Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л., Щербакова И. Ю.
Заглавие : Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Гончаренко И. А.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 13 (21 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): межзонное туннелирование--диод--двухзонная модель
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--структура мдп
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.316.8/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Аношкин Ю. В., Печерская Р. М.
Заглавие : Исследование процессов деградации выходных параметров тензорезистивных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 10. - С. 2-4
Примечания : Библиогр.: с. 4 (9 назв.)
ISSN: 1813-8586
УДК : 621.316.8
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резистивная структура--процесс деградации--ик-фурье--спектрометр--модели--концентрация--сопротивление
Аннотация: Установлены механизмы, вызывающие деградацию выходных параметров тензорезистивных структур во времени. Разработаны методика определения концентрации кислорода в тензорезистивных структурах с использованием Фурье-спектроскопии и модель стабилизации выходных параметров тензорезистивных структур на основе хромоникелевых сплавов
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Губич И. А., Печерская Р. М.
Заглавие : Формирование и исследование пористых оксидных пленок на алюминии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 11-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (назв. 19)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): модели--скан-- морфоструктура--анодирование электрохимическое--микроскопия атомносиловая
Аннотация: Представлены результаты исследования процесса формирования пористого оксида алюминия на объемной и пленочной основах в водном растворе щавелевой кислоты. Выявлены закономерности роста оксидной пленки в условиях изменения плотности тока и напряжения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 44
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Торопова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Котов Ю. А., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Акустические свойства водных суспензий оксидов металлов
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4. - С. 50-56: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 56 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суспензии наночастиц оксидов металлов--свойства акустические-- оксиды металлов al, fe, и zr
Аннотация: B настоящей работе исследовали потенциальную возможность использования суспензий наночастиц оксидов металлов в качестве контрастных веществ для улучшения ультразвуковой визуализации сердца и сосудов. Приведены характеристики полученных методом электрического взрыва проволоки нанопорошков оксидов металлов Al, Fe, и Zr: размер частиц, площадь удельной поверхности, распределение частиц по размерам, электронные микрофотографии. Методом динамического рассеяния света показано, что при диспергировании нанопорошков в воде наблюдается процесс агрегации в суспензии, степень которой зависит от размера наночастиц. Были исследованы акустические свойства стабильных суспензий нанопорошков с использованием экспериментальной модели циркуляции крови и ультразвукового аппарата, стандартно используемого в практической медицине. Полученные результаты демонстрируют зависимость интенсивности отраженного эхосигнала от типа оксида металла, особенностей структуры наночастиц порошков и агрегатов, которые они образуют в водной среде. Представленные факты, с одной стороны, показывают высокую эхогенность наночастиц определенных оксидов металлов. С другой стороны, они создают научный базис для понимания взаимодействия наночастиц с ультразвуковой волной
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 65.011.56(075.8)/А 64
Автор(ы) : Аверин И. А., Пронин И. А., Мошников В. А., Димитров Д. Ц., Якушова Н. Д., Карманов А. А., Кузнецова М. В.
Заглавие : Анализ каталитических и адсорбционных свойств d-металлов-модификаторов диоксида олова
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2014. - № 7. - С. 47-51: граф., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 51 (14 назв.)
УДК : 65.011.56(075.8)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовый сенсор--модифицирование--касситерит
Аннотация: Исследуются соотношения между каталитической и адсорбционной активностью d-модификатора, а также его электронной конфигурацией в рамках приближения теории кристаллического поля в полупроводниковых адсорбционных сенсорах на основе диоксида олова. При введении модификаторов d-металлов в матрицу диоксида олова при малой их концентрации будет образовываться твердый раствор замещения. Установлено, что приближение кристаллического поля позволяет прогнозировать каталитические и адсорбционные свойства катионов-модификаторов газочувствительного диоксида олова. Хотя данная модель не учитывает реальные заряды на поверхности и возможности s- и p-связывания, из нее вытекают простые и достаточно достоверные корреляции между адсорбционной и каталитической активностью и структурой d-модификатора. Разработанные модели подтверждаются исследованиями газочувствительности тонких пленок диоксида олова, модифицированного d-металлами, к сероводороду
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315/А 94
Автор(ы) : Афонин С. М.
Заглавие : Решение волнового уравнения в задачах электромагнитоупругости для актюаторов нанои микроперемещений
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 26-32. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (10 назв.)
УДК : 621.315
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электромагнитоупругий актюатор нано- и микроперемещений--пьезоактюатор--деформация--волновове уравнение--структурно-параметрическая модель--характеристическое частотное уравнение
Аннотация: Получена обобщенная структурно-параметрическая модель электромагнитоупругого актюатора нано- и микроперемещений на основе решения волнового уравнения. Из обобщенной структурно-параметрической модели электромагнитогоупругого актюатора определены передаточные функции и характеристическое частотное уравнение актюатора. Рассчитаны динамические характеристики электромагнитоупругого актюатора
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 30
Автор(ы) : Бахвалова Т. Н., Белкин М.Е.
