Поисковый запрос: (<.>K=НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Разработка сверхвысокочастотной наноэаектроники /П. П. Мальцев, Ю. В. Федоров [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 11.-С.14-16
|
2.
| Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике/Учреждение РАН, Ин-т полупроводниковой электроники РАН. - 2010
|
3.
| Громов Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия /Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 5.-С.39-48
|
4.
| Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области /Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии , 2011. т.№ 12.-С.8-11
|
5.
| Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs /Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 12.-С.16-19
|
6.
| Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент /Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.21-24
|
7.
| Раткин Л. С. Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем /Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 3.-С.2-5
|
8.
| Пономарев Д. С. Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия /Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 3.-С.14-17
|
9.
| Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники/О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.12-15
|
10.
| Сеничкин А. П. Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова/А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 5.-С.15-17
|
|
|