Поисковый запрос: (<.>K=МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7 |
1.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/К 48
Автор(ы) : Клевлеев В. М., Колтунов В. В., Кузнецова И. А.
Заглавие : Использование компьютерного моделирования в решении задач компактирования наноразмерных материалов
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 21-23: табл., рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 23 (4 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: В работе представлены результаты уплотнения ультрадисперсных и наноразмерных порошков различных веществ. Полученные данные применены для компьютерного моделирования процесса волочения
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 23 (16 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--наноионика--приборы наноионные--электролиты твердые--гетеропереходы блокирующие--равновесие детальное--уравнение кинетическое Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Д 37
Автор(ы) : Деспотули А. Л., Андреева А. В.
Заглавие : Ток смещения Максвелла в наноионике и собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 2-9: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 9 (24 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноионика--1d-наноструктуры модельные--ток смещения максвелла --свойства наноструктур--моделирование компьютерное--сумма импедансов --наноструктуры Аннотация: Структурно-динамический подход, предложенный ранее для описания процессов ионного транспорта в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник, обобщен на собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур, представляющих собой последовательность потенциальных барьеров разной высоты. Введено понятие тока смещения Максвелла на потенциальном барьере. В компьютерных экспериментах обнаружено: 1) выполнение закона Ома для наиболее высоких барьеров, дающих основной вклад в импеданс наноструктуры; 2) импеданс наноструктуры может быть представлен суммой импедансов отдельных барьеров (аналог закона Кирхгофа); 3) частотные зависимости отношения "ток смещения Максвелла ток ионной проводимости" для различных барьеров наноструктуры соответствуют экспериментальным данным по частотному поведению Re- и Im-компонент адмитанса разупорядоченных твердых тел, в том числе в режиме "near constant loss"
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 62
Автор(ы) : Аммон Л. Ю.
Заглавие : Компьютерное моделирование процесса образования наночастиц при золь-гель синтезе
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 93-96: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 96 (10 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Развитие нанотехнологий предлагает два подхода к созданию наноструктурированных материалов: «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Первый из них рассматривает ультрадиспергирование вещества и последующее формирование материала. Второй - синтез наночастиц путем химических реакций из атомов и молекул как основы формирования материала. В обоих подходах наночастица является центральной фигурой в понимании процессов формирования наноматериала. Целью данной работы является моделирование процессов образования наночастиц в золь-гель технологии при гидролизе тетраэтоксисилана или кремнезема
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А.
Заглавие : Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 21-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 24 (7 назв.)
ББК : 623.7 Предметные рубрики: МАТЕМАТИКА-- ТЕОРИЯ ВЕРОЯТНОСТЕЙ И МАТЕМАТИЧЕСКАЯ СТАТИСТИКА
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А.
Заглавие : Легирование наноколонн рельефа поверхности пластины кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 20-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 24 (17 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--легирование кремния--имплантация Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину со сложным поверхностным нанорельефом
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А., Чесноков С. С.
Заглавие : Проектирование дислокаций примесей в выступающем элементе нанорельефа поверхности кремниевой пластины
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 11 (11 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--легирование кремния--имплантация--примеси донорные и акцепторные--наноколонны рельефа Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину с выступающим нанорельефом поверхности
Найти похожие
|
|