Заглавие : Моделирование фотонно-кристаллического спектрального демультиплексора
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 27-30: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 30 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана модель спектрального демультиплексора на основе фотонного кристалла в интегральном исполнении. Был использован двумерный фотонный кристалл с квадратной решеткой, образованный диэлектрическими наностержнями в воздухе. Разработка демультиплексора основывалась на изменении поперечных размеров волноводных каналов и внесении дополнительных дефектных наностержней различного радиуса внутрь каналов. Подбор геометрических параметров модели проводился исходя из анализа карт фотонных запрещенных зон. Для моделирования распространения излучения в среде была использована программа OptiFDTD 8 фирмы Optiwave Software
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Бесструктурная модель поверхностно излучающего лазера с полосой модуляции в свч диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 9-17: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложена бесструктурная (в виде эквивалентной электрической схемы) нелинейная модель поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL), пригодная для разработчиков аппаратуры современных сверхскоростных цифровых и аналоговых ВОСП с полосой поднесущих в СВЧ диапазоне, локальных телекоммуникационных систем волоконно-эфирной структуры, устройств СВЧ оптоэлектроники, а также оптических межсоединений в ИМС. Исходными данными для разработки модели служат результаты измерения статической и динамической характеристик электрооптического преобразования и характеристики отражения по модулирующему входу испытуемого образца. Описывается методика экстракции параметров его эквивалентной схемы с помощью высокоразвитой электронной САПР. Приводятся результаты моделирования и измерения интермодуляционных искажений третьего и пятого порядков длинноволнового VCSEL сплавной конструкции с полосой модуляции в СВЧ диапазоне. Оценивается уровень линейности испытуемого типа VCSEL передаче аналоговых СВЧ сигналов
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М.Е., Лопарев А. В.
Заглавие : Оптоэлектронный генератор свч сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 9. - С. 29-33: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 33 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматриваются схема построения и принцип функционирования оптоэлектронного генератора (ОЭГ) СВЧ диапазона, в котором сочетаются относительно низкие фазовые шумы и широкая полоса перестройки частоты генерации. Приводятся результаты разработки объектно-ориентированной модели оптоэлектронного генератора с помощью оптоэлектронной САПР VРI-transmission Maker™ и результаты моделирования его спектральных и шумовых характеристик. Описаны макет ОЭГ, перестраиваемый в полосе 2,5...15 ГГц, и результаты измерения с его помощью указанных параметров, подтверждающие корректность предложенной модели. Проводится сравнение с различными генераторами СВЧ диапазона в интегральном исполнении, построенными по традиционной схеме
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 63
Автор(ы) : Моргалев Ю. Н., Хоч Н. С., Моргалева Т. Г., Гулик Е. С., Борило Г. А., Булатова У. А., Моргалев С. Ю., Понявина Е. В.
Заглавие : Биотестирование наноматериалов: о возможности транслокации наночастиц в пищевые сети
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 11-12. - С. 131-135: табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 135 (26 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы диоксида титана --биоаккумуляция и экотоксикокинетика наночастиц--биотестирование наноматериалов--гидробионты
Аннотация: Разработаны модели и алгоритмы применения простых тест-систем, включающих гидробионты, для оценки особенностей биоаккумуляции и экотоксикокинетики наночастиц. При культивации в водных дисперсных системах наночастиц диоксида титана с содержанием частиц 1 мг/л стабилизация их концентрации в культурах клеток водоросли Chlorella vulgaris и рачков Daphnia magna происходит достаточно быстро - в течение 4-5 суток. Коэффициент накопления наночастиц клетками водоросли (210-220) в два раза превышает коэффициент накопления наночастиц рачками (101-103). Полученные данные указывают на возможность поступления техногенных наночастиц в пищевые цепи рыбоводства и промышленной аквакультуры
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 19
Автор(ы) : Васильев В. А., Чернов П. С.
Заглавие : Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 11-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузионной модели
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 55
Автор(ы) : Вишнеков А. В., Ерохин В. В., Иванова Е. М.
Заглавие : Автоматизация процедуры выбора микроконтроллера
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 14-21: табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 21 (5 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): проектное решение--семейство микроконтроллеров--лицо, принимающее решение (лпр)--микроконтроллер--производительность-- эксперт--критерии оценки качества проектного решения
Аннотация: Наличие большого числа микроконтроллеров на мировом рынке ставит перед разработчиками аппаратуры сложную задачу выбора конкретной модели микроконтроллера. Данная задача имеет как чисто технические, так и экономические аспекты. Предлагается комплексный подход к ее решению, основанный на использовании методов теории принятия решений. Предлагаемый подход обеспечивает возможность автоматизации процедуры выбора микроконтроллера в соответствии с предпочтениями разработчика и требованиями решаемой задачи
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 93
Автор(ы) : Высикайло Ф. И.
Заглавие : Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 37 (27 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): . (r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах
Найти похожие

19.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 649.7/В 94
Автор(ы) :
Заглавие : Вычислительные наноструктуры: учеб. пособие : в 2 ч./ Г. М. Алакоз [и др.] ; под ред. Г. М. Алакоза. - (Основы информационных технологий). Ч. 1: Задачи, модели, структуры
Выходные данные : М.: Интернет-Университет Информационных Технологий : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :487,[1] с.: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 470-487
ISBN, Цена 978-5-9963-0223-9: 396.00 р.
ГРНТИ : 50
ББК : 649.732я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА-- КОМПЬЮТЕРЫ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 12
Автор(ы) : Гавриленкова М. Д., Акимов С. В., Крылов А. Д.
Заглавие : Комплексная автоматизация и информатизация испытательных и метрологических центров датчиков физических величин
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 45-51: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 51 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): информатизация--автоматизация комплексная--испытания--датчик--модель комплексная--обеспечение программное--протоколы испытаний
Аннотация: Приведены результаты проектирования системы комплексной автоматизации и информатизации процессов градуировки, проверки функциональных параметров и испытаний датчиков физических величин на стойкость к механическим и климатическим внешним воздействующим факторам. Система реализует единое метрологическое пространство, интегрируемое в единое информационное пространство предприятия. В основу системы положены многоаспектные модели объектов и процессов
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-77

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)