕЛИ<.>) |
Общее количество найденных документов : 77
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 82
Автор(ы) : Хорунжий И. А., Доманевский Д. С., Бобученко Д. С.
Заглавие : Экспериментальная проверка компьютерной модели радиатора для охлаждения мощного полупроводникового прибора
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 25-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 28 (1 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тепловой радиатор--электрическое сопротивление
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 40
Автор(ы) : Джашитов В. Э., Панкратов В. М.
Заглавие : О возможности применения метода элементарных балансов к расчету нестационарных температурных полей наноструктур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 16-22: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 22 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры --температурные поля--метод элементарных балансов--математические модели--тепловые процессы
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 33
Автор(ы) : Лебедев-Степанов П. В., Рыбак С. А.
Заглавие : Исследование нанокластеров диэлектрических жидкостей методом функционала плотности на основе электроупругой модели переходного слоя
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2008. - Т. 3, № 7-8. - С. 56-65: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 65 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Гончаренко И. А.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 13 (21 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): межзонное туннелирование--диод--двухзонная модель
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 14
Автор(ы) : Казанцев А. А., Мухамадеев Р. И.
Заглавие : Моделирование экспериментальных исследований острой токсичности наноматериалов. Обоснование выбора кода и расчетной модели
Место публикации : Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 90-93: ил.
Примечания : Библиогр. : с. 93 (5 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): перенос наночастиц--солверы
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/П 31
Автор(ы) : Печерская Е. А.
Заглавие : Классификационные модели фазового состония сегнетоэлектриков
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 6. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 19 (7 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сегнетоэлектрик--фазовое состояние--вероятность
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 649.7/В 94
Автор(ы) :
Заглавие : Вычислительные наноструктуры: учеб. пособие : в 2 ч./ Г. М. Алакоз [и др.] ; под ред. Г. М. Алакоза. - (Основы информационных технологий). Ч. 1: Задачи, модели, структуры
Выходные данные : М.: Интернет-Университет Информационных Технологий : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :487,[1] с.:
рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 470-487
ISBN, Цена 978-5-9963-0223-9: 396.00 р.
ГРНТИ : 50
ББК : 649.732я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА-- КОМПЬЮТЕРЫ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.5/Д 33
Автор(ы) : Денисенко, Виктор Васильевич
Заглавие : Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике
Выходные данные : М.: Физматлит, 2010
Колич.характеристики :407, [1] с.:
граф., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 372-401
ISBN, Цена 978-5-9221-1200-0: 462.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.523
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ЭЛЕКТРОНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 83
Автор(ы) : Гридчин В. А., Лобач О.В., Дикарева Р. П.
Заглавие : Численное моделирование микроэлектронного сенсора теплового потока
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 ( 12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсор--поток тепловой--технология микроэлектронная--метод конечных элементов
Аннотация: Представлены упрощенная тепловая и конечно-элементная модели микpоэлектpонного сенсора теплового потока, обсуждены особенности констpукции. Определено тепловое сопpотивление и получены выpажения для выходного сигнала сенсоpа. Показано, что численное моделиpование точнее описывает хаpактеpистики по сpавнению с аналитической моделью. Доведено сpавнение модельных pасчетов с экспеpиментальными данными, котоpое подтвеpдило пpавильность моделей. Предложенная численная модель позволяет доводить оптимизацию хаpактеpистик сенсоpа
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 72
Автор(ы) : Спирин В. Г.
Заглавие : Математическая модель сопротивления тонкопленочного резистора
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 38-40: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 40 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резистор тонкопленочный--модель математическая--сопротивление--микросборки
Аннотация: Разработана математическая модель сопротивления тонкопленочного резистора и его погрешности. Применение этой модели позволит проектировать тонкопленочные резисторы с топологическими размерами 10...50 мкм
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных