Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/Р 17
Автор(ы) : Галиев Г. Б., Климов Е. А., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Федоров Ю. В., Бугаев А. С.
Заглавие : Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29: граф., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (3 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--а3в5--генерация и детектирование терагерцового излучения--молекулярно-лучевая эпитаксия--низкотемпературный арсенид галлия
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Разработаны и изготовлены антенны с различной топологией с максимальной частотой генерации ~2 ТГц
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/Р 17
Автор(ы) : Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б.
Заглавие : Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 31 (6 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--азв5--молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика