Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 76
Автор(ы) : Троян П. Е., Зеленский В. И.
Заглавие : Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 9-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры эмисионные--системы тонкопленочные--наноструктуры--металл--диэлектрик--поле электрическое--вакуум--система металл—диэлектрик—металл
Аннотация: Рассматриваются технология получения тонкопленочной системы металл—диэлектрик—металл и свойства, приобретаемые системой в результате электрической формовки в сильном электрическом поле в вакууме. Обсуждается модель возникающей в результате электрической формовки наноструктуры
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Суздалев И. П., Буравцев В. Н., Максимов Ю. В., Николаев А. Н.
Заглавие : Электрические и магнитные фазовые переходы первого рода в наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 1-2. - С. 105-108: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 108 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрена термодинамическая модель электрических фазовых переходов первого и второго рода, подобная модели магнитных фазовых переходов для наноструктур, например для металлического наноструктурированного европия. Показано, что для структур, обладающих электрическими фазовыми переходами первого рода, обязательно формирование наноструктур с размерами кристаллитов 30-50 нм. Уменьшение размеров нанокристаллитов в наноструктуре приводит к снижению интенсивности переходов и к уменьшению температуры переходов. Выводы модели находятся в соответствии с экспериментальными данными для электрических переходов и влияния на них размерных факторов в оксидах V2O3, VO2 и Fe3O4
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 89
Автор(ы) : Суздалев И. П.
Заглавие : Электрические и магнитные переходы в нанокластерах и наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 36-59: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 59 (43 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обзор посвящен электронным и магнитным переходам в нанокластерах и наноструктурах. Проводится рассмотрение оригинальных моделей фазовых переходов, трактующих наблюдаемые электрические и магнитные переходы первого рода в ряде нанокластеров и наноструктур с помощью критического размера нанокластера и критической концентрации дефектов в наноструктурах, когда электропроводимость и намагниченность изменяется скачком. Приводится оригинальная модель перехода массивного твердого тела в наноструктуру, появление которой сопровождает фазовые переходы первого рода металл-диэлектрик в оксидах ванадия и магнетите. Рассматриваются электрические и магнитные переходы в изолированных нанокластерах и наноструктурах на основе V2O3, VO2, Fe3O4, aFe2O3 и yFe2O3??
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 681.5.08/Ч-67
Автор(ы) : Гридчин В. А., Васильев В. Ю., Чебанов М. А., Бялик А. Д., Чернов А. С.
Заглавие : Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 3-7: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 7 (13 назв.)
УДК : 681.5.08
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоволокно--фотоэлектрический сенсор давления--метод конечных элементов
Аннотация: Представлена численная модель оптомеханического узла фотоэлектрического сенсора давления, состоящего из профилированной кремниевой диафрагмы с жестким центром и оптоволокна. Методом конечно-элементного моделирования исследованы условия максимальной чувствительности по смещению свободного конца оптоволокна под действием давления в зависимости от размеров диафрагмы. Показано, что для достижения максимальной чувствительности по перемещению оптоволокна расположение жесткого центра может быть нецентральным и зависит от размеров диафрагмы. Рассмотрены особенности преобразовательной характеристики при использовании в составе фотоэлектрического сенсора давления одного либо двух фотодиодов в дифференциальном включении
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 83
Автор(ы) : Гридчин В. А., Лобач О.В., Дикарева Р. П.
Заглавие : Численное моделирование микроэлектронного сенсора теплового потока
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 ( 12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсор--поток тепловой--технология микроэлектронная--метод конечных элементов
Аннотация: Представлены упрощенная тепловая и конечно-элементная модели микpоэлектpонного сенсора теплового потока, обсуждены особенности констpукции. Определено тепловое сопpотивление и получены выpажения для выходного сигнала сенсоpа. Показано, что численное моделиpование точнее описывает хаpактеpистики по сpавнению с аналитической моделью. Доведено сpавнение модельных pасчетов с экспеpиментальными данными, котоpое подтвеpдило пpавильность моделей. Предложенная численная модель позволяет доводить оптимизацию хаpактеpистик сенсоpа
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование численное--структуры полупроводниковые--микроплазма--пробой--проводники--электропроводность--пленки аморфные
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/С 13
Автор(ы) : Саврук Е. В., Смирнов С. В.
