Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-11 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/Ч-34
Автор(ы) : Чеботарев, Сергей Николаевич, Калинчук, Валерий Владимирович, Лунин, Леонид Сергеевич
Заглавие : Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
Выходные данные : Москва: Физматлит, 2016
Колич.характеристики :191 с
Примечания : Библиогр.: с. 174-191
ISBN, Цена 978-5-9221-1694-7: 506.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : 539.292
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/С 31
Автор(ы) : Сеничкин А. П., Бугаев А. С., Ячменев А. Э.
Заглавие : Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17: табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (3 назв.)
УДК : 621.315.592
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 25
Автор(ы) : Раткин Л. С.
Заглавие : Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 2-5. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 5 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектр широкий аспектных отношений --свч системы на кристалле с элементами мэмс на наногетероструктурах--системы виброакустические микромеханические --канал волоконно-оптический информационный --информатика квантовая --наногетероструктуры--нэмс--ран
Аннотация: На состоявшейся 29 февраля 2012 г. научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН) рассматривалась проблематика проектирования, конструирования и производства наноэлектромеханических и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС). Особое внимание уделялось технологиям глубокого плазменного травления структур МЭМС с широким спектром аспектных отношений, созданию виброакустических микромеханических систем с волоконно-оптическим информационным каналом, квантовой информатике НЭМС, сверхвысокочастотным (СВЧ) системам на кристалле с элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия и технологическим основам создания микропреобразователей параметров движения на принципах переноса массы и заряда в электрохимических микросистемах
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 56
Автор(ы) : Пономарев Д. С.
Заглавие : Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктуры--транзистор полевой с затвором шоттки--эпитаксия моле-кулярно-лучевая--а3в5--диаграммы наногетероструктур
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/М 54
Автор(ы) : Рубан О. А., Пушкарев С. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П.
Заглавие : Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 15 (9 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): терагерцовое излучение--метаморфный буфер--наногетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 44
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А., Васильевский И. С., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б., Кульбачинский В. А.
Заглавие : Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 87
Автор(ы) : Громов Д. В., Матвеев Ю. А., Федоров Ю. В.
Заглавие : Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 48 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Галиев Г. Б., Васильевский И. С., Климов Е. А., Пушкарев С. С., Рубан О, А.
Заглавие : Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области
Место публикации : Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Пономарев Д. С., Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Кульбачинский В. А.
Заглавие : Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 19 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 17
Автор(ы) : Мальцев П. П., Федоров Ю. В., Галиев Г. Б., Бугаев А. С., Сеничкин А. П., Гнатюк Д. Л.
Заглавие : Разработка сверхвысокочастотной наноэаектроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 14-16: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (1 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматриваются вопросы создания транзисторов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе наногетероструктур
Найти похожие
 1-10    11-11 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика