Центральная Научная Библиотека УрО РАН

ББК Ж377
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛЫ

Оглавление
Найти похожие

Инвентарный номер: 230814 - кх.
   539.2
   О-75


    Основы пластической деформации наноструктурных материалов [] : монография / Э. В. Козлов [и др.] ; под ред. А. М. Глезера. - Москва : Физматлит, 2016. - 304 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1689-3 : 580.80 р.

ГРНТИ

ББК 539.2
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Оглавление
Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 68

    Коростелев, В. Ф.
    Исследование влияния давления на кристаллизацию и изменение наноструктуры алюминия / В. Ф. Коростелев, Л. П. Хромова // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АЛЮМИНИЙ -- НАНОСТРУКТУРА АЛЮМИНИЯ -- ДАВЛЕНИЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МОДЕЛЬ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- СВЯЗИ МЕЖАТОМНЫЕ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ -- ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ИЗ НАНОКРИСТАЛЛОВ
Аннотация: Рассмотрены кристаллогеометрические, термодинамические и наноструктурные аспекты теории кристаллизации. Установлено, что повышение давления, накладываемого на расплав, от 400 до 500 МПа, обеспечивает снижение плотности дислокаций благодаря формированию нанокристаллов с размерами 12...40 нм с практически бездефектной структурой. Приводятся данные об изменении предела текучести и модуля Юнга

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование влияния на модуль Юнга геометрических параметров ориентированных нитевидных нанокристаллов GaAs методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев, Б. Г. Коноплев, М. В. Рубашкина, А. В. Рукомойкин, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 27-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДУЛЬ ЮНГА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ GAAS НИТЕВИДНЫЕ -- ПАРАМЕТРЫ ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МЕТОД АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- НАНОДИАГНОСТИКА НИТЕВИДНЫХ СТРУКТУР -- НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Разработана методика определения модуля Юнга ориентированных нитевидных нанокристаллов методом атомно-силовой микроскопии. Представлены результаты исследования влияния геометрических параметров на модуль Юнга ориентированных нитевидных нано-кристаллов арсенида галлия. Экспериментально определено значение модуля Юнга нитевидных нанокристаллов арсенида галлия, которое, в зависимости от их аспектного соотношения, изменялось от 9 до 143 ГПа. Показано, что модуль Юнга нитевидных нанокристаллов GaAs зависит от аспектного соотношения и может превышать значение модуля Юнга объемного GaAs. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур нано- и микросистемной техники, нано- и микроэлектроники на основе ориентированных нитевидных нанокристаллов, в частности нанокристаллов арсенида галлия, а также при разработке методик нанодиагностики нитевидных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: И-13945 - кх.
   К25
   G 52

    Glezer, A. M.
    Melt-Quienched Nanocrystals [Text] : монография / A. M. Glezer, I. E. Permyakova. - Boca Raton ; London ; New York : CRC Press, 2013. - VIII, 361 p. : il. - Указ.: с. 358-361. - ISBN 978-1-4665-9414-2 : 5594.00 р.

ГРНТИ

53.49

ББК К259.9
Рубрики: ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ. МАШИНОСТРОЕНИЕ. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ--МЕТАЛЛОВЕДЕНИЕ

Оглавление
Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 17

    Самохвалов, П. С.
    Современные методы синтеза люминесцентных полупроводниковых нанокристаллов для биомедицинских приложений / П. С. Самохвалов, М. В. Артемьев, И. Р. Набиев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т.8, № 5-6. - С. 119-129 : рис. - Библиогр.: с. 129 (83 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА AIIBVI -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ ТИПА «ЯДРО/ОБОЛОЧКА» ИЗ CDSE, CDS, ZNSE -- МЕТОД СИНТЕЗА КОЛЛОИДНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК -- НАНОКЛАСТЕРЫ -- КРАСИТЕЛИ ОРГАНИЧЕСКИЕ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ
Аннотация: В обзоре представлены основные современные методы коллоидного синтеза квантовых точек типа «ядро/оболочка» из CdSe, CdS, ZnSe и других полупроводников типа AIIBVI, обладающих высоким квантовым выходом люминесценции. Обсуждаются достоинства и недостатки разрабатываемого в настоящее время безынжекционного метода синтеза коллоидных квантовых точек в сравнении с классическим инжекционным синтезом. На начальной стадии безынжекционного метода синтеза происходит образование метастабильных нанокластеров «магического» размера, причем их дальнейшая перекристаллизация обуславливает медленный контролируемый рост нанокристаллов строго определенного размера с минимальным количеством дефектов. Формирование защитной оболочки из более широкозонного материала на поздних стадиях роста ядер приводит к образованию градиентных квантовых точек с плавным переходом от ядра к оболочке без напряжений и дефектов в переходной зоне, сглаживает потенциальный барьер для носителей зарядов и приближает квантовый выход фотолюминесценции к 100 %. Такой подход может найти применение и в других полупроводниковых системах, позволяя получать люминесцентные нанокристаллы для всего видимого диапазона, а также в УФ- и ближней ИК-областях. Такие нанокристаллы могли бы заменить люминофоры на основе органических флуоресцентных красителей и редкоземельных соединений из областей их промышленного применения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование чувствительности нанокристаллического оксида индия с различными размерами нанокристаллов к диоксиду азота / Е. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 87-90 : табл., рис. - Библиогр. : с. 90 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДИОКСИД АЗОТА -- ОКСИД ИНДИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОВЕДЕНИЕ НЕМОНОТОННОЕ
Аннотация: Исследовано влияние адсорбции NO 2 на электрическую проводимость нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Чувствительность (отношение проводимостей In 2O 3 до и после адсорбции NO 2) с уменьшением размеров нанокристаллов сначала возрастает, а затем уменьшается. Предложено объяснение наблюдаемого немонотонного поведения чувствительности