Заглавие : Формирование светорассеиваюшего микрорельефа на поверхности керамических полложек из AL2O3
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 33-34. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 34 (5 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светорассеивающий микрорельеф--лазерное микроструктурирование--светодиодный модель
Аннотация: Приведены результаты исследований светорассеивающего микрорельефа на поверхности керамических подложек, созданные с помощью лазерной обработки. Показано, что лазерное микроструктурирование поверхности подложек позволяет повысить светоотдачу светодиодных модулей на 10...15 %
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Антипов А. А., Аракелян С. М., Кутровская С. В., Кучерик А. О., Ногтев Д. С., Прокошев В. Г.
Заглавие : Формирование протяженных массивов наноструктур при осаждении металлических наночастиц из коллоидных растворов импульсно-периодическим лазерным излучением
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 4-8: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 8 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложен способ формирования наноструктурированных покрытий на основе технологии осаждения металлических наночастиц из коллоидных систем при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения. Получены протяженные массивы наноструктур. С применением методов фрактальной геометрии определены структурные особенности сформировавшихся слоев. Предложена модель фрактальной диффузии для наблюдаемых структур
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 50
Автор(ы) : Джангуразов Б. Ж., Козлов Г. В., Микитаев А. К.
Заглавие : Физический смысл "эффективной частицы" органоглины в полимерных нанокомпозитах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 22-24: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозит--органоглина--полиэтилен--"частица эффективная"
Аннотация: Предложена простая и физически наглядная модель "эффективной частицы" в нанокомпозитах полимер/органоглина. Хотя указанная модель дает такие же количественные характеристики, как и разработанные ранее трактовки, но она учитывает уровень межфазной адгезии полимер-органоглина и не использует устаревших микромеханических моделей
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 50
Автор(ы) : Стовбун С. В., Берлин А. А., Михайлов А. И., Сергиенко В. И., Говорун В. М., Демина И. А., Калинина Т. С.
Заглавие : Физико-химические свойства высокомолекулярного растительного полисахарида класса гексозных гликозидов (Панавир) с противовирусной активностью
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 112-115: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 115 (16 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): панавир--средства иммуномодулирующие и противовирусные--полисахарид растительный высокомолекулярный--полисахарид класса гексозных гликозидов--активность высокоая противовирусная--макромолекулы gg
Аннотация: Ранее был выделен высокомолекулярный растительный полисахарид, относящийся к классу гексозных гликозидов (GG), состоящий из моносахаров: рамнозы (2—10 %), арабинозы (3—15 %), глюкозы (10—67 %), галактозы (2—27 %), ксилозы (0.1—3 %), маннозы (0.1—5 %), а также уроновых кислот (2—5 %), обладающий высокой противовирусной активностью, доказанной на экспериментальных моделях с использованием опасных и особо опасных вирусных инфекций, таких как герпес, цитомегаловирус, грипп, клещевой энцефалит, корь, вирус бешенства и гепатит С. Созданный на его основе противовирусный препарат Панавир имеет чрезвычайно низкую токсичность (Ld 50 = 3000) и относится к противовирусным и иммуномодулирующим средствам. До настоящего времени микроскопическая, а не феноменологическая модель его биологической и фармакологической активности отсутствовала из-за недостатка представлений о физикохимической природе. В настоящей работе приводятся результаты исследования физико-химических свойств макромолекул GG, которые позволяют качественно объяснить биологическую активность и фармакологические свойства Панавира
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 32
Автор(ы) : Сергеева Е. А., Желтухин В. С., Илюшина С. В.
Заглавие : Физико-математическое моделирование плазменной модификации поверхностного нанослоя синтетических тканей
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 75-77: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 78 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана физико-математическая модель комплексных изменений структуры и глубины модификации поверхностного нанослоя синтетических волокон и тканей в результате бомбардировки низкоэнергетическими ионами плазмы высокочастотного (ВЧ) разряда пониженного давления, позволяющей получать волокна и ткани с заданными поверхностными свойствами
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев А. Г., Савинова А. М., Мирзаева П. М.
Заглавие : Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/У 67
Автор(ы) : Лебедев-Степанов П. В., Громов С. П., Молчанов С. П., Чернышов Н. А., Баталов И. С., Сазонов С. К., Лобова Н. А., Шевченко Н. Н., Меньшикова А. Ю., Алфимов М. В.
Заглавие : Управление самосборкой ансамблей модифицированных коллоидных частиц в микрокаплях раствора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 72-78: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 78 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы изотермы сорбции и константы связывания стириловых красителей (СК) пиридинового ряда с активными центрами на поверхности полистирольных коллоидных частиц в водном растворе в зависимости от величины заряда красителя: дикатион N-аммонийпропильного производного СК, катион N-этильного производного СК и нейтральный N-сульфопропильный производный СК; построена физическая модель сорбции. Исследована самосборка ансамблей частиц, поверхность которых модифицирована СК, а именно, зависимость морфологии твердой фазы частиц от концентрации красителя. Показано, что в присутствии сорбированного красителя формируется твердая фаза, более равномерно покрывающая подложку, но с менее выраженным дальним порядком расположения частиц. Обнаружена зависимость упорядочения частиц от расстояния от центра капли, что проявляется в наличии радиального градиента оптических свойств полученной микроконструкции
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/У 67
Автор(ы) : Михайлов В. П., Степанов Г. В., Базиненков А. М., Зобов И. К., Шаков К. Г.
Заглавие : Управление активной виброизоляцией и позиционированием магнитореологических устройств
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 5-9: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 9 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Приведена физическая модель магнитореологического (MР) эластомера - рабочего материала для виброизолирующих и позиционирующих устройств нанотехнологического оборудования. Описана конструкция нового активного демпфера на основе MР эластомера. Представлены динамическая модель и результаты исследований активного демпфера на основе MР эластомера
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/Б 43
Автор(ы) : Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е., Васильев В. А.
Заглавие : Тонкопленочные микроэлектромеханические системы и датчики на их основе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 33-39: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 38 (12 назв.)
ББК : 53
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкопленоченые микроэлектромеханические системы (тмэмс)--тонкопленоченые тензорезисторные мэмс (ттмэмс)--тонкопленоченые емкостные мэмс (темэмс)--обобщенная системная модель
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
Заглавие : Термоэлектрические явления в тонкопленочных тензорезисторных датчиках давления при воздействии нестационарных температур и виброускорений
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 6. - С. 33-37: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 37 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): математическая модель--термо-эдс
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 59
Автор(ы) : Козлов Г. В., Афашагова З. Х., Буря А. И.
Заглавие : Теоретическое описание эффекта наноадгезии в дисперсно-наполненных полимерных нанокомпозитах: фрактальная модель
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 45-48. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 48 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноадгезия--полимерные нанокомпозиты--нанонаполнитель
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 33
Автор(ы) : Суханов В. С., Панков В. В., Годовицын И. В., Михайлов Ю. А., Данилова Н. Л., Землянников Н. С.
Заглавие : Тензорезистивный кремниевый МЭМС-преобразователь давления мембранного типа
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 36-37: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Описана конструкция кремниевого интегрального преобразователя давления мембранного типа с тремя жесткими центрами, изготовленного по групповой интегральной технологии размером 6,2 x 6,2 мм. Проведено моделирование чувствительного элемента (ЧЭ) давления с помощью ПО ANSYS методом конечных элементов. Представлена трехмерная модель чувствительного элемента давления с иллюстрацией механических напряжений и деформации мембраны чувствительного элемента. ЧЭ реализован в макетном образце первичного преобразователя давления, представлены характеристики макетного образца
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 59
Автор(ы) : Козлов Г. В., Афашагова З. Х.
Заглавие : Структурная модель газопроницаемости нанокомпозитов полиэтилен / монтмориллонит
Место публикации : Нанотехнологии. - 2009. - № 1. - С. 23-27: ил.
Примечания : Библиогр. : с. 26-27 (12 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газопроницаемость--нанокомпозиты--полиэтилен--монтмориллонит
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 87
Автор(ы) : Маклаков С. С., Маклаков С. А., Рыжиков И. А., Розанов К. Н., Осипов А. В., Набоко А. С., Амеличев В. А., Куликов С. В.
Заглавие : Структура и СВЧ магнитная проницаемость тонких пленок кобальта
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 65-69: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 69 (29 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки тонкие--текстура кристаллографическая--проницаемость магнитная--кобальт--распыление магнетронное
Аннотация: Обнаружено увеличение частоты ферромагнитного резонанса от 3 до 5.5 ГГц в тонких пленках Co при увеличении размера кристаллитов от 6 до 70 нм. Изменение структуры достигается увеличением скорости нанесения металла от 4.2 до 7.1 нм/мин при магнетронном распылении на постоянном токе. Пленки Со обладают одноосной кристаллографической текстурой. Положение оси текстуры меняется в зависимости от параметров нанесения Со, что влияет на планарную магнитную анизотропию. Предложена модель, описывающая обнаруженные изменения
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-102

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)