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Т 38


    Технология создания медицинской нанобиоинформационной диагностической системы на полупроводниковых нанокристаллах / К. Д. Яшин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 11-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ДИАГНОСТИКА ОПУХОЛЕВЫХ ЗАБОЛЕВАНИЙ -- НАНОБИОМАРКЕРЫ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ
Аннотация: Представлена конструкция флуоресцентных полупроводниковых нанобиомаркеров для визуализации опухолевых клеток in vitro

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI)
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: 214221 - кх.
   623
   Г 53

    Глезер, Александр Маркович.
    Нанокристаллы, закаленные из расплава [] : научное издание / А. М. Глезер, И. Е. Пермякова. - М. : Физматлит, 2012. - 359 с. - ISBN 978-5-9221-1373-1 : 485.76 р.
Светлой памяти выдающегося рос. физика и материаловеда акад. Георгия Вячеславовича Курдюмова посвящ.

ГРНТИ

31.15.17

ББК 623.7 + 539.2
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   С 60


    Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек / С. В. Дайнеко, М. В. Артемьев, И. Р. Набиев, М. Г. Тедорадзе, А. А. Чистяков // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯЧЕЙКА СОЛНЕЧНАЯ -- МАТЕРИАЛЫ ГИБРИДНЫЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ФОТОВОЛЬТАИКА -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК ОРГАНИЧЕСКИЙ
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: U-13483 - кх.
   623
   S 94

    Suresh, Anil K..
    Metallic Nanocrystallites and their Interaction with Microbial Systems [Text] : монография / A. K. Suresh. - [Dordrecht] : Springer, [2012]. - XVI, 67 p. - (Springer Briefs in Molecular Science. Biometals). - ISBN 94-007-4230-7 : 2402.00 р.

ГРНТИ

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: 211080 - бр.ф.
   539.2
   С 58


    Создание и перспективы использования нанокристаллических материалов и нанотехнологий в промышленности []. Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов "ДСМСМС-2011" : XII Междунар. конф., Екатеринбург, 13-16 июня 2011 г. : тезисы докл. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов. - Екатеринбург : [б. и.], 2011. - 163 с. - Библиогр. в конце ст. - 20.00 р.
Тит. л. отсутствует

ГРНТИ

ББК 539.2я431(0) + 623.7я431(0)
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--КОНФЕРЕНЦИИ
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов / Ф. И. Высикайло // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (27 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- КУМУЛЯЦИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ И ФИЗИЧЕСКОЕ -- РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E > 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En > 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En > 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R > R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En < 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En > 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En > 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E > 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E > 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): ^w(r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E > 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En > 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En > 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: 214169 - ИМЕТ.
   539.2
   С 58


    Создание и перспективы использования нанокристаллических материалов и нанотехнологий в технике [] : материалы XII Междунар. конф. "Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов - "ДСМСМС-2011", 13-16 июня 2012 г., г. Екатеринбург / [РАН, УрО, Ин-т физики металлов]. - Екатеринбург : [б. и.], 2011. - 381 с. : табл., граф., ил. - Загл. на обороте тит. л. : Creation and the Aspects for Use of Nanocrystal Materials and Nanotechnologies in Industry. - Библиогр. в конце ст. - 20.00 р.
Тит. л. отсутствует

ГРНТИ

ББК 539.2я431(0) + 623.7я431(0)
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2011 г.--КОНФЕРЕНЦИИ
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: 209648 - кх.
   539.2
   Н 25


    Наноструктурные покрытия [] : переводное издание / под ред. А. Кавалейро, Д. Хоссона ; пер. с англ. А. В. Хачояна, Р. А. Андриевского. - М. : Техносфера, 2011. - 750 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Nanostructured Coatings. - 2006. - ISBN 978-5-94836-182-6 : 996.00 р.

ГРНТИ

ББК 539.2я43(2) + 623.7я43(2)
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--СБОРНИКИ
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: U-13293 - кх; U-13294 - бр.ф.
   539.2
   N 21


    Nanostructures: Physics and Technology [Text] : 19th International Symposium, Ekaterinburg, Russia, June 20-25, 2011 : proceedings / Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the RAS ; co-chairs Zh. Alferov, L. Esaki. - Ekaterinburg : [s. n.], 2011. - 251 p. : il. - Авт. указ.: с. 249-251. - ISBN 978-5-93634-042-0 : 50.00 р.
Program (24 p.)

ГРНТИ

18.

Инвентарный номер: U-13460 - кх.
   623
   Q 23


    Quantum Materials. Lateral Semiconductor Nanostructures, Hybrid Systems and Nanocrystals [Text] : научное издание / ed. D. Heitmann. - [Berlin [et al.] : Springer, 2010. - XX, 434 p. - (NanoScience and Technology). - Библиогр. в конце разд. - Указ.: с. 429-434. - ISBN 3-642-10552-4 : 5767.00 р.

ГРНТИ

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Г 46


    Гибридные системы из квантовых точек и фоточувствительного белка фикоэритрина / Е. Г. Максимов, Т. С. Гостев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 107-112 : рис., табл. - Библиогр. : с. 112 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК